Способ соединения полупроводниковой структуры с термокомпенсатором

Авторы патента:

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

Способ соединения полупроводниковой структуры с термокомпенсатором, включающий размещение в каждой из ячеек кассеты пакета из термокомпенсатора, алюминиевого припоя, кремниевой структуры с р-n-переходом, заполнение полости кассеты графитовым порошком, создание сжимающего давления на пакеты и термообработку при 577 - 900^o, отличающийся тем, что, с целью повышения качества соединения, осуществляют предварительную термообработку заполненной кассеты при 500 - 560^oC и давлении 1 - 9 Н/мм².

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ создания полевых транзисторов с затвором шоттки для сбис зу на арсениде галлия // 1559975

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании СБИС ЗУ на арсениде галлия

Способ формирования многоуровневых межсоединений больших интегральных схем // 1547611

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления больших интегральных схем

Способ изготовления силового полупроводникового прибора // 1519453

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и предназначено для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Способ изготовления моп-интегральных схем // 1510627

Способ изготовления полевых транзисторов с затвором шоттки // 1507131

Способ изготовления многоуровневой разводки мдп ис // 1491266

Материал термокомпенсатора для полупроводникового выпрямительного элемента // 1484197

Способ создания металлизации интегральных схем // 1477175

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления интегральных схем

Способ выполнения межсоединений элементов в интегральных микросхемах // 1463059

Изобретение относится к технологии изготовления металлизированной разводки в интегральных схемах

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2131631

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2152108

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Омическая контактная структура полупроводникового прибора и способ ее изготовления // 2155417

Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров // 2194334

Способ напыления рельефных подложек // 2229182

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных гидрогенизированных полупроводниках // 2229755

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др