Способ изготовления моп-интегральных схем
1. Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации на основе алюминия и кремния, формирование элементов металлизации и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров, в слой металлизации дополнительно вводят фосфор при следующем соотношении компонентов, мас.%:
а термообработку осуществляют в среде кислорода при нормальном давлении в течение 60-90 мин.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой металлизации наносят путем одновременного распыления мишени алюминия и мишени кремния, легированной фосфором.
Похожие патенты:
Способ изготовления мдп интегральных схем // 1268001
Изобретение относится к полупроводниковой технике/ в частности к способам создания многослойных контактных систем
Способ изготовления выпрямительных элементов // 1114253
Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)
Способ магнетронного распыления // 2114487
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений
Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797
Изобретение относится к микроэлектронике
Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов
Способ напыления рельефных подложек // 2229182
Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов
Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др