Способ получения монокристаллов на основе хризоберилла
1. Способ получения монокристаллов на основе хризоберилла, включающий расплавление при нагреве исходной шихты, введение в расплав ориентированной затравки и рост кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов 
-модификации, после расплавления нагрев продолжают до 1950 - 1960oC, затем проводят охлаждение и рост осуществляют при температуре расплава 1840 - 1847oC.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что охлаждение ведут до 1875 - 1880oC, после чего в расплав вводят затравку, нагретую до 1670 - 1770oC.
Похожие патенты:
Изобретение относится к элект- ipoHHoft технике, производству специальных материалов для изготовления диэлектрических подложек
Способ обработки монокристаллов корунда // 1111515
Устройство для полунепрерывной // 231821
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)
Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния по методу Чохральского, в частности к устройствам для повторной загрузки материала в тигель, и может быть использовано на установках выращивания монокристаллов кремния, оборудованных шлюзовым устройством для обеспечения полунепрерывного выращивания монокристаллов
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано для создания устройств для выращивания монокристаллов сапфира
Способ получения монокристалла вольфрамата // 2241081
Устройство для непрерывного группового выращивания ориентированных слоев кремния на углеродной ткани // 2258772
Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей)
