Способ получения фотопроводящих слоев для визуализатора излучения

 

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано при изготовлении преобразователей изображения типа фотопроводник - регистрирующая среда. Цель изобретения - повышение срока службы визуализатора. Способ включает двухстадийное вакуумное напыление шихты на основе селенида кадмия. Первую стадию проводят в квазизамкнутом объеме из шихты определенного состава в течение 1,5 - 2 ч, вторую стадию - методом магнетронного ступенчатого распыления шихты заданного состава при температуре подложки 60 - 80°С в течение 45 - 75 мин. На первой стадии напыляемая шихта содержит, мас. % : селенид кадмия 70 - 80, теллурид кадмия 12 - 26 и хлорид кадмия 4 - 8. На второй стадии напыляемая шихта содержит, мас.%: сульфид кадмия 95 - 97 и сернокислая медь 3 - 5. Способ позволяет получить фотопроводящие слои с кратностью изменения сопротивления ≈2·10⁸ и пробивным напряжением 2·10⁵ В/см. 2 табл.

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано при изготовлении преобразователей изображения типа фотопроводник регистрирующая среда. Цель изобретения повышение срока службы визуализатора излучения. Способ осуществляют следующим образом. На диэлектрическую подложку термическим испарением в вакууме на первой стадии в квазизамкнутом объеме при температуре испарителя 680-700^оС и температуре подложки 300-350^оС в течение 1,5-2 ч наносят фоторезистивный слой из шихты селенида кадмия с активатором и затем на второй стадии методом магнетронного ступенчатого распыления при температуре подложки 60-80^оС в течение 45-60 мин наносят слой из шихты сульфида свинца с активатором. Зависимость свойств полученных пленочных фоторезисторов от температур испарителя подложки и времени напыления приведены в табл.1. Из табл. 1 следует, что оптимальным режимом для получения пленок по предложенному способу является для первой стадии напыления температура испарителя 690^оС, температура подложки 325^оС и время напыления 100 мин, а для второй стадии температура подложки 70^оС и время напыления 60 мин. На первой стадии нанесения фоторезистивного слоя используют шихту следующего состава, мас. Селенид кадмия 70 80 75 60 90 Теллурид кадмия 26 12 19 31 8 Хлорид кадмия 4 8 6 9 2 на второй стадии используют шихту следующего состава, мас. Сульфид свинца 95 97 96 98 90 Сульфат меди 5 3 4 2 10 В табл.2 приведены данные о влиянии состава и многослойности на кратность изменения сопротивления, получаемой пленочной структуры. Из нее следует, что предлагаемый способ, включающий двухстадийное вакуумное напыление, позволяет получить пленочные фоторезисторы с высокой кратностью изменения сопротивления и оптимальным является состав шихты для первого слоя, мас. CdSe 75, CdTe 19, CdCl₂ 6, состав шихты для второго слоя мас. PbS 96, CuSO₄ 4. Предлагаемый способ позволяет получить фотопроводящие слои с более высокой фоточувствительностью 2^.10⁸ и пробивным напряжением 2^.10⁵ В/см.

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОПРОВОДЯЩИХ СЛОЕВ ДЛЯ ВИЗУАЛИЗАТОРА ИЗЛУЧЕНИЯ, включающий двухстадийное вакуумное напыление шихты, причем на первой стадии напыляют шихту на основе селенида кадмия в квазизамкнутом объеме при температуре испарителя 680 700^oС и температуре подложки 300 - 350^oС, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы визуализатора на первой стадии наносят шихту, которая дополнительно содержит хлорид кадмия при следующем соотношении компонентов, мас. CdSe 70 80 CdTe 12 26 CdCl₂ 4 8 в течение 1,5 2 ч, а на второй стадии напыляют путем магнетронного ступенчатого распыления шихту, которая содержит сульфид свинца и сернокислую медь при следующем соотношении компонентов, мас. CdS 95 97 C и SO₄ 3 5 при температуре подложки 60 80^oС в течение 45 75 мин.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2