Донорный раствор для диффузионного легирования кремния

Авторы патента:

H01L21/225 - диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя

Донорный раствор для диффузионного легирования кремния, содержащий растворитель, тетраэтоксисилан, катализатор, ортофосфорную кислоту и соединение мышьяка, отличающийся тем, что, с целью повышения глубины диффузионных слоев до 100 мкм при сохранении высокой поверхностной концентрации, в качестве катализатора использована азотная кислота, а в качестве соединения мышьяка использована ортомышьяковая кислота, причем соотношение ортофосфорной и ортомышьяковой кислот составляет от 8:1 до 1:1 по объему при следующем соотношении компонентов, мас.%: Растворитель - 45 - 62 Тетраэтоксисилан - 19,4 - 28,5 Азотная кислота - 0,2 - 1,5 Ортофосфорная и ортомышьяковая кислота - 18 - 31

Твердый планарный источник диффузии фосфора // 1563507

Изобретение относится к технологии интегральных схем, в частности к конструкции твердых планарных источников диффузии фосфора, которые применяются для выполнения технологических процессов диффузии при создании эмиттерных областей активных элементов, стабилизации окисла фосфорно-силикатным стеклом, легирования сток-истоковых областей МДП-транзисторов, легирования поликремния и т.д

Способ изготовления p - n-переходов с лавинным пробоем // 1563506

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления кремниевых p - n-переходов, работающих в области лавинного пробоя

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией // 1531753

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых приборов

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором // 1480665

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов // 1480664

Способ изготовления твердого источника диффузии бора // 1479973

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а именно к изготовлению твердых источников диффузии бора

Способ изготовления твердых планарных источников диффузии бора на основе нитрида бора // 1454157

Изобретение относится к технологии создания высоколегированных P+ - слоев в кремниевых пластинах диаметром 100 мм мм при температурах диффузии 725 - 975°С

Пленкообразующий раствор для легирования пластин кремния и способ его приготовления // 1424632

Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний // 1400376

Способ изготовления p-n-перехода, легированного элементами или изотопами с аномально высоким сечением поглощения нейтронов // 2156009

Способ получения электропроводящего полианилинового слоя // 2315066

Изобретение относится к области проводящих полимеров, в частности полианилина, и может быть использовано для получения высокопроводящих полианилиновых слоев, волокон, проводящих элементов и устройств на их основе

Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника // 2359355

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур

Способ диффузии бора // 2361316

Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области

Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок // 2371807

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора

Способ нанесения борных и фосфорных легирующих композиций для изготовления солнечных фотоэлектрических элементов (сфэ) // 2444810

Изобретение относится к технологии изготовления оптоэлектронных приборов, в частности солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ)

Диффузант для легирования полупроводников типа a3b5 // 2050031

Установка легирования полупроводников в коронном разряде // 2017264

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к установкам для легирования полупроводников при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Способ диффузии алюминия и галлия в кремниевые пластины // 1593508

Способ изготовления кремниевых структур // 1602275