Накопитель информации на магнитных вихрях

Авторы патента:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (МВ). Целью изобретения является повьшение плотности записи информации в накопителе. Накопитель информации на МБ содержит диэлектрическую подложку 1 с выступами 2 на поверхности и торцах подложк и, дополнительную сверхпроводящу1Й пленку 3, отделенную изолирующим слоем 4 от токовых шин 5, которые в свою очередь, изолированы слоем 6 от сверхпроводящей пленки 7, на другой стороне которой сформированы каналы продвижения MB в виде канавок 8, расположенных . перпендикулярно токовым шинами 5. Дополнительная сверхпроводящая пленка 3 гальванически связана со сверхпроводящей пленкой 7 на торцах подложки . Выступы 2 в подложке 1 и канавки 8 в пленке 7 образуют понижения толщины пленки, которые служат отрезками каналов продвижения MB 9. На торцах устройства выступы 2 совмещены с концом предыдущей и началом последующей канавок 8 образуя общий винтовой канал со входом и выходом на свободных сторонах устройства . Совмещение выступов 2 с канавками 8 через несколько периодов способствует образованию винтовых параллельных каналов продвижения, например двух параллельных винтовых канала, как это показано на фмг« 4. Токовые шины 5 размещены поперек витков винтовых каналов и образуют вместе со слоями 4 и 6 местные понижения толщины пленок 3 и 7, которые в-канале продвижения служат-точками фиксации MB. 1 з.п, ф-лы, 4 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (19) (И1 (51) 5 G 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOIVIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (46) 07, 09. 90. Бюл. У 33 (2 1) 4063743/24-24 (22) 25,03.86 (71) Донецкий физико-технический институт АН УССР (72) А.И.Гришин и В.В.Пермяков (53) 681 ° 327.66(088,8) (56) Электронная промышленность, 1983, Р 8, с. 20-25.

Авторское свидетельство СССР

У 1290929, кл. С 11 С 11/14, 1985. (54) НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРИАЦИИ НА МАГНИТНЫХ ВИХРЯХ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (МВ). Целью изобретения является.повьппение плотности записи информации в накопителе. Накопитель информации на ИВ содержит диэлектрическую подложку 1 с выступами 2 на поверхности и. торцах подложки, дополнительную сверхпроводящуЫ пленку 3, отделенную изолирующим слоем 4 от токовых шин

5, которые, в свою очередь, изолированы слоем 6 от сверхпроводящей

° пленки 7, на другой стороне которой сформированы каналы продвижения МВ в виде канавок 8, расположенных перпендикулярно токовым шинами 5. Дополнительная сверхпроводящая пленка

3 гальванически связана со сверхпроводящей пленкой 7 на торцах подлож" ки. Выступы 2 в подложке 1 и канавки

8 в пленке 7 образуют понижения толщины пленки, которые служат отрезками каналов продвижения ИВ 9.

На торцах устройства выступы 2 совмещены с концом предыдущей и началом последующей канавок 8, образуя общий винтовой канал со входом и выхо дом на свободных сторонах устройства. Совмещение выступов 2 с канавками 8 через несколько периодов способствует образованию винтовых параллельных каналов продвижения например двух параллельных винтовых канала, как это показано на фиг 4, Токовые шины 5 размещены поперек вит» ков винтовых каналов и образуют вмес» те со слоями 4 и 6 местные понижения толщины пленок 3 и 7,,которые в -канале продвижения служат. точками фик:сации MB. 1 s.ï. ф-лы, 4 нл.

1414182

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано .при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (МВ).

Пелью изобретения является повышение плотности записи информации в накопителе.

На фиг. 1 показан накопитель, разрез вдоль канала продвижения, на фиг. 2 вЂ” то же, разрез участка накопителя поперек канала продвижения вдоль одной из токовых шин на фиг. 3 вЂ” то же, вид в плане с винтовым каналом (токовые шины не показаны, генератор МВ и детектор NB обозначены функционально), на фиг.4накопитель с двумя параллельными ка-! калами продвижения, вид в плане.

Накопитель информации на МВ содер- 2О

1 жит диэлектрическую подложку 1 с выступами 2 иа поверхности и торцах, дополнительную сверхпроводящую пленку 3, отделенную изолирующим слоем 4 от токовых шин 5, которые, в свою 25 очередь, изолированы слоем б от сверхпроводящей пленки 7, на другой сто" роне которой сформированы каналы продвижения NB в виде канавок 8, расположенных перпендикулярно токовым 30 шинам 5. Дополнительная сверхпроводящан пленка 3 гальванически связана

", верхпроводящей пленкой 7 на торподложки,- Выступы 2 в подложке и канавки 8 в пленке 7 образуют

,::;:;ê .ения толщины пленки, которые ...лужат отрезками каналов продвижения .>8 9. На торцах накопителя выступы сов:1ещены с концом предыдущей и каналом следующей канавок 8 и абра- 4О

:"-:у т общий винтовок канал со входом .-,ьходом на свободных сторонах накопителя. Поскольку выступы 2 совме-:,;:ны канавками 8 через несколько

r;åðèoäîâ, образуются параллельные в нтовые каналы продвижения, напри :ер два параллельных винтовых кана::а, как это показано на фиг. 4. Токовые шины 5 размещены поперек витков винтовых каналов и образуют вместе со слоями 4 и 6 местные понижения толщины пленок 3 и 7, которые в канале продвижейия служат точками фиксации ИВ.

Предложенный накопитель работает следующим образом. !

В канале процвижения МВ, образованном выступами 2 в подложке 1 и канавками 8 в пленке 7, в местах фик1 сации, образованных электроиэолированными шинами 5, размещены МВ 9, 0ни занимают часть точек фиксации, определяя своей последовательностью записи информации в двоичном коде,, например наличие МВ вЂ” единица", . отсутствие МВ в точке закрепления

"ноль". В пленках 3 и 7 МВ находятся в положении с противоположной поляр» ностью и с одинаковой полярностью по отношению к системе токовых шин, При подаче в токовые шины 5 импульсов тока МВ продвигаются в участках канала пленки 7 в одну сторону, а в пленке 3 вЂ” в противоположную. На торце накопителя. каждый NB огибает крайнюю шину, меняя полярность, и начинает двигаться по следующему отрезку витка в обратном направлении.

Таким образом, все МВ движутся последовательно по виткам винтового канала, сохраняя последовательность записи информации.

Такая же система токовых шин синхронно продвигает информацию в параллельных винтовых каналах продвиже- ния °

Пропускание дополнительного постоянного тока по пленкам 3 и 7 вдоль токовых шин 5 способствует образова-. нию дополнительной силы Лоренца вдоль витков винтового канала в направлении продвижения МВ, облегчая работу токовых шин 5.

Диаметр МВ порядка О, 1 мкм, толщина пленок и ширина канала порядка 1 мкм, глубина канавок и высота выступов 20-50 толщины пленки.

Формула изобретения

t, Накопитель информации на магвЂ” нитных вихрях, содержащий дизлектрическую подложку и сверхпроводящую пленку, иа одной стороне которой расположены изолированные от нее токовые шины, а на другой стороне сформированы кайалы продвижения магнитных вихрей в виде канавок, расположенных перпендикулярно токовым шинам, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности записи информации в накопителе, он содержит дополнительную сверхпроводящую пленку, расположенную между подложкок и токовыми шинами и изолированную от них, причем дополнительная сверхпроводящая пленка гальвани1414182

1 чески связана со сверхпроводящей пленкой на торцах подлокки, ка по: верхности и торцах подлокки выполнены выступы размерами, соответсув лощими размерам канавок сверхпроводя5 щей пленки, и совмещенные с ними.

2. Накопитель по и. f, о т л и и а ю шийся тем,. что выступы на торцах подложки совмещены с канавками сверхпроводящей пленки, располокенныии через соответствующее число периодов следования канавок.

1414182

Тираж 487

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Проиаводственно-полиграфическое предприятие, г. ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор Т.Орловская

Закаа 3319

Составитель В.Гордонова

Техред П.,Сердюкова Корректор В.Вутяга

»» В ° ВЮ»»»»

Накопитель информации на магнитных вихрях

Способ изготовления источника магнитного поля смещения в запоминающем модуле на цилиндрических магнитных доменах // 1410099

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Носитель информации и способ его изготовления // 1401517

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании носителей информации на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Устройство для продвижения цилиндрических магнитных доменов // 1399815

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Формирователь тока для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах // 1397969

Изобретение относится к вьтислительной технике и может быть использовано для управления переключателемрепликатором в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Накопитель информации // 1392593

Изобретение относится к вычисли тельной технике и может быть использовано для построения запоминающих устройств

Блок возбуждения для доменной памяти // 1388946

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих, устройств на цилиндрических магнитных доменах

Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах // 1382844

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминаю1чим устройствам на цилиндрических магнитных доменах со средствами коррекции ошибочной информации

Устройство для контроля магнитных интегральных схем памяти // 1381595

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в системах автоматизированного контроля магнитных интегральных микросхем памяти на цилиндрических магнитных доменах (ПМД) с параллельно-последовательной организацией

Магнитный носитель информации и способ его изготовления // 1378672

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)