Способ выращивания монокристаллов l @ т @ о @

 

Изобретение относится к технологии получения сегнетоэлектрических монокристаллов, которые могут быть использованы в пьезотехнике. Цель изобретения - увеличение размеров монокристаллов. Способ включает растворение шихты LIТРАНзиСТОРАО<SB POS="POST">3</SB> в водном растворе LI<SB POS="POST">2</SB>SO<SB POS="POST">4</SB> и H<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">2</SB> и рост кристаллов при температуре 380 - 430°С, давлении 450 - 530 атм, температурном перепаде между зоной растворения и зоной роста 20 - 30°С. Процесс ведут при концентрации LI<SB POS="POST">2</SB>SO<SB POS="POST">4</SB> и H<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">2</SB> 20 - 25 и 8 - 10 мас.% соответственно и их объемном соотношении V<SB POS="POST">LISO</SB>/V<SB POS="POST">HO</SB> = (3,1:1,0) - (5,0:1,3). Соотношение объемов жидкой и твердой фаз берут равным (3:1) - (4:1,1). Получены монокристаллы размером до 3,5 мм. 1 з.п. ф-лы.

СОЮЗ СОВЕ ТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (51)5 C 30 В 7/10 29/30

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCHQMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ П<НТ СССР (21) 4469417/31-26 (22) 29.07.88 (46) 07.05.90. Бюл. N 17 (71) Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН ТаджССР (72) В.И. Пополитов, М.Н. Цейтлин, К.С. Яшлавский и Т.М. Дыменко (53) 621.315.592(088.8) (56) Пополитов В.И. и др. Выращивание монокристаллов в гидротермальных

Условиях. - М.: Наука, 1986, с. 171173 ° (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛJlGB LITAO (57) Изобретение относится к технологии получения сегнетоэлектрических

Изобретение относится к способу получения сегнетоэлектрических монокристаллов метатанталата лития (LiTaO>) которые могут быть использованы в пьезотехнике, в частности в фильтрах и резонаторах специально го назначения, для создания преобразователей ультразвука s диалазоне частот кварца (10-100 мГц), для высокочастотной модуляции света в звукозаписи, в управляемых узкополосных интерференционно-поляризованных светофильтрах и т.д.

Цель изобретения - увеличение раз-, меров монокристаллов.

П р- и м е р 1. В автоклав, футерованный титаном, помещают твердую фазу марки "осч" LiTA03 заливают смешанный водный раствор 1- АБИО и

НгО концентрацией 20 и 8 мас. соот„„Я0„„156236З А I

2 монокристаллов, которые могут быт ь использованы в пьезотехнике. Цель изобретения - увеличение размеров монокристаллов. Способ включает растворение шихты 1. ТаО в водном растворе

Li SO и НгОг и рост кристаллов при температуре 380-430 С, давлении 450530 атм, температурном перепаде между зоной растворения и зоной роста

20-30 С. Процесс ведут при концентрации Li SO и .НгО 20-25 и 8-10 мас.В соответственно и их объемном соотношении Чь за1/V и ог = (3,5:1,0) (5,0:1,3) . Соотношение объемов жидкой и твердой фаз берут равным (3:1)

- -(4:1,1) . Получены монокристаллы размером до 3 5 мм.. 1 з.п. ф-лы.

I ветственно. Объемное соотношение

Чь; а,/Чнгог 3,5:1, а отношение жид

KOH фазы K твердой Ч(î +> 0 1/VL -т-„0 =

= 3,0:1. Автоклав герметически закрывают и помещают в двухзонную печь сопротивления. Температура зоны раст- Ql ворения 380 С, температурный перепад („ между зоной растворения и зоной роста 20 С. При данном нагреве давление жидкой фазы составляет 450 атм, Процесс получения монокристаллов LiTaOЗ протекает по схеме: растворение исходной шихты в смешанном растворе .Li SO и Н О, массоперенос растворенных форм метатанталата лития из объема раствора в зону кристаллизации

%. и рост монокристаллов. Процесс получения монокристаллов протекает непрерывно до тех пор, пока не израсходуется исходная шихта, Средний размер монокристаллов 2,5-3,? лм.

1562363 кристаллов 1.1TaOg лимит ируетс я тол ько объемом загруженного реактива и емкостью рабочей аппаратуры при прочих физико-химических параметрах гидротермального процесса, Ф о р м у л а изобретения

Составитель Е. Лебедева

Редактор А. Иотыль Техред Л,Сердюкова Корректор В. Кабаций

Заказ 1038 Тираж 344 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, 3-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина,101

Пример 2. В автоклав, футер ванный медью, помещают твердую фазу 1 ТаО, затем заливают смешанный водный раствор Li SO< и Н О концентрацией 25 и 10 мас.i соответственно. Объемное соотношение V . о / ь а

7H p = 5:1,3, а отношение жидкой фаФ У к твердои ь, gp +и о 1/V ° т в

= 4: 1, 1. Автоклав герметически за кры- 10 в ют и помещают в двухзонную печь с противления. Температура зоны растворения равна 430 С, температурный перепад равен 30 С. При данном нагрев@ давление жидкой фазы составляет

530 атм. Процесс получения 1ЛТаО;. протвкает по схеме, описанной в примере 1. Средний разМер монокристаллов

LiTaO@ от 3 до 4 мм.

Предложенный способ эффективен, прост в техническом оформлении, воспроизводим, не требует дорогостоящей футеровки, позволяет получать чистые монокристаллы LiTaO и увеличивать 25 их размеры при пониженных температурйЫх параметрах процесса, что необходИмо для их практического использования в качестве рабочих элементов в приборах специального назначения.

При этом количество получаемых моно1. Способ выращивания монокристаллов LiTaO, включающий растворение твердой фазы LiTa03 в водном растворе, содержащем соединение лития и

Н О, и рост кристаллов при высоких температурах, давлениях и нал чии температурного перепада между зоной растворения и зоной роста, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью увеличения размеров монокристаллов, в качестве соединения лития используют Li@SOq, процесс ведут при концентрации Li

:1,0) — (5,0;1,3), температуре 380430 С, давлении 450-530 атм и температурном перепаде 20-30 С.

2. Способ по и. 1, о т л и ч а юшийся тем, что соотношение объемов жидкой и твердой фаз берут равным (3,0:1,0) - (4,0:1,1).

Способ выращивания монокристаллов l @ т @ о @ Способ выращивания монокристаллов l @ т @ о @ 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к химической промышленности, в частности к способу получения кристаллической окиси цинка, которая может быть использована при производстве люминофоров, в электрофотографии, для приготовления пигментов и композиций

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов соединений со структурой эвлитина, в частности монокристаллов ортогерманата висмута Bi4Ge3O12, которые широко используются в качестве сцинтилляционных детекторов гамма-излучения, электронов, мезонов и других элементарных частиц в ядерной физике, гамма-астрономии, космических исследованиях, геофизике (гамма-каротаж скважин при разведке месторождений полезных ископаемых), в ядерной медицине (рентгеновская и позитронная компьютерная томография)

Изобретение относится к способу получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития и обеспечивает уг|1еньшёние отклонения шихты от заданного аехиометрического соотношения и фазового состава

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата методом Чохральского
Наверх