Способ получения кристаллов дийодида ртути-hgj2

Авторы патента:

C30B23 - Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала

Способ получения кристаллов дийодида ртути - HgJ₂, включающий статическую сублимацию дийодида ртути из его источника в зону осаждения в вакууме при температурном перепаде по длинам ампулы, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и повышения их качества, исходный дийодид ртути берут в количестве 0,55-0,75 г/см³ объема ампулы, дополнительно вводят свободный йод в количестве 0,01-0,03 мас.% от веса HgJ₂, а процесс ведут при температурном градиенте в зоне осаждения 8-12 град/см и давлении (5-10) 10^-3 Торр.

Способ получения сцинтилляционного материала на основе щелочногалоидных монокристаллов // 1039253

Способ получения кристаллов фторидов щелочноземельных металлов // 1037690

Способ получения щелочногалоидных монокристаллов // 1029649

Способ очистки дийодида ртути // 1028006

Способ обработки щелочногалоидных монокристаллов // 949984

Способ получения плоских сцинтилляционных изделий // 713016

Способ получения монокристаллов сцинтилляционных материалов // 415916

Способ получения монокристаллов с малой величиной остаточных напряжений // 403226

Способ получения монокристаллов соединений // 342661

Способ получения составной пленки и устройство для его осуществления // 1085510

Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4h // 913762

Способ выращивания монокристаллического sic // 882247

Изобретение относится к области получения монокристаллического материала, а именно SiC, кристаллизацией из паровой фазы с конденсированием кристаллизующегося вещества и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов на основе карбида кремния