Устройство для измерения времени распространения включенного состояния по площади выпрямительного элемента тиристора

 

Устройство для измерения времени распространения включенного состояния по площади выпрямительного элемента тиристора, содержащее источник импульсов тока, параллельно которому включена последовательная цепь, состоящая из клемм для подключения анода и катода испытуемого тиристора и резистора, точка соединения первого вывода резистора и клеммы для подключения анода испытуемого тиристора подключена к общей шине, блок управления, один выход которого соединен с клеммой для подключения управляющего электрода испытуемого тиристора, и измерительный блок, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и быстродействия измерения, оно снабжено триггером, вычитателем, компаратором максимальных величин, усилителем-ограничителем, формирователем укороченных импульсов и пиковым детектором, при этом блок управления снабжен вторым выходом, измерительный блок выполнен в виде измерителя временных интервалов, при этом выход пикового детектора соединен с первым входом вычитателя, управляющий вход пикового детектора - со вторым выходом блока управления, аналоговый вход пикового детектора и второй вход вычитателя подключены к клемме для подключения анода испытуемого тиристора, первый вывод резистора через последовательно соединенные усилитель-ограничитель и формирователь укороченных импульсов соединен с первым входом триггера, второй вход которого через компаратор максимальных величин соединен с выходом вычитателя, а выход триггера - с входом измерителя временных интервалов.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении и контроле лавинно-пролетных диодов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для контроля тепловой устойчивости транзисторов в импульсных режимах

Изобретение относится к метрологии полупроводниковых приборов,, в частности к способам определения параметров МДП-транзисторов

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к контролю полупроводниковых приборов

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх