Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке

 

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к монтажу полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке гибридной схемы. Цель изобретения - упрощение технологии и снижение трудоемкости. Монтируемые кристаллы предварительно закрепляют на диэлектрической подложке с контактными площадками и схемными соединениями, совмещая контактные площадки кристалла и подложки, после чего производят жесткое присоединение кристаллов пайкой при помощи термонагрева. Отличие заключается в том, что предварительное крепление кристаллов осуществляют постоянными магнитами, закрепленными на противоположной стороне диэлектрической подложки. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (19) (11) (51) 4 Н 0 1 L 2 1 / 60

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4280538/24-25 (22) 09.07.87 (46) 30.10.89. Бюл. № 40 (72) А,В. Данилов, А.И. Перелыгин и С,П. Пеков (53) 221.382 (088.8) (56) Заявка Японии № 55-42500, кл . Н Ol L 23/02, 1980.

Заявка Японии № 59-36419, кл. Н 01 L 21/60, 1984. (54) СПОСОБ МОНТАЖА ПОЛУПРОВОДНИКОBblX КРИСТАЛЛОВ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ

ПОДЛОЖКЕ (» ) Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к монтажу полупроводниковых кристаллов

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к монтажу полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке гибридной схемы, связанному с установкой и фиксацией в требуемом положении на подложке полупроводниковых кристаллов, и может быть испсльзовано при изготовлении гибридных интегральных схем, применяемых в приборостроении, аппаратуре связи и других областях, Целью изобретения является упрощение технологии и снижение трудоемкости, а также повью ение надежности и производительности.

На чертеже изображены подлокка с кристаллами и вакуумный присос для посадки кристаллов, Способ осуществляется следующим образом, 2 на диэлектрической подложке гибрид ной схемы. Цель изобретения — упрощение технологии и снижение трудоемкости. Монтируемые кристаллы предварительно закрепляют на диэлектрической подложке с контактными. площадками и схемными соединениями, совмещая контактные площадки кристалла и подложки, после чего производят жесткое присоединение кристаллов пайкой при помощи термонагрева ° Отличие заключается в том, что предВарительное крейление кристаллов осуществляют посто. янными магнитами, закрепленными на противоположной стороне диэлектрической подложки. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

На поверхность диэлектрической подложки 1 наносят схемные соединения, имеющие контактные площадки 2; предназначенные для присоединения полупроводниковых кристаллов. 3. Каж дый из полупроводниковых кристаллов

3 помещают в углубление ячейки 4, которую выполняют из материала с магнитными свойствами. Ячейку 4 устанавливают на столик 5 горизонтального и вертикального перемещения, а кристалл удерживают в ячейке, например, с помощью вакуума.

Перемещая столик 5 в верхнее положение, осуществляют совмещение контактных площадок кристалла с контактными площадками 2 на подложке, ячейку 4 с находящимся в ее углублении кристаллом 3 предварительно крепят на подложке I постоянным магнитным

)518834 полем, а потом отключают вакуум от столика 5 °

Постоянное магнитное поле формируют следующим образом.

На поверхность диэлектрической подложки 1 устанавливают постоянные магниты 6 таким образом, что плос,кость каждого последующего магнита, прилегающего к поверхности подложки ,1, имеет противоположный полюс по отношению к плоскости предыдущего магнита, причем постоянные магниты 6 разделяют друг от друга прокладками

7, которые, создают зазор между магии- 15 тами для установки кристаллов. Зазор между магнитами определяется габаритными размерами кристаллов.

Таким образом предварительно крепят на подложке 1 последовательно один за другим все кристаллы. Жесткое присоединение всех кристаллов на подложке осуществляют путем термонагрева, после чего постоянные магниты 6 убирают. Термонагрев осуществляют инфракрасным излучением со стороны постоянных магнитов 6.

В результате кратковременного

ИК-нагрева осуществляются плавление соединяемых контактных площадок кристаллов и контактов подложки и их припайка, Нагрев подложки с кристаллами благодаря кратковременному ИК-воздействию на подложку и перемещению подложки в зоне обработки исключает перегрев кристаллов.

Применение предлагаемого способа позволяет упростить процесс предварительного крепления кристаллов. При

40 этом появляется возможность осуществлять групповое присоединение всех кристаллов, что приводит к повьппению производительности, а использование однократного теплового воздействия на кристаллы при присоединении повыщает надежность. Кроме того способ позволяет производить совмещение каждого кристалла с диэлектрической подложкой вплоть до термонаг †. рева, что обеспечивается простотой их отсоединения. Для этого достаточно удалить постоянные магниты данного кристалла, после чего его можно заменить.или 1воэвратив магниты на место, произвести повторное совмещение.

Формул а и э о б р е т е н и я

1. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке, включающий нанесение на поверхность диэлектрической подложки схемных соединений и контактных площадок, предварительное крепление полупроводниковых кристаллов к контактным площадкам диэлектрической подложки, жесткое присоединение кристаллов пайкой при помощи термонагрева, отличающийся тем, что с целью упрощения технологии и снижения трудоемкости, перед предварительным креплением кристаллы помещают в ячейки иэ материала с магнитными свойствами, а предварительное крепление кристаллов к поверхности диэлектрической подложки осуществляют постоянными магнитами, закрепленными на противоположной стороне диэлектрической подложки.

2, Способ по п,1, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повьппения надежности и производительности, присоединение всех кристаллов осуществляют одновременно, а термонагрев ведут по всей поверхности диэлектрической подложки со стороны пластин иэ магнитного материала.

l5IR834 олуум

Составитель К. Канонида

Техред М.Ходанич

Корректор В. Кабаций

Редактор Л. Веселовская

Заказ 6608/54 Тираж 696 подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101