Способ получения изображения

 

СОЮЗ СОЕЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕа1УБЛИН (51) 5 G 03 Р 7/26

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИИ И ОТНРЫТИЙ (46) 07„04.92. Бюл. Р 13 (21) 4048580/? 1 (22) 03,04,86 (71) Физико-технический институт им.A.Ô,Èoôôå (72) А.В.Колобов и В.М.Любин (53) 621.382.002(088.8) (56) Несеребряные фотографические процессы поп ред. A.Ï.Êàðòóæàíñêoãî.

Л., Химия, 1984, с. 221-222.

Патент ГДР Р 215878, кл. С 03 С 1/72, 1984, (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ (57) Изобретение относится к микро электронике и может быть испольэова1

„„SU„, 1428058 А 1 но при изготовлении объектов интегральной оптики и голографии. Цель изобретения - увеличение производительности. В качестве экспонируемого халькогенидного стеклообразного полупроводникового материала используется пленка As с шириной запрещенной эоны Ея = 2,4 эВ, Интенсивность облучения белого света составляет на поверхности экспонируемого слоя

150 мВт/см при пардиальном давлении

9. кислорода „ 103пд. Проявл,ние зображения осуществля тся путем испарения цинка или кадмнл. 1 табл.

1428058

Прн- Парциальное давлемер ние кислорода, Па

Минимальное время достижения предельного контраста,с

О, 2 ° 10 (воздух) б

0,55 10

450 — 500 — 500

1О (прототип) I

-500

ВНИИПИ Заказ 2307 Тираж Подпнс ное. Произв.-полигр. пр-тие, r Ужгород, ул. Проектна1?, Изобрете??пе относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении Объектов интегральной оптики и ГОлОГрафии»

Целью изобретения является увеличение производительности эа счет увеличения скорости осаждения кадмия или цинка при экспонировании халькогенидного стеклообразного полупроводника в кислородосодержащей атмосфере. При экспонировании при парциальном давлении кислорода менее lO Ïa фотастимулированиого изменения скорости осаждения не происходиг. 15

Пример. В качестве экспонируемого халькогенидиого стеклообразного полупроводникового материала использовалась пленка As S с ширииай за??рещен??ой зоны ЕГ 2,4 зВ. Облучение 20 провоцнлось стандартным проектором

"Свитязь", расстояние между проектором и экспонируемым слоем составляло

15 см, Интенсивность белого света составляла при этих условиях на по- 25 верМности экспонируемого слоя

150 мВт/см . Раэнь?е участки слоя экспонйровались в течение разного времени. Облучение проводилось на воздухе т.е. при содержании кислорода З0

21Х лри Р 1 атм, что соответствует парциальному давлению кислорода

0,2 10 Па.

Проявление изображения осуществля-. лось. путем испарения цинка в вакууме.

Для испарения использовалась вакуумная установка типа АВП-0,5. В качестве испарителя использовалась танталовая лодочка, изготовленная из фоль-"

Ги тОлщинОй 0 2 мм размер лОДОчки» »г

? длина 4 см, высота 0,5 см. Лодочка под?и ючалась к контактам, через которые на испаритель подается напряже ние. В лодочку. помещались испаряемь?е гранулы цинка Проэкспонированный слой помещался на стеклянном стакане яад испарителем на расстоянии

16 см от лодочки. После размещения слОя произвОдилась Откачка до давления остаточных газов 3, 99 10 П .?.Затем через- испаритель пропускался ток 12 А, обеспечивающий нанесение цинка на ??еэкс??О??иронл????ун? ??онеру,— ность As< S>ñî скоростью 80 1/С.Скорость нанесения слоя цинка ре?.нстрнровалась с помощью кварцевог0 нз??ер??теля толщины КИТ-1. Цинк напь?лялся на пленку As S> в течение времени

20 с, толщина слоя цинка на необлученных участках слоя состаВила Прн этом d 1600 3., Кроме того, облучение As S проводилось тем же светом, но в атмосферах c равным парциальным давлением кислорода. Полученные результаты приведены в таблице.. формула изобретения Способ получения изображения, вкгпочающий селективное экспонирование слоя халько?"енидного стеклообразного полупроводника электромагнитным излучением н проявление иэображения путем селективного осаждения цинка или кадмич на неэкспоннрованные участки слоя„ о т л и ч а ю щ и Й с я тем, что, с целью ??овышения производительности способа, экспонирование

Осуществляют в кнслородосодержащей атмосфере при парциальном давлении

Ь кислорода r-10 Па.