Способ изготовления кремниевых структур

Авторы патента:

H01L21/225 - диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя

Способ изготовления кремниевых структур, включающий химическую обработку пластин кремния n-типа проводимости, загрузку пластины и источника алюминия в печь, проведение первой термообработки - диффузии алюминия, выгрузку из печи, загрузку пластин и источника галлия в печь и проведение второй термообработки - диффузии галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения времени жизни дырок в n-слое в качестве источника алюминия используют пленку оксида кремния толщиной 0,2-0,4 мкм, осажденную на кремниевую пластину из раствора и содержащую 0,3-4,8 мас.% оксида алюминия, а в качестве источника галлия используют пленку оксида кремния толщиной 0,2-0,4 мкм, осажденную на кремниевую пластину из раствора и содержащую 2,8-10,4 мас.% оксида галлия, причем легированную галлием пленку осаждают после диффузии алюминия непосредственно на легированную алюминиевую пленку.

Донорный раствор для диффузионного легирования кремния // 1593507

Способ изготовления кремниевых многослойных структур // 1568799

Твердый планарный источник диффузии фосфора // 1563507

Изобретение относится к технологии интегральных схем, в частности к конструкции твердых планарных источников диффузии фосфора, которые применяются для выполнения технологических процессов диффузии при создании эмиттерных областей активных элементов, стабилизации окисла фосфорно-силикатным стеклом, легирования сток-истоковых областей МДП-транзисторов, легирования поликремния и т.д

Способ изготовления p - n-переходов с лавинным пробоем // 1563506

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления кремниевых p - n-переходов, работающих в области лавинного пробоя

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией // 1531753

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых приборов

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором // 1480665

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов // 1480664

Способ изготовления твердого источника диффузии бора // 1479973

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а именно к изготовлению твердых источников диффузии бора

Способ изготовления твердых планарных источников диффузии бора на основе нитрида бора // 1454157

Изобретение относится к технологии создания высоколегированных P+ - слоев в кремниевых пластинах диаметром 100 мм мм при температурах диффузии 725 - 975°С

Способ изготовления p-n-перехода, легированного элементами или изотопами с аномально высоким сечением поглощения нейтронов // 2156009

Способ получения электропроводящего полианилинового слоя // 2315066

Изобретение относится к области проводящих полимеров, в частности полианилина, и может быть использовано для получения высокопроводящих полианилиновых слоев, волокон, проводящих элементов и устройств на их основе

Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника // 2359355

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур

Способ диффузии бора // 2361316

Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области

Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок // 2371807

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора

Способ нанесения борных и фосфорных легирующих композиций для изготовления солнечных фотоэлектрических элементов (сфэ) // 2444810

Изобретение относится к технологии изготовления оптоэлектронных приборов, в частности солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ)

Диффузант для легирования полупроводников типа a3b5 // 2050031

Установка легирования полупроводников в коронном разряде // 2017264

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к установкам для легирования полупроводников при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией // 1635817

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов

Пленкообразующий раствор // 1753886

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для формирования диффузионных источников сурьмы на кремнии при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем