Разностный элемент

 

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для формирования коротких импульсов высокого уровня по фронту нарастания и спада входного сигнала. Цель изобретения - повышение надежности в работе разностного элемента при больших длительностях фронтов входных импульсов. Разностный элемент содержит шесть диодов, три N-P-N-транзистора, P-N-P-транзистор и четыре резистора. Введение второго и третьего N-P-N-транзисторов обеспечивает достижение поставленной цели и работоспособность разностного элемента при сколь угодно большой длительности фронта входного импульса. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) (51) 5 Н 03 К 19/088

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ " -":":„::

Н ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Шотки 1 и 2, 3 и 4, 5 и 6, аноды диодов Лотки 2, 4 и 6 соединены с базой транзистора 7, коллектор которого соединен с базой транзистора 8, эмиттеры транзисторов 7 и 8 соединены с общей шиной, коллектор транзистора 8 соединен с базой транзистора 9, коллектор которого соединен с шиной питания, а эмиттер соединен с эмиттером транзистора 10, коллектор которого . является выходом устройства, а база через резистор 11 связана с анодами диодов 1, 3 и 5, резисторы 12 — 14 включены между шиной питания с соот.ветственно базами транзисторов 7-9.

Разностный элемент работает следующим образом.

В статическом режиме при низком уровне напряжения на одном из трех

1 (21) 4461279/24-21 (22) 15.07.88 . (46) 23.01.90. Бюл. К - 3 (71) Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д. Калмыкова (72) Х.С. Агодисян, С.П. Тяжкун, Ю.И. Рогозов и Т.А. Мазурова (53) 621.374(088.8) (56) Алексенко А.Г., Lагурин И.И.

Микросхемотехника. — И.: Радио и связь, 1982, с. 195, рис. 4.30. . Авторское свидетельство СССР

Ф 1345337, кл. Н 03 К 19/088,1986.

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для формирования коротких импульсов высокого уровня по фронту нарастания и спада входного сигнала.

Целью изобретения является повышение надежности работы разностного элемента при больших длительностях фронтов входных импульсов.

На чертеже приведена принципиальная схема разностного элемента.

Разностный элемент содержит первый, четвертый, второй, пятый, третий и шестой диоды Нотки 1-6, второй, первый и третий и-р-и-транзисторы 7 — 9, р-и-р-транзистор 10, первый 11, второй 12, третий 13 и четвертый 14 резисторы. Три входа устройства соединены с катодами соответственно диодов

2 (54) РАЗНОСТНЬЙ ЭЛЕИЕНТ (57) Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для формирования коротких импульсов высокого уровня по фронту нарастания и спада входного сигнала. Цель изобретения— повышение надежности в работе разностного элемента при больших длительностях фронтов входных импульсов. Разностный элемент содержит шесть диодов, три п-р-п-транзистора, р-и-р -транзистор и четыре резистора. Введение второго и третьего и-р-и-транзисторов обеспечивает достижение поставленной цели и работоспособность разностного элемента при сколь угодно большой длительности фронта входного импульса. 1 ил. напряжения ° Дальнейшее повышение до уровня, большего, чем U — 2У вЂ” Uö, приводит к запиранию транзистора 10, спаду выходного тока и формированию низкого уровня на выходе устройства.

РазностньпЪ элемент выдает короткие импульсы уровня логической единицы по фронтам входного сигнала, его работа не нарушается при неограниченном увеличении длительности фронтов входных сигналов,.

Формула изобретения

Разностный элемент, содержащий шесть диодов, первый п-р-п-транзистор, р-и-р-транзистор и четыре резистора, аноды первого, второго и третьего диодов через первый резистор соединены с базой р-и -р-транзистора, а като.ды подключены к вхоцам и соединены соответственно с катодами четвертого, пятого и шестого диодов, аноды которых соедиl. йены с .первым выводом второго резистора, база первого и-р-и-транзистора соединена с. первым выводом третьего резистора, первый вывод четвертого резистора. соединен с шиной питания, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы при больших длительностях фронтов входных импульсов, в него введены второй и третий .n-p-п-транзисторы, причем коллектор второго и-р-и-транзистора соединен с базой первого п-р-п-транзистора, база второго и-р-и- транзистора соединена с анодом четвертого диода,змиттеры первого и второго п-р-и-транзисторов соединены с общей шиной, вторые выводы второго и третьего резисторов соединены с шиной питания, коллектор первого и-р-и-транзистора соединен с вторым выводом четвертого резистора и базой третьего п-р-п-транзистора, коллектор которого соединен с шиной питания, а эмйттер соединен с эмиттером р-и-ртранзистора, коллектор которого подключен к выходу, при этом в качестве диодов использованы диоды Нотки.

3 1538247 входов транзистор 7 закрыт, транзис= тор 8 открыт, а транзистор 9 закрыт.

Эмиттер транзистора 10 в этом случае не подключен к шине питания, выходного5 тока нет, а на выходе устройства низкий уровень напряжения. Если на всех входах высокий уровень напряжения— .транзистор 7 открыт, транзистор 8 закрыт, а транзистор 9 открыт. Эмиттер транзистора 10 через открытый тран зистор 9 подключен к шине питания,но

,базовый ток транзистора 10 через резистор 11 не протекает и транзистор 10 закрыт. Выходного тока нет и на выхо- 15 де устройства вновь низкий уровень .напряжения.

При изменении уровня входного напряжения У „на одном (или больше) входе из высокого уровня к низкому при ста- 20 тическом высоком уровне на других вхо дах устройство работает следующим образом.

При снижении U „ до уровня(Б„

-20 — U ) где U„ - напряжение пи- 25 тания, 2 U о - суммарное пороговое напряжение переходов база — эмиттер транзисторов 9 и 10, U — пороговое напряжение диода Иотки, открывается транзистор 10 и на выходе устройства формируется высокий уровень напряжения. После падения U „ниже уровня ,(Б, — U ) транзистор 7 закрывается, открывается транзистор 8 и закрывается транзистор 9. Эмиттер транзистора

10 отключается от шины питания, прекращается протекание выходного тока и на выходе присутствует напряжение низкого уровня. Таким образом, осуществляется формирование короткого им- 40 пульса высокого уровня по фронту cnapà входного напряжения.

При возрастании напряжения U „ на одном из входов устройства (при высоком статическом уровне на остальных входах) до уровня (U „ — Бы) открывается транзистор 7, закрывается транзистор 8, открывается транзистор 9.

К эмиттеру открытого транзистора 10 подключается шина питания и на выходе устройства формируется высокий уровень

153Я247

Составитель А. Янов

Редактор И. Дербак Техред Л,Сердюкова Корректор И. Муска

Заказ 173 Тираж 646 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101