Способ определения мощности поглощенной дозы ионизирующего излучения в мдп-структурах

 

Способ определения мощности поглощенной дозы ионизирующего излучения в МДП-структурах, включающий нанесение электродов к структуре, подачу на них напряжения смещения, облучение структуры ионизирующим излучением и вычисление мощности поглощенной дозы излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и оперативности способа, до облучения снимают C-V-характеристики с разными скоростями изменения напряжения, определяют скорость, при которой прямой и обратный ходы высокочастотных C-V-характеристик МДП-структуры совпадают на всем участке изменения емкости от максимального до минимального значений и обратно, измеряют C-V-характеристики с выбранной скоростью при облучении в прямом и обратном направлениях и по C-V-зависимости определяют величины параметров ΔV, C_макс, C_f, C_мин и t _q, вычисляют мощность поглощенной дозы по формуле

где q - заряд электрона;

ΔV - гистерезисное изменение напряжения прямого и обратного ходов C-V-характеристики;

С_макс - максимальная емкость структуры;

С_мин - минимальная емкость структуры;

C_f - равновесное значение емкости структуры в состоянии инверсии;

t_q - время образования инверсионного слоя;

ε_s - диэлектрическая проницаемость полупроводника;

ρ_S - плотность проводника;

E _i - энергия, необходимая для генерации одной электрон-дырочной пары в полупроводнике под действием ионизирующего излучения.