Схема согласования уровней ттл-эсл

 

Изобретение относится к области импульсной техники. Может быть использовано при создании ИС согласования уровней . Цель изобретения - повышение надежности , достигаемое путем упрощения. Устройство содержит транзисторы 4, 5, 11, 16, 17 и 18, диоды Шоттки 21 и 22, диод 2, резисторы 3, 6, 8, 9 и 10. Для достижения поставленной цели в устройство введены диод Шоттки 24, диод 28, транзисторы 25, 26 и 27. 2 ил. ZO оо о СО со о Фие. 1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) 1309301 А 1 (51)4 Н03 К 19 09

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ, КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ?

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АBTOPGHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3947707/24-21 (22) 30.08.85 (46) 07.05.87. Бюл. № 17 (72) И. В. Черняк и Е. В. Григорьев (53) 621.374 (088.8) (56) Мкртчан С. О. Преобразователи уровней логических элементов. — M.: Радио и связь, 1982, с. 9, рис. 3.

Международная заявка № 84/04009, кл. Н 03 К 19/092, 1984. (54) СХЕМА СОГЛАСОВАНИЯ УРОВНЕ!"

ТТЛ-ЭСЛ (57) Изобретение относится к области импульсной техники. Может быть использовано при создании ИС согласования уровней. Цель изобретения — повышение надежности, достигаемое путем упрощения. Устройство содержит транзисторы 4, 5, 11, 16, 17 и 18, диоды Шоттки 21 н 22, диод 2, резисторы 3, 6, 8, 9 и 10. Для достижения поставленной цели в устройство введены диод Шоттки 24, диод 28, транзисторы 25, 26 и 27. 2 ил.

1309301

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании ИС согласования уровней.

Целью изобретения является повышение надежности, достигаемое путем упрощения.

На фиг. 1 представлена электрическая принципиальная схема согласования уровней ТТЛ-ЭСЛ; на фиг. 2 — таблица истинности входной схемы согласования.

Устройство содержит первую входную шину 1, соединенную с катодом первого диода 2, анод которого соединен с первым выводом первого резистора 3 и базой первого транзистора 4, коллектор которого соединен с базой второго транзистора 5 и через второй резистор 6 — с вторым выводом первого резистора 3, с шиной 7 питания, первыми выводами третьего 8, четвертого 9 и пятого 10 резисторов и с коллекторами второго 5 и третьего 11 транзисторов, эмиттеры которых соединены соответствсilllo с ltcpBoH !2 и второй 13 выход-! l l м и lit t t I I H м 11 и с первыми вывода м и ив р>гогс> 14 и второй> 15 источников тока. Вторые выводы четвертого 9 и пятого 10 резисторов соединены соо гветственно с коллектором и базой четвертого транзистора

16, эмиттер которого соединен с эмиттером

11срвогo транзистора 4, база четвертого транзистора 6 сосди>1ена с базой и коллектор1>м пятого транзистора 17, б<>зл и коллектор шестого транзистора 18 соединены вместе, л эмиттер соединен с общей шиной !9 и с вгорыми выводами первого 14 и ВТорого 15 источников тока. Вторая входная IIIHliH 20 соединена с катодом пер>>ого диода 111оттки 21, анод которого сое,THttcII с анодами второго диода 111оттки 22 и с общей шиной 19. Первая входная шина соединена с катодами второго диода 111опки 22, первый вывод третьего uc lочника 23 тока соединен с общей шиной 19.

Кроме того, схема содержит третий диод

Шоттки 24, седьмой 25, восьмой 26 и девятый 27 транзисторы и второй диод 28, катод которого соединен с второй входной шиной 20. а анод — — с вторым выводом трегьсг(> резистора 8, с базой седьмого транзистора 25 и с базой и коллектором восьмого транзистора 26, эмиттер которого соединен с базой четвертого транзистора 6 и с катодом третьего диода

Шоттки 24, анод которого соединен с базой первого транзистора 4, коллектор седьмого транзистора 25 соединен с базой третьего транзистора 11, а эмиттер с вторым выводом третьего источника 23 тока и с эмиттером первого транзистора 4, эмиттср пятого транзистора 17 соединен с коллектором и базой девятого транзистора 27, эмиттер которого сое. ди11 II < ко,>лектором шестого транзисто рл 18.

1О

Устройство работает следующим образом.

Транзистор 16 является опорным и подключен к источнику опорного напряжения (резистор 10, транзисторы 17, 27 и 18) .

При поступлении на обе шины 1 и 20 входного напряжения низкого уровня потенциал на базе транзистора 16 выше потенциалов на базах транзисторов 4 и 25. Ток источника 23 тока переключается в транзистор 16 и создает падение напряжения на резисторе 9. На шине 13 устанавливается выходное напряжение низкого уровня, а на шине 12 — выходное напряжение высокоto уровня.

Г!ри поступлении на шину 1 входного напряжения высокого уровня диод 2 закрывается, От шины ? питания через резистор 3, диод !11оттки 24, транзисторы 17, 27 и !8 начинает протекать ток в оощую шину 19. За счет протекания этого тока потенциал на базе транзистора 4 становится выше уровня анод>ногo напряжения нл величину падения:>лпряжсния на прямосмещенном диоде 1Поттки. Если на шиH v 20 tlo-прежнеMó поступает входное напряжение низкого уровня, то ток источника 23 тока переключается в транзистор 4 и создает падение напряжения на резисторе 6, На шине 12 устанавливается выходное напряжение ннзкого урони>я, а на шине 13 — выходное напряжение высокого уровня.

При поступлении на шину 20 входного напряжения высокого уровня диод 28 закрывается. От шины 7 питания через резистор 8, транзистор 26 в диодном включении, транзисторы 17, 27 11 18 начинает протекать ток в общую >пин 19. За счет 11ротекания этого тока 11отенциал на базе транзистора 25 становится вь>>пе уровня опорного напряжения на вели 1ину падения напряжения на прямосмс цен>юм диоде 26. Если на шину поступает входное напряжение низкого уровня, то ток источника 23 тока переключается в транзистор 25 и создает падение напряжения»а резисторе 9. На шине ! 2 устанавливается выходное напряжение высокого уровня, а на шине !3 -- выходное напряжснис низкого уровня.

При поступлении на обе пины 1 и 20 входного напряжения высокого уровня диоды 2 и 28 закрыты. От шины 7 питания в общую шину 19 начинают протекать два тока: первый через резистор 3, диод Шоттки 24, транзисторы 17, 27 и 18, второй через рсзистор 8, диод 26, транзисторы 17, 27 и 18.

За счет протекания этих токов потенциал на базе транзистора 25 выше потенциала на базе транзистора 4.

Путем подбора параметров диода 26 и диода Шоттки 24 эта разность выбирается достаточной для того, чтобы ток источника 23 тока полностью переключился в транзистор 25 и создал падение напряжения

1309301

Формула изобретеная

Уяя. 2

Составитель A. Кабанов

Редактор Л. Лангазо Техред И. Верес Корректор Л. Пилипенко

Заказ 1449/55 Тираж 902 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета CCCP по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 на резисторе 9. На шине 13 устанавливается выходное напряжение низкого уровня, а на шине 12 — выходное напряжение высокого уровня.

Диоды Шоттки 22 и 21 являются антизвонными. Резистор 10 служит для смещения транзисторов 27 и 18, выполняемых в диодном включении КБ — Э. Источники 14 и 15 тока служат для смещения переходов база — эмиттер транзисторов 5 и 17 соответственно, а также для перезаряда емкостей нагрузок.

Схема согласования уровней ТТЛ-ЭСЛ, содержащая первую входную шину, соединенную с катодом первого диода, анод которого соединен с первым выводом первого резистора и базой первого транзистора, коллектор которого соединен с базой второго транзистора и через второй резистор — с вторым выводом первого резистора, с шиной питания, первыми выводами третьего, четвертого резисторов и с коллекторами второго и третьего транзисторов, эмиттеры которых соединены соответственно с первой и второй выходными шинами и с первыми выводами первого и второго источников тока, вторые выводы четвертого и пятого резисторов соединены соответственно с коллектором и базой четвертого транзистора, эмиттер которого соединен с эмиттером первого транзистора, база четвертого транзистора соединена с базой и коллектором пятого транзистора, база и коллектор шестого транзистора соединены вместе, а эмиттер соединен с общей шиной и с вторыми выводами первого и второго источников тока, вторая входная шина соединена с катодом первого диода Шоттки, анод которого соединен с анодом второго диода

Шоттки и с общей шиной, первая входная шина соединена с катодом второго диода Шоттки, первый вывод третьего источника тока соединен с общей шиной, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности, в нее введены третий диод Шоттки, седьмой, восьмой и девятый транзисторы и второй диод, катод которого соединен с второй входной шиной, а анод— с вторым выводом третьего резистора, с базой седьмого транзистора и с базой и коллектором восьмого транзистора, эмиттер ко20 торого соединен с базой четвертого транзистора и с катодом третьего диода Шоттки, анод которого соединен с базой первого транзистора, коллектор седьмого транзистора соединен с базой третьего транзистора и с вторым выводом четвертого резистора, а эмиттер — с вторым выводом третьего источника тока и с эмиттером первого транзистора, эмиттер пятого транзистора соединен с коллектором и базой девятого транзистора, эмиттер которого соединен с коллекторами шестого транзистора.