Способ изготовления фотопреобразователей

 

Способ изготовления фотопреобразователей, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой кремниевой подложки твердого источника легирующей примеси, диффузию и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фотопреобразователей за счет улучшения адгезии контактов к подложке и уменьшения глубины залегания горизонтального p-n-перехода и упрощения технологии изготовления за счет совмещения процессов диффузии и формирования контактов в едином термоцикле, в качестве твердого источника легирующей примеси используют слой фосфоросиликатного стекла с содержанием в нем фосфора от 5 до 45% или боросиликатного стекла с содержанием бора от 10 до 50%, формирование контактов осуществляют путем вскрытия окон в слое фосфоросиликатного или боросиликатного стекла, приведения в контакт при температуре диффузии от 1173 до 1323 К в течение времени от 5 до 10 с с жидким оловом, насыщенным от 10 до 50% по массе донорным или акцепторным элементом, и последующего охлаждения при скорости охлаждения, не превышающей 10 К/мин.