Способ изготовления диодных матриц
Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими шинами и формирование в толстом слое структуры канавок между проводящими шинами, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления матриц, проводящие шины на поверхности более тонкого слоя структуры выполняют из пластичного металла, а после выполнения канавок в более толстом слое структуры ее раскалывают вдоль этих канавок на всю толщину и образовавшиеся пазы заполняют диэлектрическим связующим веществом.
Похожие патенты:
Изобретение относится к области механической обработки твердых хрупких материалов и может быть использовано при изготовлении сфер небольшого диаметра из монокристаллических феррогранатов
Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, преимущественно к технологии обработки теллурида кадмия и ртути, и может быть использовано в полупроводниковой технике
Изобретение относится к материаловедению полупроводников
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии, и может использоваться для анализа микроструктуры керамики: выявления границ зерен, анализа распределения зерен по размерам
Изобретение относится к области очистки сапфировых подложек для гетероэпитаксии нитридов III группы, которые в дальнейшем применяются для изготовления различных оптоэлектронных элементов и устройств
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов на основе CdHgTe, в частности к улучшению параметров приборов, их однородности по пластине и стабильности во времени и может найти применение для создания матриц, например, n-p-переходов или других полупроводниковых приборов
Изобретение относится к твердотельной электронике и может быть использовано для предэпитаксиальной обработки подложек из дифторида бария BaF2 при изготовлении фотоприемных устройств
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии химической обработки и пассивации поверхности полупроводников, и может быть использовано при изготовлении фотоприемников ИК-диапазона на основе твердых растворов
