Разностный элемент

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве одного из элементов ТТЛ-типа, .формирующего короткие выходные импульсы по переднему и заднему фронтам входного сигнала. ИзОбре- , тение повьшает функциональные возможности разностного элемента путем формирования коротких выходных импульсов по фронту нарастания и по спаду входного импульса. Устройство содержит диоды 1-6 и 12, резисторы 7, 8, II, 14 и 15, двзгхколлекторный транзистор 10 р-п-р-типа, транзисторы 13 и 16, Аналогично схеме прототипа данное устройство, в зависимости от режима работы транзистора 16 реализует одну из функций у с-с dcj у dc. В отличии от прототипа устройством реализуются дополнительные функции у dc, у dc. 1 ил. С со 4: сл со со м

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

<511 4 Н 03 К 19/088

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Фей

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (61) 1272498 (21 ) 4064096/24-2 1 (22) 28.04.86 (46) 15.10.87, Бюп, ¹ 38 (71) Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д.Калмыкова. (72) Ю,И.Рогозов, С,П,Тяжкун и А.В.Глоба (53) 621,374 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 1272498, кл. Н 03 К.19/088, 1985, (54) РАЗНОСТНЫИ ЭЛЕМЕНТ (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использова-. но в качестве одного иэ элементов

ТТЛ-типа, .формирующего короткие выходные импульсы по переднему и задне1

„„SU„„1345337 A 2 му фронтам входного сигнала. Изобре- . тение повышает функциональные возможности разностного элемента путем формирования коротких выходных импульсов по фронту нарастания и по спаду входного импульса. Устройство содержит диоды 1-6 и 12, резисторы 71 8, 11, 14 и 15, двухколлекторный транзистор 10 р-п-р-типа, транзисторы

13 и !6, Аналогично схеме прототипа данное устройство, в зависимости от режима работы транзистора 16 реализует одну из функций у, = с ° с =dc; у = с с = dc. В отличии от прото Z типа устройством реализуются дополнительные функции у =Гс, у =dc, 1 ил, 1345337

Из о бре те ние о т нб сит с я к и мпуль сной технике и может быть использовано в качестве одного из элементов

ТТЛ-типа, формируюшего короткие выходные импульсы по переднему и заднему фронтам входного сигнала.

Цель изобретения - расширение функциональных возможностей раэностного элемента путем формирования коротких выходных импульсов по фронту нарастания и по спаду входного им. пульса.

На чертеже приведена функциональная схема раэностного элемента, Устройство содержит диоды 1-6, резисторы 7-9, двухколлекторный р-п-р-транзистор 10, котады диодов 1-6 являются входами устройства, аноды диодов 1, 3 и 5 объединены с первыми выводами резисторов 8 и 9, второй вывод резистора 8 объединен с первым выводом резистора 7 и базой транзистора 10, первый коллектор которого через резистор 11 объединен с анодами диодов 2, 4, 6 и 12, второй коллектор транзистора 10 соединен с вторым выводом резистора 9 и базой т >анзистора 13, эмиттер которого объединен с эмиттером транзистора

10, вторым выводом резистора 7 и шиной питания, коллектор транзистора

13 через резистор 14 соединен с катодом диода 12, первым выводом резистора 1 5 и базой транзистора 16, второй вывод которого соединен с общей шиной, эмиттер и коллектор транзис— тора 16 являются выходами устройства.

Устройство работает следующим образом, Предположим,, что в исходном состоянии на всех входах устройства íаходится сигнал высокого логического уровня. В этом случае транзисторы

10 и 13 закрыты, поэтому закрыт и транзистор 16. Если эмиттер транзистора 16 соединен с общей шиной, то выходом устройства является коллектор и на нем (через внешнюю нагрузку) сформирован высокий уровень напряжения. Если коллектор транзистора

16 соединен с шиной питания, то выходом устройства является эмиттер и на эмиттере сформируется выходное напряжение низкого уровня, При поступлении на один из входов устройства сигнала низкого уровня открывается сначала транзистор 13„ а потом транзистор 10, Указанная последовательность отпирания транзисторов задается разными уровнями входного напряжения отIIHpRHHH (U () и U)1 ) этих транзисторов (также как и в прототипе задается задержка отпирания транзистора 10).

0 з = Š— авэо э — 1-1

11 Вэо Е-U -U — — — — ° R ю Еэо о g R

10 т где Š— напряжение питания; — напряжение отпирания транзисторов 10 и 13;

U - напряжение отпирания диода, 1Б Задержка отпирания транзистора

10 после отпирания транзистора 13 обусловлена также большим номиналом резистора 8 по сравнению с резистором 9, В результате отпирания тран20 эистора 10 и перехода его в насыщение запирается транзистор 13. Таким образом, через коллектор транзистора

13 протекает кратковременный импульс тока в базу транзистора 1 6 через ре25 зистор 14, В зависимости от режима включения транзистора 16 (эмиттер соединен с общей шиной, а коллекторс выходом, или коллектор соединен с шиной питания, а эмиттер — с выходом)

30 формируется выходной импульс низкого или высокого уровня,.

При этом отпирание транзистора 10

1 не.приведет к отпиранию диода 12, так как íà его аноде установится напряжение, недостаточное для его отпирания (U + U где входной сигнал низкого логического уровня ), Коллектор и змиттер транзистора

40 16 так же, как в известной схеме, могут соединяться с входами расширения по ИЛИ, Таким образом, при наличии хотя бы на одном из входов устройства низ4б кого логического уровня (стационарный режим), транзистор 10 насыщен, а транзисторы 13 и 16 закрыты, Если на все входы устройства подается высокий уровень (по фронту), транзистор 13 остается в закрытом состоянии, но так как транзистор

10 насышен, то через резистор 11 и диод 12 в базу транзистора 16 подается кратковременный импульс тока, Длительность этого-импульса зависит от времени задержки выключения транзистора 10. При переходе входного сигнала с низкого уровня в высокий на выходе устройства сформируется

Аналогично известной схеме предла 5 гаемое устройство в зависимости от режима включения транзистора 16 реализует одну иэ функций у, =с с =ас;

10 у = с с = dc

В отличие от известной схемы в предлагаемой реализуются допопнительные функции у =.dc, у dc.

Составитель А,Янов

Корректор Л,Патай

Редактор М. Недолуженко Техред М.Дидьф

Заказ 493 l /54 Тираж 900

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж"35, Раушская наб,, д. 4/5

Подпи с но е

Проиэводственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 !345337 4 короткий импульс высокого или низко- Ф о р м у л & и з о б р е т е н и я го уровня в зависимости от способа Разностный элемент по авт. св. включения транзистора !6. N l272498, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, введены четыре диода и шестой резистор, дополнительный коллектор второго р-и-р-транзистора через шестой резистор соединен с анодами четвертого, пятого, шестого и седьмого диодов, катод четвертого диода соединен с базой п-р-п-транзистора, катоды пятого, шестого и седьмого диодов соединены с соответствующими входными шинами.