Способ отбраковки дрейфовых транзисторов, включающий подачу напряжения питания, измерение тока в цепи коллектор - эмиттер и сравнение его с эталоном, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности отбраковки, напряжение питания подают высокочастотным и синусоидальным на фиксированной частоте при отключенном базовом выводе транзистора, затем амплитуду высокочастотного синусоидального напряжения питания линейно увеличивают от минимального значения до значения, при котором транзистор скачком открывается, уменьшают амплитуду высокочастотного синусоидального напряжения питания до значения, при котором происходит лавинообразное запирание транзистора, фиксируют амплитуды высокочастотного синусоидального напряжения питания и величины постоянных составляющих напряжения и тока в цепи эмиттера до и после лавинообразного запирания и сравнивают их с эталоном.
Похожие патенты:
Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для контроля транзисторов
Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения и может быть использовано для измерения коэффициентов усиления высоковольтных транзисторов
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и направлено на контроль качества сборки силового полупроводникового прибора и охладителя
Изобретение относится к энергетической фотометрии и предназначено для повышения точности измерения потока излучения полупроводниковых излучателей
Изобретение относится к технике электроизмерений
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано как для контроля монтажа изделий радиоэлектронной аппаратуры, так и для проверки отдельных радиоэлементов
Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров
Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)
Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов
Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
