Силовой полупроводниковый прибор

 

Силовой полупроводниковый прибор, состоящий из полупроводниковой структуры с двумя основными поверхностями, включающей множество секций, каждая из которых образована множеством электрически соединенных между собой сегментов, содержащих каждый область первого типа проводимости, окруженную областью второго типа проводимости, причем обе области сегмента выходят с точностью до рельефа на первую основную поверхность, и электродов, один из которых прилегает к второй основной поверхности, а остальные служат для создания электрического контакта с областями, выходящими на первую основную поверхность, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности электрических характеристик, каждая секция снабжена двумя изолированными одна от другой контактными площадками, расположенными за пределами участков полупроводниковой структуры, на которых размещены сегменты, причем в пределах одной секции одноименные области сегментов соединены общим проводящим слоем, выходящим на соответствующую контактную площадку данной секции, причем электрически секции соединены между собой электродами, прилегающими к их контактным площадкам, а количество секций М в полупроводниковой структуре определяют из выражения М = e N₀/n, где е - основание натурального логарифма; N₀ - минимальное допустимое число работоспособных сегментов в приборе; n - число сегментов в секции n = 100%/(100% - P_r), где P_r - процент выхода горных сегментов.