Способ травления монокристаллов ниобата лития

 

Изобретение относится к исследованию доменной структуры ниобата лития путем химического травления, может быть использовано при изучении реальной структуры монокристаллов. Способ позволяет существенно понизить температуру травления, сократить его время и получить четкие фигуры травления. Монокристаллы ниобата лития обрабатывают расплавом КОН с добавкой NAOH в количестве 35 мас.% при 150±0,2°С в течение 5-7с. После травления образцы опускают в стаканчик с кипящей дистиллированной водой, через 1 мин стаканчик снимают с плитки и охлаждают до 30°С. Затем образцы обтирают и исследуют под микроскопом. Способ позволяет получить большую информацию о реальной структуре, а также выявить доменные структуры отрицательного и положительного дисков поляризации. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (.19) (11) (51)5 C 30 В 33/00, 29/30 .!

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМ,К СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

flQ ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4457223/31-26 (22) 07.07.88 (46) 07.08.90. Бюп. N-" 29 (71) Калининский государственный университет (72) И.И.Сорокина и Б.Б.Педько (53) 621.3 15.592(088.8) (56) Nassau К., Еevinstein Н.(., Lc.iacono G.M. Ferroelectics Litium

Niobate. I. Growth domein structure, dislocations and etching. — J. Phys.

Chem. Solits, 1966, v. 27, N 6/7, р. 985. (54) СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

НИОБАТА ЛИТИЯ (57) Изобретение относится к исследованию доменной структуры ниобата лития путем химического травления, Изобретение относится к исследованию кристаллов, в частности к исследованию доменной структуры ниобата лития путем химического травления, а также может быть ис— пользовано при изучении реальной структуры кристаллов ниобата лития.

Целью изобретения является понижение температуры травления, сок— ращение времени травления и получение четких фигур травления.

На чертеже представлены поверх— ности кристалла ниобата лития,потравленные в течение 3, 5, 7 и 10 с.

Пример. Гранулированный едкий кали и кристаллический едкий

2 может быть использовано при изучении реальной структуры монокристаллов.

Способ позволяет существенно понизить температуру травления, сократить его время и получить четкие фигуры травления. Монокристаллы ниобата лития обрабатывают расплавом КОН с добавкой NaOH в количестве 35 мас.Е при 150+0,2 С в течение 5 — 7 с. Пос— ле травления образцы опускают в стаканчик с кипящей дистиллирован— ной водой, через 1 мин стаканчик о снимают с плитки и охлаждают до 30 С.

Затем образцы обтирают и исследуют под микроскопом. Способ позволяет получить большую информацию о реаль— ной структуре, а также выявить до— менные структуры отрицательного и положительного дисков поляризации.

1 ил. натр В ко ичестве 5-7 r засыпают в фарфоровый тигель и нагревают до 150+0, 2 С. В полученный расплав опускают образцы, предварительно подогретые над электроплчткой.

После 5 — 7 с травления образцы опускают в кипящую дистиллированную воду и через 1 мин стаканчик снимают с плитки и охлаждают дистиллиро —. ванную воду вместе с образцами до

30 С. Затем образцы отбирают и ис— следуют под микроскопом.

Уменьшение времени травления не позволяет получить контрастные ямки травления и выявить доменную структуру, а увеличение времени

1583479 травления ведет к потере контрастности или искажеиию картины травления.

На снимке видны домены обоих знаков„

Использование предлагаемого способа по сравнению с известным позволяет сократить температуру и время травления. Предлагаемый способ расширяет диапазон используемых 10 травит елей для кристалла ниобата лития. По сравнению с известным способом температура травления снижена в 2,5 раза, время травления в 3 раза.

15 учитывая высокие требования современной лазерной техники к кристаллам по качеству и оптической однородности, предлагаемый способ может иметь практическое применение как 20 экспрессметод контроля монодоменнбс— ти образцов при выращивании кристаллов ниобата лития.

При добавлении в расплав kOH меньшего или большего количества NaOH травление на происходит, Предлагаемый способ дает возможность получить большую информацию о реальной структуре, а также выявить доменную структуру отрицательного и положительного знаков поляризованности.

Формула изобретения

Способ травления монокристаллов ниобата лития, включающий обработку кристалла расплавом КОН, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью улучшения контрастности фигур травления, понижения температуры и сокращения времени травления, в расплав KOH вводят добавку NaOH в количестве 35 мас.Х, и травление ве— дут при 150+0,2 C в течение 5-7 с.

1583479 1

Г,ф

Составитель F.,Писарева

Техред JI, Сердккова Корректор С.Черни

Р еда к тор Н . P о гул ич

Тираж 343

Заказ 2233

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5

IIpoI .çÂÎäñòÂeííÎ издательский комбинат Патент ° г.Ужгород, ул. Гагарина,101

Способ травления монокристаллов ниобата лития Способ травления монокристаллов ниобата лития Способ травления монокристаллов ниобата лития 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к обработке кристаллов танталата лития методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структуры кристаллов методам оптической и электронной микроскопии

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов на основе арсенида индия

Изобретение относится к способам обработки активных элементов лазерной и нелинейной оптики и может быть использовано при изготовлении нелинейных элементов на основе монокристалла иодата лития -LilO3 например параметрических преобразователей длины волны лазерного излучения

Изобретение относится к изготовлению ферромагнитных монокристаллических изделий для электронной техники, в частности к технологии изготовления сферических резонаторов из монокристаллов феррогранатов

Изобретение относится к обработке твердых и хрупких материалов, в частности к устройствам для обработки монокристаллов, которые применяются в химической промышленности при порезке кристаллов , и позволяет улучшить качество поверхности резания кристаллов

Изобретение относится к обработке кристаллов танталата лития методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структуры кристаллов методам оптической и электронной микроскопии

Изобретение относится к технологии получения сегнетоэлектрических монокристаллов, которые могут быть использованы в пьезотехнике

Изобретение относится к способу получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития и обеспечивает уг|1еньшёние отклонения шихты от заданного аехиометрического соотношения и фазового состава

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения
Наверх