Устройство для создания туннельного контакта

 

Изобретение относится к области создания контактов с малой площадью контакта, а также для образования малых диэлектрических зазоров между поверхностями двух проводящих электродов. Целью изобретения является повышение виброустойчивости, упрощение конструкции и расширение области применения. С этой целью упругий элемент с отношением длины L к диаметру D в пределах 10Λ/D*9810 5 закреплен концами на подвижной части механизма регулировки силы, а средней частью опирается на базовую деталь, при этом поверхность среднего участка упругого элемента, противоположная опорной, является одной поверхностью контакта, а второй поверхностью контакта является поверхность базовой детали, расположенная напротив среднего участка упругого элемента. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (st)s Н 01 1 21/28

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОPCКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4302042/24-07 (22) 24,06.87 (46) 15.08.90. Бюл. М 30 (71) Институт аналитического приборостроения Научно-технического объединения

АН СССР (72) Л.Н,Галль, А.О.Голубок, Д,Н.Давыдов и С.Я,Типисев (53) 621.3.066.6 (088.8) (56) Туннельные явления в твердых телах:

Сборник. М.: Мир, 1973.

Биннинг Смит, Трубчатый трехкоординатный пьезбпреобразователь для растрового туннельного микроскопа.— ПНИ, 1986, 1Ф 8, с. 152.

Морлэнд, Хансма. Электромагнитное устройство для сдавливания сжимаемых туннельных переходов.— ПНИ, 1984, йЬ 3, с. 136.

Изобретение предназначено для создания контактов с малой площадью контакта (микроконтактов), а также для образования малых диэлектрических зазоров (1 — 100 А) между поверхностями двух проводящих электродов, и может применяться для создания стабильных туннельных и микроконтактов при исследовании туннельных явлений в твердых телах, а также для исследования сверхпроводящих свойств широкого класса веществ.

Цель изобретения — повышение виброустойчивости, упрощение конструкции и расширение области применения.

На чертеже представлено предлагаемое устройство, .„, Ы„„1585847 Al (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СОЗДАНИЯ ТУННЕЛЬНОГО КОНТАКТА (57) Изобретение относится к технике создания контактов с малой площадью контакта, а также для образования малых диэлектрических зазоров между поверхностями двух проводящих электродов, Целью изобретения является повышение виброустойчивости, упрощение конструкции и расширение области применения. С этой целью упругий элемент с отношением длины I к диаметру d в пределах 10

Устройство содержит контактную пЬверхность 1, вторую контактную поверхность 2, базовую деталь 3, упругий элемент

4, подвижную часть 5 механизма регулировки силы, неподвижную часть 6 механизма регулировки силы.

Устройство работает следующим образом.

При перемещении подвижной части 5 механизма регулировки силы относительно базовой детали 3, протяженный упругий элемент 4 (струна), закрепленный обоими концами на подвижной части и огибающийсвоим средним участком базовую деталь 3 испыты вает деформацию сжатия — растяжения, укорачиваясь или удлиняясь, при этом происходит изменение его поперечного

1585847 размера на всей его длине, в частности на среднем участке, поверхность которого, противоположная опорной, расположена напротив поверхности базовой детали.

Вследствие изменения поперечного разме- 5 ра струны изменяется зазор между этими поверхностями.

Предлагаемое устройство повышает виброустойчивость за счет уменьшения размеров частей упругих элементов, подвер- 10 женных действием вибраций до 0,2 мм (в известном устройстве диаметр мембран

2 — 3 мм), и за счет того, что жесткость при деформации сжатие — растяжение выше, чем при деформации изгиба. Расширяется 15 также область применения за счет того, что вторая поверхность контакта, жестко связанная с базовой деталью, может быть поверхностью любого образца, жестко закрепленного на базовой детали. Упроще- 20 ние конструкции устройства состоит в том, что вместо электромагнитной регулировки силы предлагаемое устройство позволяет применять механические регуляторы перемещения, например с винтовым движением 25 по резьбе. Это становится возможным, благодаря применению в устройстве протяженного упругого элемента с отношением длины (I) к диаметру (d) в пределах.1. Так, при диаметре струны 0,1 мм, а длине 30

3 10 мм, перемещение подвижной части механической регулировки силы на 10 мкн приведет к изменению зазора на 10 А. Шаг порядка 10 мкн легко реализуется в механических устройствах перемещения. Заметим, что редукция смещения (а ) в устройстве при выполнении указанного условия будет лежать в пределах 3 10 «3 10 .

Формула изобретения

Устройство для создания туннельного контакта, содержащее два элемента с контактными поверхностями, базовую деталь, упругий элемент и механизм регулировки силы, прикладываемой к упругому элементу, выполненный из двух частей, одна из которых подвижна, а другая неподвижна относительно базовой детали, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения виброустойчивости, упрощения конструкции и расширения области применения, упругий элемент выбран с отношейием длины к диаметру в пределах 10.„10, закреплен конца5 ми на подвижной части механизма регулировки силы, а средней частью опирается на базовую деталь, при этом поверхность среднего участка упругого элемента, противоположная опорной, является одной контактной поверхностью, а второй контактной поверхностью является поверхность базовой детали, расположенная напротив среднего участка упругого элемента.

1585847

Составитель Е.Софонова

Техред M.Ìoðãåíòàë Корректор С.Шекмар

Редактор И.Сегляник

Заказ 2329 Тираж 463 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Устройство для создания туннельного контакта Устройство для создания туннельного контакта Устройство для создания туннельного контакта 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании СБИС ЗУ на арсениде галлия
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления больших интегральных схем
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и предназначено для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др
Наверх