Устройство для определения степени компенсации примесей в полупроводниках

 

Устройство для определения степени компенсации примесей в полупроводниках, содержащее первый усилитель ЭДС Холла, входы которого подключены к холловским контактам первого полупроводникового образца, второй усилитель ЭДС Холла, выходы которого подключены к холловским контактам второго полупроводникового образца, и дифференциальный операционный усилитель, подключенный инвертирующим входом к выходу первого усилителя ЭДС Холла, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений путем уменьшения количества измеряемых параметров при методе сравнения, в него введены источник опорного напряжения, схема выборки-хранения, генератор синхроимпульсов и измеритель переменного напряжения, при этом вход измерителя переменного напряжения соединен с выходом второго усилителя ЭДС Холла, неинвертирующий вход дифференциального операционного усилителя соединен с выходом источника опорного напряжения, а выход - с входом схемы выборки-хранения, вход стробирования которой соединен с выходом генератора синхроимпульсов, а выход соединен с первым токовым контактом второго полупроводникового образца, соединенного своим вторым токовым контактом с первым токовым контактом первого полупроводникового образца, второй токовый контакт которого подключен к земляной шине.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения зависимости холловской подвижности носителей заряда проводящем канале от концентрации заполненных пограничных электронных состояний (ЭС), локализованных вблизи границы раздела полупроводник-диэлектрик

Изобретение относится к неразрушающим методам исследования физико химических свойств материалов, в частности полупроводников

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур

Изобретение относится к измерительной СВЧ-технике, а именно к устройствам для измерения распределения диэлектрической проницаемости в полупроводниковых материалах

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения параметров носителей заряда в полупроводниках

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх