Способ изготовления элемента памяти, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости первого слоя двуокиси кремния с отверстиями, формирование первой и второй диффузионных областей второго типа проводимости, формирование второго слоя двуокиси кремния с отверстием, расположенного на поверхности полупроводниковой подложки, формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоя диэлектрика термообработкой поверхности полупроводниковой подложки в окисляющей среде и среде аммиака, нанесение слоя нитрида кремния на поверхность слоя диэлектрика, формирование отверстий во втором слое двуокиси кремния, формирование первой, второй и третьей проводящих областей, отличающийся тем, что, с целью повышения времени хранения информации в элементе памяти, термообработку в окисляющей среде проводят после термообработки в среде аммиака, причем термообработку в среде аммиака проводят при температуре 1200 - 1400oC в течение 1 - 40 мин.
Похожие патенты:
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах микропроцессорных систем
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к динамическим запоминающим устройствам, и может быть использовано в аппаратуре передачи данных и устройствах автоматики и вычислительной техники с синхронной произвольно-последовательной выборкой
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в блоках буферной памяти
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для выборочного замещения ячеек блока памяти ячейками запоминающего устройства с электрической перезаписью и без разрушения информации
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для использования в цифровых устройствах
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении больших интегральных схем постоянных полупроводниковых запоминающих устройств (ППЗУ)
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупроводниковых интегральных схемах электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройствах
Изобретение относится к вычислительной технике
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании интегральных полупроводниковых ППЗУ
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть применено в микросхемах памяти
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур
Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения
Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями
Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру
Изобретение относится к устройству полупроводниковой памяти
Изобретение относится к электронной технике
Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ
Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние
