Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры

Авторы патента:

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры, содержащий никель сульфаминовокислый, натрий гипофосфат и воду, отличающийся тем, что, с целью уменьшения переходного сопротивления контакта к кремнию р-типа проводимости с поверхностной концентрацией основных носителей ниже 5 10¹⁸ см^-2 при сохранении стабильной скорости осаждения, он дополнительно содержит гидразинсодержащую соль при следующем соотношении ингредиентов, г/л: Никель сульфаминовокислый - 30 - 70 Натрий гипофосфит - 5 - 35 Гидразинсодержащая соль - 0,4 - 1,45 Вода - Остальное

Способ никелирования мезаструктур, защищенных свинцово- силикатными стекловидными пленками // 1340484

Способ изготовления полупроводниковых приборов с барьером шоттки на фосфиде индия // 1335056

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии полупроводниковых приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 1335055

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем // 1331364

Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям a3b5 p-типа // 1321313

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано для изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам, изготовленным на основе соединений A3B5 p-типа

Способ изготовления полупроводниковых структур // 1294213

Изобретение относится к технологии полупроводникового производства и может быть использовано при изготовлении металлизации интегральных схем

Способ формирования омических контактов к кремнию // 1292628

Способ изготовления моп-интегральных схем // 1292627

Способ изготовления мдп интегральных схем // 1268001

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2131631

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2152108

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Омическая контактная структура полупроводникового прибора и способ ее изготовления // 2155417

Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров // 2194334

Способ напыления рельефных подложек // 2229182

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных гидрогенизированных полупроводниках // 2229755

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др