Ттлш-вентиль

 

Изобретение относится к импульсной технике, а именно к микросхемотехнике двухкаскадных ТТЛШ-вентилей. Цель изобретения - повышение надежности ТТЛШ-вентиля. ТТЛШ-вентиль содержит три основных резистора, токозадающий резистор, входной транзистор, фазоинвертирующий транзистор, составной транзистор, выходной транзистор и диод. Введение токозадающего резистора и новых электрических связей между функциональными элементами позволяет повысить надежность ТТЛШ-вентиля путем увеличения входного пробивного напряжения за счет использования цепи обратной связи. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИХ (19) (И) (51)5 Н 03 К 19/088

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А STOP CHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

i (21) 4470858/24-21 (22) 05.08.88 (46) 15.10.90. Бюл. )". 38 (72) А.И. Вихров (53) 621.374(088.8) (56) Алексенко A.Ã.> Шагурин И.И.

Микросхемотехника, М,: Радио и связь, 1982, с. 61, рис. 2,13.

Электроника, Р 5, 1979, с. 35, рис. 3. (54) ТТЛШ-ВЕНТИЛЬ (57) Изобретение относится к импульс., ной технике, а именно к микросхемотехнике двухкаскадных ТТЛШ-вентилей.

Изобретение относится к импульсной технике, а именно к микросхемотехнике двухкаскадных ТТЛШ-вентилей.

Цель изобретения — повышение надежности путем увеличения входного пробивного напряжения эа счет использования цепи обратной связи, уменьшение тока потребления в состоянии логического нуля.

На чертеже приведена принципиальная схема TTJILl-вентиля.

TTJIIJ-вентиль содержит входной транзистор 1, коллектор которого подключен к входу. База транзистора 1 подключена к первому выводу резистора 2. Эмиттер транзистора 1 подключен к базе фазоинвертирующего транзистора 3 и к первому выводу токозадающего резистора 4. Эмиттер транзистора 3 подключен к базе выходного транзистора 5 и через резисторнотранзисторный шунт на резисторах 6 и 7 и транзисторе 8 — к общей шине.

Коллектор транзистора 3 подключен к

Цель изобретения — повьппение надежности ТТЛШ-вентиля. ТТЛШ-вентиль содержит три основных резистора, токозадающий резистор, входной транзистор, фазоинвертирующий транзистор, составной транзистор1 выходной транзистор и диод. Введение токозадающего резистора и новых электрических связей между функциональными элементами позволяет повысить надежность

ТТЛШ-вентиля путем увеличения входного пробивного напряжения за счет использования цепи обратной связи.

1 з ° ï, ф лы ° 1 ил ° первому выводу второго резистора 9 и к базе составного транзистора на транзисторах 10 и 11. Эмиттер транзистора 10 соединен с первым выводом резистора 12 и с базой ранзистора

11. Коллектор транзистора 11 соединен с коллектором транзистора 10 и первым выводом третьего резистора 13, Эмиттер транзистора 11 соединен с коллектором транзистора 5 и выходом.

Анод диода 14 подключен к базе входного транзистора, а катод — к коллектору транзистора 5. Вторые выводы резисторов 2, 4, 9 и 13 подключены к шине питания, а второй вывод резистора 12 — к общей шине.

TTJIL âåíòèëü работает следующим образом.

При увеличении входного напряжения происходит запирание коллекторного перехода транзистора 1, который в течении некоторого промежутка времени, необходимого для включения транзисторов 3 и 5, работает в ак1599984 тивном режиме. После включения транзистора 6 на выходе вентиля формируется низкий уровень, что обеспечивает включение диода 14, который выключает входной транзистор 1. При этом выключения транзистора 3 не происходит, так как в его базу втекает ток резистора 4.

При уменьшении входного напряжения происходит включение входного транзистора 1, вследствие чего создается низкоомная разрядная цепь для заряда, накопленного в областях транзистора З..Следовательно, вклю- 15 чение транзистора 1 приводит к выключению транзистора 3. При этом через коллектор транзистора 1 течет ток, задаваемый резистором 2, Выключение транзистора 3 сопровождается ростом потенциала на его коллекторе за счет уменьшения тока, протекающего через резистор 9. В тот момент, когда значение этого потенциала достигает значения 2g, включается д составной транзистор, состоящий из транзисторов 10 и 11 и резистора 12.

Так как включение составного транзистора происходит быстрее, чем выключение транзистора 5 через шунт, состоя- О щий из резисторов 6 и 7 и транзистора 8, имеет место протекание через. транзистор 5 сквозного тока, величина которого определяется резистором

13. В установившемся режиме транзистор 5 находится в выключенном состоянии и на выходе вентиля устанавливается высокий уровень.

Предлагаемый ТТЛШ-вентиль, содержащий входной элемент на основе 40 транзистора, имеет в 1,5-2 раза большее входное пробивное напряжение по сравнению с известными конструкциями двухкаскадных ТТЛШ-вентилей, на входе которых также используется транзис- 4 тор.

Увеличение входного пробивного напряжения обеспечивается за счет подключения к входу вентиля коллекторного вывода транзистора. При этом пот ребляемая мощность вентиля не возрастает.

Формула изобр етения

1. ТТЛИ-вентиль, содержащий диод, входной транзистор, база которого через первый резистор соединена с шиной питания, фазоинвертирующий транзистор, коллектор которого через второй резистор соединен с шиной питания и подключен к базе составного транзистора, коллектор которого через третий резистор соединен с шиной питания, а эмиттер подключен к выходу и коллектору выходного транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена к эмиттеру фазоинвертирующего транзистора и через резисторно-транзисторный шунт подключена к общей шине, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности путем увеличения входного пробивного напряжения, введен токозадающий резистор, коллектор входного транзистора соединен с входом, эмиттер . — с базой фазоинвертирующего транзистора и через токозадающий резистор подключен к шине питания, база входного транзистора соединена с анодом диода, катод которого подключен к выходу.

2. TTJEI-вентиль по п. 1, о т л ич а ю шийся тем, что, -с целью уменьшения тока потребления в состоянии логического нуля, величина токозадающего резистора выбирается такой, чтобы после завершения переходного процесса первый транзистор находился во включенном состоянии.

1599984

Тираж 661

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r Ужгород, ул. Гагарина, 101

Редактор И. Касарда

Заказ 3150

Составитель Н. Дубровская

ТехРед М.дндык Корректор Л. Бескид