Устройство для измерения параметров силовых полупроводниковых приборов

 

Устройство для измерения параметров силовых полупроводниковых приборов, содержащее трансформатор, блок пуска, один из выходов которого соединен с управляющим электродом коммутирующего тиристора, компаратор, выход которого соединен с управляющим электродом формирующего тиристора, катод которого соединен с общей шиной, клемма для подключения анода испытуемого прибора подключена к одному из выводов делителя напряжения, второй вывод которого подключен к общей шине и через шунт - к клемме для подключения катода испытуемого прибора, первый вывод вторичной обмотки трансформатора через ограничитель тока подключен к второму выводу делителя напряжения, второй вывод вторичной обмотки трансформатора соединен с первым выводом делителя напряжения, источник опорного напряжения, выход которого соединен с одним из входов компаратора, измерительный блок, блок пуска, источник опорного напряжения, компаратор и измерительный блок соединены с общей шиной, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено коммутатором, зарядным блоком, накопительным конденсатором и последовательно соединенными дросселем и конденсатором, а ограничитель тока выполнен в виде порогового элемента, при этом один вывод дросселя подключен к катоду коммутирующего тиристора и к первому выходу блока пуска, а другой вывод дросселя соединен с первым выводом первичной обмотки трансформатора, с анодом формирующего тиристора и с первым выводом конденсатора, второй вывод первичной обмотки трансформатора подключен к катоду формирующего тиристора и к первому выходу зарядного блока, вход которого подключен к второму выходу блока пуска, второй выход зарядного блока соединен с анодом коммутирующего тиристора и с одним из выводов накопительного конденсатора, второй вывод которого подключен к первому выходу зарядного блока и к второму выводу конденсатора, первый выход коммутатора подключен к второму входу компаратора, второй выход коммутатора подключен к входу измерительного блока, первый вход коммутатора подключен к средней точке делителя напряжения, второй вход коммутатора подключен к клемме для подключения катода испытуемого прибора.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам измерения температуры тиристоров, используемым при производстве и эксплуатации мощных тиристоров

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых структур при их изготовлении, а также в процессе изготовления нолупроводниковых приборов на их основе

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения электронных характеристик границ раздела полупроводник-диэлектрик, определения подвижности носителей заряда в инверсионных каналах, для контроля качества изготовления полупроводниковых приборов на основе структур металлдиэлектрик-полупроводник

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для контроля рекомбинационных параметров стандартных полупроводниковых пластин - скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни неосновных носителей заряда

Изобретение относится к радиоизмерениям

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх