Блок управления полем подмагничивания для доменной памяти

Авторы патента:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических .магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является упрощение блока управления полем подмагничивания для доменной памяти. Блок управления полем подмагничивания для доменной памяти содержит дещифратор I, выходы которого подключены к управляющим входам формирователей 2i-2„ и 3|-3„, выходы которых подключены к одним выводам соответствующих резисторов 4|-4-2,,, вторые выводы которых объединены и являются выходом блока управления. Вход дещифратора I подключен к выходу аналого-цифрового преобразователя 5, входы которого являются входами блока. Выход блока управления соединен с одними выводами 2-KaTynjeK 6i-бд. микросхем доменной памяти 7 - 7д., другие выводы которых соединены с 1ииной нулевого потенциала. Выходы микросхем 7 --7k соединены с входами усилителей считывания д 8|-8ft и соответствующими входа.ми ана. км о- & цифрового преобразователя 5. I и.ч. (Л оо о о ел 05 ьо

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (594С» 11 С 11 14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (2 !) 39821 06/24-24 (22) 25.11.85 (46) 30.03.87. Бюл. № 2 (72) В. И. Статейнов (53) 681.327.66 (088.8) (56) Патент США № 4251044, кл. G !! С 19/08, опублик. 1981.

Авторское свидетельство СССР № 1150661, кл. G 11 С 19/08, 1983. (54) БЛОК УПРАВЛЕНИЯ ПОЛЕМ ПОДМАГНИЧИВАНИЯ ДЛЯ ДОМЕННОЙ ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является упрощение блока управления полем подмагничивания

Л0„1300562 А 1 для доменной памяти. Блок управления (10лем подмагничивания для доменной памяти содержит дешифратор 1, выходы которого подключены к уп ра вл яющи м входам формирователей 2 вЂ” 2„и 31 вЂ” 3„, выходы которых подключены к одним выводам соответствующих резисторов 41 вЂ” 4>„, вторые выводы которых объединены и являются выходом блока управления. Вход дешифратора 1 подключен к Bblxoi\ó аналого-цифрового преобразователя 5, входы которого являются входами блока. Выход блока управления соединен с одними выводами -катушек 61 вЂ” 6», микросхем доменной памяти 71 вЂ” 7»., другис выводы которых соединены с шиной нулевого потенциала. Выходы микросхем 71 --7». соединены с входами усилителей считывания

81 вЂ” 8, и соответствующими входами аналого цифрового преобразователя 5. ил.

1300562

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Н. Киштулинец Техред И. Верее Корректор А. Ильин

Заказ 829/52 Тираж 590 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Цель изобретения вЂ” упрощение блока управления полем подмагничивания для доменной памяти.

На чертеже изображена блок-схема предлагаемого устройства.

Блок управления полем подмагничивания для доменной памяти содержит дешифратор 1, выходы которого подключены к управляющим входам формирователей 2 вЂ” 2„ и 3 вЂ” 3„, выходы которых подключены к одним выводам соответствующих резисторов

4i вЂ” 42„вторые выводы которых объединены и являются выходом блока управления. Вход дешифратора 1 подключен к выходу аналогоцифрового преобразователя 5, входы которого являются входами блока.

Выход блока управления соединен с одними выводами z-катушек 6i вЂ” бг, микросхем доменной памяти 7i вЂ” 7, другие выводы которых соединены с шиной нулевого потенциала. Выходы микросхем 7i вЂ” 7 соединены с входами усилителей считывания 8i вЂ” 8д и соответствующими входами аналого-цифрового преобразователя 5, Предлагаемое устройство работает следующим образом.

После включения источников электропитания доменной памяти производится замер температуры внутреннего объема в микросхемах памяти 71 вЂ” 7k в виде падения напряжения на датчиках считывания ЦМД, которое пропорционально температуре магнитоодноосного кристалла с ЦМД.

Эти напряжения с выхода микросхем

7i вЂ” 7» поступают на входы аналого-цифрового преобразователя 5, на выходе которого вырабатывается код, пропорциональный падению напряжения на датчиках считывания

ЦМД. Этот код, поступая на вход дешифратора 1, возбуждает соответствующую шину дешифратора, и на входы соответствующих пар формирователей 2i вЂ” 2„и 3 вЂ” 3„ поступает сигнал, разрешающий их включе>0 ние. Резисторы 4i вЂ” 4зл, включенные в цепь формирователей 2; вЂ” -2„и 3i вЂ” 3„, определяют потенциал на выходе блока управления и тем самым сетку номиналов токов подмагничивания z-катушек 61 вЂ” 6 микросборок доменной памяти.

Использова ние п редлагаемого устройства позволяет расширить диапазон рабочих температур доменной памяти и сократить время ее готовности к обмену информацией с ЭВМ.

20 Формула изобретения

15лок управления полем подмагничивания для доменной памяти, содержащий аналогоцифровой преобразователь, входы которого являются входами блока, отличающийся тем, что, с целью упрощения блока, он содержит дешифратор, формирователи тока и нагрузочные элементы в виде резисторов, выход аналого-цифрового преобразователя подключен к входу дешифратора, выходы которого подклкгчены к управляющим входам соответствующих формирователей, выходы формирователей подключены к одним выводам соответствующих резисторов, вторые выводы которых объединены и являются выходом блока управления.

Блок управления полем подмагничивания для доменной памяти

Изобретение относится к области вычислительной техники н может быть иснользовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Способ определения числа слоев в доменосодержащей пленке // 1300560

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть исгюльзова но при разработке аппаратуры для неразрушаюшего контроля качества доменосодержащих материалов

Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов // 1300559

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в ЗУ на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Матричный накопитель информации // 1295448

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации

Запоминающее устройство // 1295447

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в системах хранения информации

Устройство для определения периода полосовой доменной структуры в магнитных пленках // 1295348

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических маг нитных доменах

Накопитель информации и способ считывания информации из накопителя // 1292038

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств ЭВМ, Целью изобретения является упрощение накопителя информации , а также повышение быстродействия способа считывания информации из этого накопителя

Магнитный накопитель информации // 1290422

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупостоянных запоминающих устройствах вычислительных машин

Способ измерения спектра поглощения магнитного материала для носителя информации // 1290421

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для контроля параметров магнитных материалов в производстве магнитных накопителей информации

Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах // 1288755

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в запоминакяцих устройствах , в которых носителями информации являются цилиндрические магнитные домены

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)