Способ получения полупроводниковых пленок на диэлектриках
Л/Я,.<
Класс 32b, о № 128009
12п, 10 12;:с;. ; .;.: r:-..1ã.;;-,1 ° q
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Б. П. Крыжановский и А. Я. Кузнецов
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДН ИКОВЫХ
ПЛЕНОК НА ДИЭЛЕКТРИКАХ
Заявлено 8 июля 1959 г, за ¹ 633157/23 в Комитет по делам изобрети,!нй II открытий при Совете Министров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 9 за 1960 г.
В качестве электропроводящих покрытий до настоящего времени были предлОжены II использу10тся IITIBIII Как в СССР, так и заграницей, электропроводящпе слои, позволяющие превращать поверхность диэлектрика и полупроводник и прозрачные в инфракрасной области спектра, до настоящего времени нс разработаны. Однако, в связи с быстрым развитием инфракрасной техники, такие слои необходимы. Найден новый способ с применением трехокиси молибдена для получения IIB диэлектриках полупроводнш<овых пленок, прозрачных не только в видимой, но и в инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, опти 1еск гх деталей, покрытых слоем пятихлористого молибдена, нанесенного пз раствора в сухом этилoBQM спирте, пли непосредственно слоем трехокиси молибдена путем испарения последнего в вакууме. Описанные способы позволяют создавать полупроводниковые слои окисла молибдена, прозрачные в инфракрасной области спектра, ня стекле и оптических монокристаллах. ПеР вый OI10006 33K:IIo IBeTcsi B TO%I, !To 11 0 Be II. 370 — 500 . ¹ 128009 Предмет изобретения Применение трехокиси молибдена для получения на диэлектриках полупроводниковых пленок, прозрачных не только B видимой, но и в инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, оптических деталей, покрытых слоем пятихлористого молибдена, нанесенного из раствора в сухом этиловом спирте, или непосредственно слоем трехокиси молибдена путем испарения последнего в вакууме, Комитет но делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор И. И. Мосин Гр. 145 Подп. к печ. 29ЛЧ-6П ", Тираж 8GO Цена 25 коп. Информационно-издательский отдел. Объем 0,17 и. л. Зак 2382 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14. В результате такой ооработки окись молибдена частично восстанавливается и приобретает полупроводниковые свойства. Меняя концентрацию раствора пятихлористого молибдена (5 — 25 !o) время и температуру обработки в водороде можно получать слои с удельной поверхностной электропроводностью от 10 до 10 ол При втором способе поверхность оптической детали покрывают тонким слоем трехокиси молибдена путем испарения его в вакууме. Давление при этом должно лежать в интервале 10 "— 10 а.им рт. ст. Испяре ьие трехокиси молибде,- а можно производить как из кварцевого тигелькя, обогревае.,:0Iо с помошью вольфрамовой спирали, так и непосредственно нз спирали. Полученный указанным способом слой трехокиси молибдена подвергают затем обработке в атмосфере сухого водорода при 370 — 500, в результате чего слой приобретает полупроводниковые свойства. Поверхностная электропроводность полученных этим способом слоев зависит от их толш.ны и времени обработки в атмос рере водорода и лежит в интервале 10 - — 10 зол . Слои обладают достато и(ой химической устойчивостью и механической прочностью, не изменяют своих элсктрическигс свойсть при нагреве до 50 — 70 и под действием тока в течение длительного времени. Проп1 скяние инфракрасных излучений слоями, полученными по обоим способам, составляет 60% при длине волны излучения 1 ик, достигает 905 при д..пп. с волны от 6 до 8 пк и снижается до 80о/а при длине волны 9 ик. Б лабораторных условиях были получены полупроьодниковые слои окиси молибдена HB образцах оптического флюорита, фтористого лития, искусен венного оптического монокристалла корунда и плавленного кварца.
