Способ формирования изображения на подложке с фоторезистором

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (51)5 С 03 F-7!26

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫВ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н AB TOPCNOMV ЕВИДИтВЪСтви (46) 15.04.91 Бюл. 9 14 (2 I ) 3724583/21 (22) 10.04.84 (72) Ю.Б.11ветков, И.Н.Рубцов, В .А.Курмачев, А.Н.Кизилов и В.П.Мартыненко (53) 621.382.002(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

В 577506, кл. С 06 F 7/26,.1977.

Авторское свидетельство СССР

Р 965244, кл. С 03 F 7/26, 1980 (прототип). (54)(57) I.СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ HA ПОДЙОЖКЕ С ФОТОРЕЗИСТОИ, включающий совмещение и прижим прявюугольного фотошаблона к подпояске, коррекцию искажений- рисунк4 фотошаблона путем его совместного изгиба с подлоккой и экспонирование фото„„Я0„„46764 А 1 резиста через фотошаблон, о т л и чающий ся тем, что, сцелью

1 расширения технологических воэмошностей способа за счет улучшения совмещаемости фотошаблона, совместный изгиб осуществляют относительно оси, совпадающей с одной иэ диагоналей фотошаблона.

2. Способ по п.I о т л и ч а юшийся тем, что изгибающие нагрузки при совместнои изгибе прикладывают в одном направлении,.

3. Способ по н.2, о т л и ч а юшийся теи, что изгибающие нагрузки при совместном изгибе прикладывают s противоположных направлениях.

1246764

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано на операциях фотолитографии при изготовления полупроводниковых приборов и интеГральных микросхем.

Целью изобретения является расширение технологических возможностей способа эа счет улучшения совмещаемости фотошаблона.

На фиг.l, 2 показаны возможные искажения рисунка фотошаблона; на фиг.З, 4 - исходное состояние пр»»иоугольного фотошаблона и подложки пе.ред совместным изгибом; на фиг.5, 6варианты совместного изгиба фотошаблона и подложки1 на фиг.7, 8иэображение на подложке рисунка фотошабдона после проведенной коррекции, Рисунок 1 фотошаблона 2 может иметь нарушения ортогональности ко- ординатной системы (фиг.l) (M - угол неортогональности) или ее искажения типа "трапеция" (фиг.2) { P - угол между высотой и стороной трапеции)..

Искажения первого вида могут появляться иэ-за неортогональности пере-. мещений кареток кобрдинатиого стола фотоповторителя при мультиплицированни изобрайения, искажения второго вида - это температуриме деформации, фотошаблоиа 2 илн дифракционных ре-, шеток датчиков перемещений стола фотоповторителя., Величины углов и3 8 р, характеризующие соответственно неортогональкость и трапециевидность рисунка I, могут составлять +(1,3...1,7) 10, рад, что на расстоянии ЗО мм от центра фотошаблона 2 вызывает смещения эле.ментов относительно номинального положения +(0,4 ° ..0 6) мкм..

Hp и и е р. После выявления искажений с помощью компаратора прямоугольный фотошаблон 2 прижимают к подложке 3, (фнг.З, 4) и совместно иэгибают до положения коррекции при

2S

36

3$

46 эа»реплении двух углов,.расположенных на одной иэ. диагоналей прямо" угольных пластин (фнг.5, 6), а затем проводят экспонирование фотореэиста актииичным излучением. Прн совместном изгибе пластин их контактирующие слои деформируются, что приводит к смещениям элементов рисунка 1 фотошаблона 21 „ 3» и l 41. вдоль координатHb!x направлепнй X и f пропорциональным расстояниям -„ и 1.„ от этих элементов до диагонали, относи" тельно которой изгибают прямоугольные пластины. Возникающие смещения пропорциональны также расстояниям от измеряемых элементов до этой диагонали в направлении, ортогональном смещениям, т„е. Р„ „ " ",, t » tv М» и Р „l„„== P L„, P „l, » - Р1» °

Величина прогиба угловых участков пластин (2-6 мкм) при коррекции искажений рассчитывается, исходя иэ величины компенсируемых погрешностей

wax х р к вызываемых этими искажениями, с учетом условий закрепления фотошаблона 2 и подложки

3 и их тодщин илн подбирается экспериментально пробнымн фотолитографиями °

При коррекции неортогональности рисунка 1 фотошаблона 2 деформирующую нагрузку прикладывают к участкам прямоугольной подложки 3, расположенным по обе стороны от диагонали, соединяющей углы их закрепления, в одном направлении (фиг.5), при коррекции трапециевидности - в противоположных направлениях (фиг.6). В ре» зультате иэображения фотошаблона 2 воспроизводятся на подложках 3 без искажений (фиг.7, 8).

Прн необходимости, например, в случае существенного различия величин 1 илн для деформируемых участков фотошаблона 2 к его угловым участкам при коррекции прикладывают неодинаковые нагрузки.

1246764!

246764

Составитель А.Хохлов

Техред О.Гортвай Корректор А.Ференц.Редактор Л.Утехина

° Фа @ а

Заказ ) 892 Тираж 294 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

l13035, Иосква, Ж-35, Раущская наб., д. 4/5 а ЮВ

Производственно-полиграфическое предприятие,г.ужгород,ул.Проектная,4

Способ формирования изображения на подложке с фоторезистором Способ формирования изображения на подложке с фоторезистором Способ формирования изображения на подложке с фоторезистором Способ формирования изображения на подложке с фоторезистором 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике газофазной химической модификации приповерхностного слоя полимерных пленок, в частности фоторезистных, и может быть использовано на операциях контроля фотолитографических процессов, а также любых других пленок, прозрачных в видимой области спектра на отражающих подложках

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике технологических процессов производства изделий микроэлектроники, в частности к контролю фотолитографических процессов с использованием газофазной химической модификации приповерхностного слоя пленок фоторезистов
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций
Изобретение относится к способам допроявления фоторезистов и может быть использовано в области микроэлектроники интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки, резонаторы)

Изобретение относится к способу освещения, по меньшей мере, одной среды для быстрого прототипирования (СБП), в котором указанное освещение осуществляют, по меньшей мере, двумя одновременно индивидуально модулируемыми световыми пучками (ИМСП), проецируемыми на указанную среду для быстрого прототипирования (СБП), и в котором указанную среду для быстрого прототипирования освещают световыми пучками (ИМСП), имеющими, по меньшей мере, два различных содержания длин волн (СДВ1, СДВ2)
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к микроэлектронике интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки и резонаторы), которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах

Изобретение относится к микролитографии как одной из важнейших стадий технологии микроэлектроники и предназначено для формирования резистных масок
Наверх