Измерительный ртутный зонд

 

Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к устройствам контроля и исследования электрофизических параметров полупроводниковых структур. Цель изобретения - повышение надежности контактирования и точности измерения - достигается тем, что измерительный ртутный зонд снабжен расположенным под острым углом к оси симметрии зонда прозрачным отводом с капилляром, заполненным ртутью, с косым срезом на конце, плоскость которого перпендикулярна оси симметрии зонда. Измерительный ртутный зонд содержит основание 1, емкость 2, заполненную жидкостью 3, являющейся диэлектриком, в которой имеется пузырек газа с внесенным внутрь нагревателем 4, прозрачный отвод 5 с капилляром 6, сообщающийся с полостью 7, заполненной ртутью. Отвод 5 имеет на конце косой срез 9. Электрический контакт 10 с ртутью выполнен из металла. Между ртутью и жидкостью 3 расположена мембрана 11. Срез 9 соприкасается с поверхностью образца 8. 1 ил.

„SUÄÄ 1 2260

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК

А2 (51) 5 Н 01 1. 21/66

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЧНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (61) 974463 (21) 4237270/24-21 (22) 30.04.87 (46) 23.03;90. Бюл. N- 11 (71) Калужский филиал МВТУ им. Н.Э.Баумана (72) В.Г.Барьппев, А.А.Столяров и Ю.А.Сидоров (53) 621.315. 684 (088. 8) (56) Авторское свидетельства СССР

В 974463, кл. Н 01 L 21/60, 1982. (54) ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ РТУТНЫЙ ЗОНД (57) Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к устройствам контроля и исследования электрофизических параметров полупроводниковых структур. Цель изобретения — повьппение надежности контактирования и точности измерения—

2 достигается тем, что измерительный ртутный зонд снабжен расположенным под острым углом к оси симметрии зон-, да прозрачным отводом с капилляром, заполненным ртутью, с косым срезом на конце, плоскость которого перпендикулярна оси симметрии зонда. Измерительный ртутный зонд содержит основание 1, емкость 2, заполненную жидкостью 3, являющейся диэлектриком, в которой имеется пузырек газа с внесенным внутрь нагревателем 4, про-,-зрачный отвод 5 с капилляром б, сообщающийся с полостью 7, заполненной ртутью. Отвод 5 имеет на конце косой срез 9. Электрический контакт 10 с ртутью выполнен иэ металла. Между ртутью и жидкостью 3 расположена мембрана 11. Срез 9 соприкасается с поверхностью образца 8. 1 ил.

1552260

Изобретение относится к электронной промыпленности, в частности к устройствам коитроля и исследования электрофизических параметров полупроводниковых структур, и является усо5 вершенствованием изобретения по авт.св. Р 974463.

Цель изобретения — повышение надежности контактирования и точности измерений за счет того, что измерительный ртутный зонд снабжен расположенным под острым углом к оси симметрии зонда прозрачным отводом с капилляром, заполненным ртутью, с косым срезом на конце, плоскость которого перпендикулярна оси симметрии зонда.

На чертеже представлена конструкция измерительного ртутного зонда.

Измерительный ртутный зонд содержит основание 1, выполненное из магнита,к которому крепится емкость 2, заполненная диэлектрической жидкостью

3, в которой имеется пузырек газа, с внесенным внутрь нагревателем 4, 25

I прозрачный отвод 5 с. капилляром 6, сообщающийся с полостью 7, заполненной. ртутью. Прозрачный отвод 5 расположен под острым углом к оси симметрии зонда и имеет косой срез 9 на конце, плоскость которого перпендикулярна оси симметрии зонда. Электрический контакт 10 с ртутью выполнен из металла, не взаимодействующе- го с ртутью. Между ртутью и диэлек35 трической жидкостью расположена мембрана 11, Зонд работает следующим образом.

После установки зонда на исследуемую поверхность включается нагреватель 4 и жидкость 3„ расширяясь, выталкивает ртуть в капилляре 6 прозрачного отвода 5 к поверхности образца 8 до образования контактной площадки на исследуемой поверхности.

При этом визуально или с.помощью микроскопа, располагаемого параллельно оси симметрии зонда над объектом измерения, используя то, что отвод

5 выполнен из прозрачного материала, расположен под острым углом к оси симметрии зонда и имеет косой срез на конце, осуществляется визуальный контроль положения ртутного мениска относительно среза капилляра отвода.

В случае необходимости, когда имеется область среза капилляра, незапол-. ненная ртутью, производится дополнительная корректировка положения мениска ртути до полного заполнения ею среза капилляра отвода. При этом обеспечивается стабильная площадь контактирования, определяемая площадью капилляра. Использование в качестве основания 1 магнита упрощает перемещение зонда. Газовый пузырек в жидкости предохраняет механизм от черезмерного возрастания давления, Величина острого угла, под которым располагается прозрачный отвод к оси симметрии измерительного ртутного зонда, определяется требуемой площадью контактирования и необходимой точностью контроля процесса контактирования и лежит в пределах 30-60

О

Предлагаемая конструкция измерительного ртутного зонда дает воэможность контролировать площадь контактирования и при необходимости корректировать ее, что позволяет получить постоянную величину площади контакта ртути с исследуемой поверхностью.

Тем самым достигается повышение надежности и точности измерений, Кроме того, сквозь прозрачный отвод возI можен визуальный контроль точности контактирования с объектами малых, соизмеримых с диаметром мениска ртути размеров.

При этом измерение производится без нарушения целостности защитных пленок, напыленного материала и структуры исследуемой подложки. о

Формула изобретения

Измерительный ртутный зонд по авт.св. У 974463, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью повышения надежности контактирования и точности измерений, сквозной аксиальный капилляр выполнен из светопроницаемого материала и расположен под острым углом к оси симметрии зонда, причем на конце капилляра выпол-: нен косой срез, плоскость которого перпендикулярна оси симметрии зонда.

Измерительный ртутный зонд Измерительный ртутный зонд 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения фотоэлектрических параметров примесных некомпенсированных полупроводников

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников и предназначено для контроля параметров полупроводниковых приборов и материалов в процессе их изготовления, а также при исследовании электрофизических параметров различных межфазовых границ с участием полупроводниковых и полуметаллических материалов

Изобретение относится к измерительным устройствам, применяемым в полупроводниковой промышленности, и может быть использовано для измерения удельного электрического сопротивления полупроводников

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения зависимости холловской подвижности носителей заряда проводящем канале от концентрации заполненных пограничных электронных состояний (ЭС), локализованных вблизи границы раздела полупроводник-диэлектрик

Изобретение относится к неразрушающим методам исследования физико химических свойств материалов, в частности полупроводников

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх