Зондовое устройство

 

Изобретение относится к измерительным устройствам, применяемым в полупроводниковой промышленности, и может быть использовано для измерения удельного электрического сопротивления полупроводников. Целью изобретения является повышение воспроизводительности измерений. Устройство содержит электропроводящий зонд 1, держатель зонда 2, закрепленный на корпусе механизма 3 подъема и опускания зонда и находящийся над штоком 4, биметаллические пластины 5 и 6, закрепленные шарнирами 7 и 8, нагреватель 9 с выводами 10, выключатель 11, источник 12 питания нагревателя, измеряемый образец 13. Поставленная цель достигается за счет введения второй биметаллической пластины, идентичной первой. В устройстве уменьшена зависимость скорости опускания зонда на измеряемый образец от температуры окружающей среды, чем обеспечивается повышение воспроизводимости измерений. 1 з.п. ф-лы. 1 ил.

СВОЗ СОВЕТСКИХ

СОЩМЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1

И91 < 1И> (51) 5 11 01 L 21/66

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АBTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1п

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

Г10 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1. (21) 4173389/24-21 (22) 05,01.87 (46) 23. 01 90. Бюл. Р 3 (72) Ю.Я,Бессонов, И.А.Фомин и В,В.Чапайкин (53) 62.396.049 (088.8) (56) Башкин Ю.А, и др. Термобиметаллы. композиции, обработка, свойства, — М.: Машиностроение, 1986, с. 48, фиг. 39.

Там же, с. 62, фиг. 59, (54) 3011ДОВОЕ УСТРО11СТВО (57) Изобретение относится к измерительным устройствам, применяемым в полупроводниковой промышленности, и может быть использовано для измерения удельного эдектрического сопротивления полупроводников. Белью изобрете2 ния является повышение воспроизводительности измерений. Устройство содержит электропроводящий зонд 1, держатель 2 зонда, закрепленный на корпусе механизма 3 подъема и опускания зонда и находящийся над штоком 4, биметаллические пластины 5 и 6, закрепленные шарнирами 7 и 8, нагреватель

9 с выводами 10, выключатель 11, источник 12 питания нагревателя, измеряемый образец 13. Поставленная пель достигается за счет введения второй биметаллической пластины, идентичной первой. В устройстве уменьшена зависимость скорости опускания зонда на измеряемый образец от температуры окружающей среды, чем обеспечивается повышение воспроизводимости измерений. 1 з.п. A-лы, 1 ип °

С::

1538195!

Изобретение относится к измерительным устройствам, применяемым в полупроводниковой промьпнленности, и может быть использовано для измерения удельного электрического сопротивле5 ния полупроводников.

Цель изобретения - повышение воспроизводимости измерений.

Иа чертеже схематично изображено, зондовое устройство.

Устройство содержит электропрово дящий зонд 1 из твердосплавного материала, укрепленный в держателе 2 зонда в виде коромысла. Держатель 2 зонда крепится на корпусе 3 механизма подъема и опускания зонда и находится над штоком 4. В корпусе 3 закреплены идентичные биметаллические пластины 5 и 6, расположенные парал- 20 дельно одна над другой сторонами из металла с меньшим температурным расширением, с помощью шарниров 7 и 8.

Шарниры 7 жестко укреплены в корпусе

3, шарниры 8 закреплены в корпусе 3 25 от вертикальных перемещений. Шток 4, из материала с низкой теплопроводностью жестко соединен с центрами биметаллических пластин 5 и 6. Нагреватель 9 расположен на пластине 5, вы оды 10 нагревателя 9 укреплены на

1корпусе 3. Выключатель 11 укреплен на корпусе 3, связан со штоком 4 и может

Ьключать и выключать источник 12 питания нагревателя 9. Измеряемый образец 13 расположен на корпусе 3 под зондом 1.

Устройство работает следующим образом.

При начальном положении биметаллических пластин 5 и 6 шток 4 включает

40 с помощью выключателя 11 источник 12 питания нагревателя 9, биметаллическая пластина 5 нагревается и изгибается вверх шток 4 поднимается пре 45 одолевая упругость пластины 6. Поднявшись до держателя зонда 2, шток 4 толкает его, и зонд 1 отрывается от поверхности измеряемого образца 13.

Поднявшись до верхнего положения on50 ределяемого взаимным расположением штока 4 и выключателя 11, шток 4 с помощью выключателя 11 отключает источник 12 питания нагревателя 9. Разность температур биметаллических пластин 5 и 6 уменьшается, пластины

5 и 6 выпрямляются, шток 4 опускается и опускает держатель 2 зонда, а с ним и зонд 1 на поверхность измеряемого образца 13. После этого шток 4 опускается до нижнего положения, оп-: ределяемого взаимным расположением г штока 4 и выключателем 11, шток 4 с помощью выключателя 1 включает источник 12 питания нагревателя 9. Пикл повторяется.

При установке нагревателя 9 на биметаллической пластине 6 опускание зонда 1 на измеряемый образец 13 может происходить при включении источника 12 питания нагревателя 9. При установке биметаллических пластин друг к другу сторонами из металла с большим температурным расширением нагреватель 9 устанавливается на биметаллическую пластину 6 для осуществления возможности опускания зонда 1 при выключении источника 12 питания нагревателя 9 и на пластине 5 для

I случая опускания зонда 1 при включении источника 12 питания нагревателя 9.

Так как начальное положение штока, а следовательно, и зонда определяется разностью температур двух идентичных биметаллических пластин, то оно не зависит от температуры окружающей среды. Контактное устройство фиксирует верхнее и нижнее положение штока, а следовательно, максимальную и минимальную разности температур биметаллических пластин, которые при работе устройства не изменяются, и стабилизируется температура корпуса механизма подъема и опускания зонда. Следовательно, уменьшается зависимость скорости опускания зонда на измеряемый образец от температуры окружающей среды и повышается воспроизводимость измерений, Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

1, Зондовое устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов, содержащее установленные в корпусе электропроводя щий зонд из твердосплавного материала, держатель зонда, механизм подъема и опускания зонда с биметаллической пластиной, жестко соединенной с зондом, и нагревателем, расположенным на биметаллической пластине, и источник питания нагревателя, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повьшжСоставитель Н.Шмелев

ТекредЛ.Сердюкова Корректор Э.Лончакова

Редактор Г. Волкова

Заказ 171 Тираж 446 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35; Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101

5 1 538195 б ния воспроизводимости измерений, в свободно в пазу корпуса, размещенные корпусе дополнительно установлена . в ее плоскости. вторая биметаллическая пластина, 2. Устройство по и. l, о т л иицентичиая первой расположенная па- ч а ю щ е е с я тем что оно допол-.

5 . раллельно ей и обращенная к ней одно- нительно содержит контактную группу, именным металлом, каждая пластина кинематически связанную с зондом и шарнирно одним концом прикреплена к электрически связанную с нагревате корпусу, а другим концом установлена лем.

Зондовое устройство Зондовое устройство Зондовое устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения зависимости холловской подвижности носителей заряда проводящем канале от концентрации заполненных пограничных электронных состояний (ЭС), локализованных вблизи границы раздела полупроводник-диэлектрик

Изобретение относится к неразрушающим методам исследования физико химических свойств материалов, в частности полупроводников

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур

Изобретение относится к измерительной СВЧ-технике, а именно к устройствам для измерения распределения диэлектрической проницаемости в полупроводниковых материалах

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения параметров носителей заряда в полупроводниках

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх