Патент ссср 155029

Авторы патента:


 

№ 155029

Класс G 06f; 42m, 1402

Н ОЗЕ; 21а1, 36в1

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа № 174

В. Я. Гуров, В. Г. Черкесов и В. М. Карасик

ТРИГГЕР НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|Х ТРИОДАХ

Заявлено 30 декабря 1961 г. за ¹ 757752/26-24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Б|оллетене изобретений и 1оварных знаков» т№ 11 за 1963 г.

Триггеры на полупроводниковых триодах, работающих в режиме насыщения с трансформаторным запуском через цепи баз обоих триодов, извес- ы.

Сущность изобретения заключается в том, что вторичные обмотки трансформаторов запуска подключают к общему сопротивлению импульсного смещения. Благодаря этому повышается надежность работы уст р ой ств а.

На чертеже изображена принципиальная схема предложенного устройства.

Триггер запускают подачей коротких импульсов напряжения на первичные обмотки У т u Wg трансформаторов запуска Тр1 и Тр.. С обмоток н7а и W< через диоды Ä, Р> поступает отрицательный импульс для отпирания одного из триодов Т, H;IH Т., а с обмоток W.-, 1Г» через диоды Да, Д положительный импульс для запирания другого триода.

Катушки индуктивности L) и L осуществляют высокочастотную коррекцию, уменьшающую время формирования фронта выходного сигнала. Диоды Д, и Д фиксируют потенциал — с на коллекторе триодов, устраняя начальный отрицательный выорос, вызванный индуктивностью в коллекторной цепи. Делители напряжения на сопротивлениях

R>, R, R; и R<, R.-, Яв создают необходимое смещение на базах триодов Т, и Т2. Сопротивления R-, и R; несут коллекторную нагрузку.

По разным цепям в одну точку (на базу триодов) подают мощные управляющие импульсы различной полярности. При этом для каждого импульса, подаваемого на базу триода, существует возможность утечки № 155029 тока по цепи, через которую подается импульс противоположной полярности. Элементы автоматического подпора (сопротивления Rg и Р„), общие для двух триодов, препятствуют утечке управляющих токов.

Однако полностью устранить утечку не удается. Токи утечки, протекая через обмотки Wg, 1Г, и W;„Wg в рабочем направлении, создают на обмотках соответственно отрицательные и положительные импульсы напряжения.

Положительный импульс на обмотках W.-, Wg никакого влияния на насыщенный триод не оказывает. При включении триодов с большим временем переключения на коллекторе запирающегося триода наблюдают помеху, вызванную действием отрицательного импульса напряжения. Для устранения указанного дефекта в схеме используют энергию магнитного поля рабочего трансформатора. С первичных обмоток

W, W> трансформаторов Тр,, Тр через диоды Д.-, Д6 и сопротивления

Я, Я: мощный положительный импульс напряжения подается на базу триода, запертого предшествующим импульсом, осуществляя тем самым слабое демпфирование трансформатора. Демпфирующая цепь состоит из элементов Д;,(Д ) — Р (14) — Д (Д ) — з(Р 4) Rg. Л» стабилизации отпирающего тока базы важно включение сопротивления Rg. Делители напряжения на сопротивлениях R>g, R» и создающие постоянные подпирающие потенциалы, препятствуют изменению статических потенциалов на базах триодов.

Предмет изобретения

Триггер на полупроводниковых триодах, работающих в режиме насыщения с трансформаторным запуском через цепи баз обоих триодов, отличающийся тем, что, с целью повышения его надежности, вторичные обмотки трансформаторов запуска подключены к общему сопротивлению импульсного смещения. № 155029

Составитель И. Засядников

Редактор Л. Герасимов Техред А. М. Токер Корректор T. В. Муллина

Подп. к пеи. 2/VII — 63 г. Формат бум. 70Х108 i6

Заказ 1756/9

П, ИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.

Типография, пр. Сапунова, 2.

Патент ссср 155029 Патент ссср 155029 Патент ссср 155029 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние
Наверх