Способ изготовления кремниевых многослойных структур

 

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание n-n+- или n-p+-двухслойной кремниевой структуры, формирование на ее поверхности маскирующего покрытия, формирование слоя p-типа диффузией акцепторных примесей со стороны слоя n-типа, формирование термическим окислением пленки окисла кремния, фотолитографическое вскрытие в ней окон со стороны слоя p-типа и формирование n+ - областей диффузией донорной примеси в окна пленки окисла кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления структур за счет сокращения количества высокотемпературных операций, маскирующее покрытие формируют толщиной 0,2-0,4 мкм путем нанесения пленки окисла кремния, содержащей 0,33-6,3 мас.% окисла алюминия и 0,65-2,8 мас.% оксида бора, на обе стороны структуры, формирования слоя p-типа диффузией акцепторных примесей со стороны n-слоя проводят термообработкой структуры



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии интегральных схем, в частности к конструкции твердых планарных источников диффузии фосфора, которые применяются для выполнения технологических процессов диффузии при создании эмиттерных областей активных элементов, стабилизации окисла фосфорно-силикатным стеклом, легирования сток-истоковых областей МДП-транзисторов, легирования поликремния и т.д

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления кремниевых p - n-переходов, работающих в области лавинного пробоя

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых приборов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а именно к изготовлению твердых источников диффузии бора
Изобретение относится к технологии создания высоколегированных P+ - слоев в кремниевых пластинах диаметром 100 мм мм при температурах диффузии 725 - 975°С
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения полупроводниковых структур с высокой равномерностью степени легирования диффузионных слоев

Изобретение относится к области проводящих полимеров, в частности полианилина, и может быть использовано для получения высокопроводящих полианилиновых слоев, волокон, проводящих элементов и устройств на их основе
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур
Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора

Изобретение относится к технологии изготовления оптоэлектронных приборов, в частности солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ)

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к установкам для легирования полупроводников при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Наверх