Способ получения везикулярного фотографического изображения

 

Изобретение относится к способам получения бессеребряного фотографического изображения и может быть использовано в электронике. ядерной технике и космической фотографии . Целью изобретения является увеличение времени жизни скрытого изображения и фотографической чувствительности материала. Подложку со светочувствительным слоем, содержащим сополимер винилиденхлорида, акрилонитрила и метилметакрилата, а также фенилазид, помещают в криостат с температурой 4-77 К, Через окна из кварца производят экспонирование в течение 10 с, после чего проявляют скрытое изображение, нагревая подложку со слоем в печке до 100-130°С..Полученное изображение фиксируют облучением ультрафиолетовым светом до полного разложения азида. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19> (11) (51) 4 G 03 С 1/52

4 A йГ<,"Гп.НЩНЯ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

«уг П,,(, ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3799609/24 — 10 (22) 10.10.84 (46) 07.03.86. Бюл. Л"- 9 (71) Ордена Трудового Красного

Знамени институт физики АН УССР (72) И.П.Жарков, П.А.Кондратенко и А.В.Починок (53) 773.712(088.8) (56) Нагорный В.И., Чибисова Н.П.

Везикулярный фотографический процесс. УНФ. т.19, 1978, с. 35-43. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЕЗИКУЛЯРНОГО

ФОТОГРАФИЧЕСКОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ (57) Изобретение относится к способам получения бессеребряного фотографического изображения и может быть использовано в электронике, ядерной технике и космической фотографии. Целью изобретения является увеличение времени жизни скрытого изображения и фотографической чувствительности материала. Подложку со светочувствительным слоем, содержащим сополимер винилиденхлорида, акрилонитрила и метилметакрилата, а также фенилазид, помещают в криостат с температурой 4-77 К. Через окна из кварца производят экспониро4 вание в течение 10 с, после чего проявляют скрытое изображение, нагревая подложку со слоем в печке до

100-!30 С. Полученное изображение о фик сируют облучением ультрафиолетовым светом до полного разложения азида. 1 табл.

Изобретение относится к способам получения бессеребряного фотографического иэображения и может быть использовано в электронике, ядерной технике и космической фотографии.

Цель изобретения — увеличение времени жизни скрытого изображения и фотографической чувствительности материала.

Сущность изобретения заключается в том, что фотоотцепление азота от азида протекает и при 4 — 77 К, при этом диффузия сконденсированного азота практически отсутствует. Это позволяет значительно увеличить время жизни, скрытого изображения, получающегося в результате фотолиза и снизить мощность источника излучения (таблица).

Иэ таблицы видно, что при температуре ниже температуры жидкого азота (77 К) время хранения скрытого изображения возрастает, что подтверждает высокую сохраняемость скрытого из бражения.В известном о способе при 20 С запись информации от слабого источника излучения невозможна, поскольку время жизни скрытого изображения намного меньше, чем время экспонирования, т.е. процессы диффузии азота из пузырьков носят преобладающий характер.

Пример 1. Раствор везикулярного материала, состоящего из сополимера винилиденхлорида, акрилонитрила и метилметакрилата в метилэтилкетоне с фенилазидом наносят на лавсановую подложку, сушат при 50-70 С в течение 5 ч. Полученную подложку с везикулярным материалом помещают в криостат с температурой 77 К. Через окна из кварца в криостате производят экспонирование в течение 10 с, мощность

4 источника излучения 10- Дж/см с.

Через 1 мин проявляют скрытое изображение, для чего подложку со слоем везикулярного материала нагревают в печке до 100-130 С в течение о

0,5-1,0 с.

1216764

Поспе теплового проявления полученное изображение фиксируют, облучая ультрафиолетовым светом до полного разложения азида.

5 Hp и м е р 2. Подложку с нанесенным на нее везикулярным материалом по примеру 1 погружают в криоо стат с температурой 53 С, экспонируют в течение 10 с (источник излу4 чения имеет мощность 10. Дж/см с

Через 1 ч осуществляют тепловое проявление изображения и фиксирование как в примере 1.

П р и и е р 3. Подложку с нанесенным на нее незикулярным материалом по примеру 1 помещают в криостат с температурой 23 К, экспони1 руют в течение 10 с (источник излу чения имеет мощность 10 Дж/см с).

20 Проявляют скрытое изображение через 5 ч после экспонирования и фиксируют как в примере 1.

Пример 4. Подложку с нанесенным на нее везикулярным материалом помещают в криостат с температурой 4 К (температура жидкого гелия), экспонирование проводят в течение 10 с (источник излучения имеет мощность 1О,Дж/см с

-5 2

Проявляют скрытое изображение через 1О ч после экспонирования и фиксируют как в примере l.

Формула изобретения

Способ получения везикулярного фотографического изображения на фотоматериале, состоящем из подложки

40 и светочувствительного слоя, содержащего сополимер винилиденхлоридЛ, акрклонитрила и метилметакрилата и фенилазид, включающий избирательное экспонирование, нагревание

45 и неизбирательное экспонирование, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени жизни скрытого изображения и фотографической чувствительности материала, экспонирование проводят при 4-77 К.

1216764

Температура

Время экспонироza— ния, с ражения, с излучения, 10 Дж/см с

104

500

10

77 К

Неограниченное

53 К

23 К

4 К

Составитель В.Кондратьев

Редактор Н.Данкулич Техред А.Бабинец Корректор М.Максимишинец

Заказ 999/57

Тираж 437 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

+20 С (известный) Минимальная мощность источника

Время хра" кения скрытого изоб