Разностный элемент

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах для выполнения логической функции И, И-НЕ и форм1|рования выходного импульса по фронту нарастания входного сигнала. ИзобретеfZ /7 кие расширяет функциональные возможности и обеспечивает повышение надежности работы разностного элемента путем устранения зависимости уровня выходного короткого импульса и ослабления зависимости длительности этого импульса от длительности фронта входного сигнала. Устройство содержит многоэмиттерный транзистор 1, транзисторы 2, 3 и 4 п-р-п-типа, резисторы 5-10, вход 11 устройства, шину 12 питания, выходы 13 и 14. Устройство дополнительно реализует две логические функции И и И-НЕ, а также формирует выходной короткий импульс при максимально допустимых длительностях JjpoHTa входного сигнала. 1 ил. с (С (Л со 4; СП СО со О5 75 ГЧ)

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИО ЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (SO 4 Н 03 К 19/088 е л f

1 !

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н A BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (61 ) 126271 8 (21) 4060609/24-21 (22) 28,04,86 (46) 15,.10,87. Бкл, ¹ 38 (71) Таганрогский радиотехнический институт им. В,Д .Калмыкова (72) С,П,Тяжкун и Ю.И,Рогозов (53) 621.374 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 1262718, кл, Н 03 К 19/088, 1985, (54) РАЗНОСТНЫЙ ЭЛЕМЕНТ (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах для выполнения логической функции И, И-НЕ и формирования выходного импульса по фронту нарастания входного сигнала. Изобрете18. SU 1345336 А 2 ние расширяет функциональные воэможности и обеспечивает повышение надежности.работы разностного элемента путем устранения зависимости уровня выходного короткого импульса и ослабления зависимости длительности этого импульса от длительности фронта входного сигнала. Устройство содержит многоэмиттерный транзистор 1, транзисторы 2, 3 и 4 tl-p-ll-типа, резисторы 5-10, вход 11 устройства, шину 12 питания, выходы 13 и 14. Устройство дополнительно реализует две логические функции И и И-НЕ, а также формирует выходной короткий импульс при максимально допустимых длительностях

1 ронта входного сигнала, 1 ил.

1 134

Изобретение относится к импульсной технике и может применяться как элемент для выполнения логической функции И,И-НЕ и формирования выход" ного импульса по фронту нарастания входного сигнала, Цель изобретения — расширение функциональных воэможностей и повышение надежности работы элемента путем устранения зависимости уровня выходного короткого импульСа и ослабление зависимости длительности этого импульса от длительности фронта входного сигнала.

На чертеже приведена принципиальная схема разностного элемента, .Раэностный элемент содержит многоэмиттерный транзистор l первый,.второй и третий и-р-и-транзисторы 2, 3 и 4, резисторы 5-10, причем эмиттеры многоэмиттерного транзистора 1.подключены к входам 11 устройства, база и-р-и-транзистора 2 соединена с коллектором транзистора 3 и через вто-,, рой резистор 5 соединена с коллектором многозмиттерного транзистора 1, первый дополнительный коллектор и-р-и-транзистора 3 через шестой резистор 6 соединен с шиной 12 питания, а через пятый резистор 7 " с базой п-р-п.-транзистора 4, первый коллектор которого через четвертый резистор 8 соединен с базой и-р-и-транзистора

3, которая через третий резистор 9 соединена с коллектором многозмиттерного транзистора 1, база которого через первый резистор 10 связана с шиной 12 питания, эмиттеры и-р-и-транзисторов 3 и 4 соединены с общей шиной, первый и второй выходы 13 и

14 подключены к коллектору и эмиттеру транзистора 2, второй коллектор транзистора 4 и второй дополнительный коллектор транзистора 3 соедине--. ны с первым и вторым дополнительными выходами 15 и 16.

Разностный элемент .работает следующим образом.

В статическом режиме транзистор

2 закрыт, и на выходах 13 и 14 высокий или низкий уроввнь напряжения в зависимости от подключения транзистора 2 эмиттером к общей шине или коллектором к шине питания.

Если хотя бы на одном из зходов

11 элемента низкий уровень напряжения, то транзистор 3 закрыт, а транзистор 4 открыт и на выходах 16 и 15

5336 2 формируется соответственно высокий и низкий уровень напряжения, Когда на всех входах 11 элемента высокий

В уровень напряжения, транзистор 3 открыт, а транзистор 4 закрыт. На выходах 16 и 15 формируются низкий и высокий уровни напряжения, Таким образом, на втором дополнительном

1О коллекторе транзистора 3 реализуется сигнал, соответсвующий логической функции И НЕ, а на втором коллекторе транзистора 4 — сигнал, соответствующий логической функции И.

На выходах 13 и 14 (коллектор или эмиттер транзистора 2) происходит формирование короткого импульса по фронту нарастания входного напряжения, При этом сначала протекает ток

Zp по цепи: шина 12 питания — переход база - коллектор транзистора 1 - резистор 5 — база транзистора 2. Через время задержки, определяемое номиналами резисторов 9 и 8, входной ем25 костью и напряжением U транзисто"

E эо ра 3, начнется открывание транзистора 3. Процесс отпирания транзистора 3 протекает быстрее, поскольку существует положительная обратная

30 связь первого дополнительного коллектора транзистора 3 через резистор 7э транзистор 4 и резистор 8 на базу транзистора 3.

Наличием этой обратной связи обусловлено ускоренное отпирание трайзистора 3 и ускоренное залирание транзистора 2, так как в процессе переключения ток в базу транзистора

3 непрерывно возрастает до полного

4р запирания транзистора- 4, Гистерезисная входная хараткеристика схемы на транзисторах 3 и 4 (входом является резистор 9) ослабляет зависимость задержки этой схемы

45 от длительности фронта входного сигнала устройства, Следовательно, ослабляется и зависимость длительности короткого выходного импульса устройства от названных факторов, что повышает надежность работы элемента.

Поскольку для срабатывания гистерезисной схемы на транзисторах 3 и

Ф необходима большая амплитуда напряжения на kоллекторе транзистора 1, то при любой длительности (особенно увеличенной) фронта входного сигнала отпирание транзистора 3 произойдет всегда после отпирания транзистора

Составитель А.Янов

Редактор М.Недолуженко Техред М.Дидык Корректор И.Муска

Заказ 4931/54 Тираж 900 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие ° г. Ужгород, ул. Проектная, 4 з 13453

2. В зависимости от включения транзистора 2 с выходом-коллектором или эмиттером это произойдет после форми-, рования на выходе уровня логического нуля или уровня логической единицы.

Таким образом, элемент дополнительно реализует . две логические функции И, И-НЕ, а также формирует выходной короткий импульс при макси- 10 мально допустимых длительностях фронта входного сигнапа за счет устранения зависимости амплитуды и ослаблеа ния зависимости длительности короткого импульса от длительности фронта 15 вхопного сигнала.

Формула изобретения

Разностный элемент по авт. св °

Ф 1262718, отличающийся

36 4 тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения надежности работы элемента, введены два резистора и третий и-р-и-транзистор, переход эмиттер — первый коллектор которого включен между четвертым резистором н общей шиной, первый дополнительный коллектор второго и-р-и-транзистора соответственно через пятый и шестой резисторы соединен с шиной питания и базой четвертого п-р-п-транзистора, второй коллектор которого соединен с первым дополнительньи выходом устройства, а второй дополнительный коллектор второго и-р-и-транзистора соединен с вторым дополнительньм выходом устройст- . ва.