Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия

 

Изобретение касается обработки кристаллов , может быть использовано при промышленном производстве монокристаллов вольфрамата кадмия и позволяет увеличить выход годных кристаллов и повысить их световой выход. Кристаллы нагревают в вакууме со скоростью 50-100 град/ч до 390 450°С и выдерживают в течение ч. Затем проводят их термообработку в кислородсодержащей атмосфере. При этом нагрев ведут со скоростью 50-100 град/ч до 640-950°С. выдержку осуществляют в течение 10-15 ч, а охлаждение проводят со скоростью 30-50 град/ч. Достигают увеличения светового выхода кристаллов относительно светового выхода кристаллов Cs 1(71) до 43%. 1 табл.

ГтЭЮЗ COBE. I Cr(1Õ

С(11 1(Л»,(1И(.т И (F Cr 1X

РГ(.11УЬПИК (1)з С 30 В 33/00, 29/32 го(.v(lì г1пг1(ног п7(7 г11111ог вгд(1м(тпо сгоР

<г(эспи1г11г cccE >

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (2 1) 439 1854 /2 6 (22) 13.01.88 (46) 07,12.92. Бюл. ГУ 45 (72) Л,Л.Нагорная, А.Е,Овечкин, Е.Н.Пирогов и I0.Я. Вострецов (56) Шаскольская М.П Акустические кристаллы. М.. Наука, 1982, с. 632, Патент ФРГ И 3148988, кл, С 30 В 33/00,1981. (54) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВОЛБФРАМАТА КАДМИЯ (57) Изобретение касается обработки кристаллов, может быть использовано при промышленном производстве монокристаллов

Изобретение касается обработки монокрисTаллов и может быTь использовано при промышленном производстве монокрист,1ллов вольфрама кадмия, предназначенных для регистрации и спектрометрии рент(еновского и гам(ла-излучения.

Целью изобретения является увеличение выхода годных и повышение светового выхода кристаллов.

П р и (1 е р 1. Кристалл вольфрамата кадмия Cdl//0 размером 10 10 . 3 мм нагревают в вакууме (10»орр) до 400 С со

-7 о скоростью 50 град/ч, выдерживают 4 ч, затем нагревают до 700 С в атмосфере воздуха со скоростью 100 град/ч и выдерживают при этой температуре 24 ч, после чего проводят охлаждение со скоростью 50 град/ч.

Фиксируют, что световой выход с кристалла относительно Csl(TI) v его энергетическое разрешение R по линии Cs (E = p

„„ ((3 ÄÄ 1515796 А1 вольфрамата кадмия и позволяет увеличить выход годных кристаллов и повысить их световой выход. Кристаллы нагревают в вакууме со скоростью 50-100 град/ч до

390-450 С и выдерживают в течение 2 — 5 ч.

Затем проводят их термообработку в кислородсодержащей атмосфере, При этом нагрев ведут со скоростью 50-100 град/ч до

640 — 950 С. выдержку осуществляют в течение 10-15 ч, а охлаждение проводят со скоростью 30-50 град/ч. Достигают увеличения светово(о выхода кристаллов относительно светового выхода кристаллов Csl(TI) до 43%.

1 табл.

МэВ) до обработки составляют 32 и 13%, а после обработки 43 и 10,3% соответственно. Достигают увеличения светового выхода кристалла относительно исходной величины на 33%, что значительно превышает результат(5 — 7%), получаемый согласно прототипу.

В таблице приведены значения светового выхода с отработанных кристаллов относительно светового выхода кристаллов в зависимости от условий обработки, Из таблицы видно, что у всех образцов после обработки по предлагаемому способу световой выход увеличен на 15-20% относительно исходной величины, тогда как по способу-прототипу (пример 5) íà 5%. Выход годных кристаллов увеличивается в несколько раз.

Формула изобретения

Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия, включающий на15 35 тГ()Г; (-(Г)г()Е (3 33 в-il! 3iyr,(-

i (ir(»», !(. (Г.;1 () (Ià —. 1, -,-.Г 11(:Г)

) о

l f .I С»»-. ),, ()::, С I (I. )(1 Т (=,; Ь(I C(C Тi-. (. 13 i: : 13 1 l ; » ((., О Ц

1

1, (Г (.; Г ((I i(l

fl емг)(зр;, Iy ра Г

P(l:;.1 (,Г(n(1), Г(Г,(, (.)Г.) Л(Î .I jr(i

l1 (i,,l I(,1) l j 1 l,j (113 с: (((3,150

450

З(1 7 )(> г) l(3

I . "i ., ) (Г) д((1(3;3

Г.О()()ок ()!) (3 (,((1,1(с) Редактор T. Ку()кова

Заказ 56) 11» l, По,jlii"-.i:ое

ВНИ(1ПИ I (r(.)д(,.)(Г 1 с, Г) (((,1,1 е г)»() Il »(),)c)à(()г«", с ((j)I:ITL) Il i(>L; I I.I I (С.С ( ((3335 (3)1с(сква,,(... г г(уц(ока)(()гз, .3 1) Производс«((. III(.. (з)сс)гсяг,())ГИ 1 ) <)(I(;:» 11 ((,3)е)(т, r Уж (;(с)гс, у() Гс)гг)()L»I, 101 грев, вг гдержку и окна)кдени .." «()Г),(, держащей атмосфере,, ((1 г lо 11 (1 1 тЕM Ч3 О С ЦЕГГЬГО УЕЕГ Ll !i:, 1 I:.I О,(та .),()3! i

И Г)ОВИШЕГ)ИГ3 СВГ ТОС)С I !.) I Г I !i. (11 . l I) (. Ii предварительно г(аг I)(-" ",с, - .. рс(с;, 50--100 град/(3 ()p)1 г)р(р,:г(гн- с; с),) е, . (l Г(у() Г Г I l;)(j Ii i 1 )11(11»11 I 1111 j))ILV ()! I Г.

5 (3 1."1(", ОГК «(Ку Ир(кр;)»Са)С)1. Г:i::i,s! l ,;i,,(,. )(:, I i атг., "ф(,ру, Il()c(,l)(),iijiа; Г, : ((г, " .1(." 1 . ()(11);;т),г;; до 0 10 I" i0 с li

I Г,,, (I (i 3 1;(I

»»,(1)1)((;11 (С, (1 ltll li I l(()Г, = 1 Г((Е(1