Способ формирования омических контактов к кремнию
Способ формирования омических контактов к кремнию, включающий нанесение молибдена на поверхность кремниевой подложки катодным распылением в тлеющем разряде в газовой среде, содержащей трехфтористый бор, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества контактов и повышения производительности способа, катодное распыление осуществляют в газовой среде состава, об.%:
при давлении 5·10 -2-8·10-2 Па и плотности мощности разряда 0,1-0,5 Вт/см2.
Похожие патенты:
Способ изготовления моп-интегральных схем // 1292627
Способ изготовления мдп интегральных схем // 1268001
Изобретение относится к полупроводниковой технике/ в частности к способам создания многослойных контактных систем
Способ изготовления выпрямительных элементов // 1114253
Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)
Способ магнетронного распыления // 2114487
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений
Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797
Изобретение относится к микроэлектронике
Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов
Способ напыления рельефных подложек // 2229182
Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов
Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др