Пленкообразующий раствор для легирования кремния мышьяком

Авторы патента:

H01L21/22 - диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов, в полупроводниковую подложку или из нее или между полупроводниковыми областями; перераспределение примесей, например без введения или удаления добавочной легирующей примеси

Пленкообразующий раствор для легирования кремния мышьяком, содержащий тетраэтоксисилан, этиловый спирт, ортомышьяковую кислоту и катализатор, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности поверхностного сопротивления и снижения разброса по глубине диффузионных слоев толщиной до 8 мкм, раствор дополнительно содержит воду, а в качестве катализатора используют азотную или соляную кислоты при следующем количественном соотношении компонентов, об.%: Тетраэтоксисилан - 16,0 - 26,0 Этиловый спирт - 61,3 - 73,9 Ортомышьяковая кислота - 3,1 - 6,8 Азотная (соляная) кислота - 0,5 - 1,4 Вода - 4,5 - 6,5

Способ диффузии алюминия и галлия в кремниевые пластины // 1593508

Донорный раствор для диффузионного легирования кремния // 1593507

Способ изготовления твердых планарных источников для диффузии фосфора // 1591753

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления твердых планарных источников фосфора для диффузии

Способ изготовления кремниевых многослойных структур // 1568799

Твердый планарный источник диффузии фосфора // 1563507

Изобретение относится к технологии интегральных схем, в частности к конструкции твердых планарных источников диффузии фосфора, которые применяются для выполнения технологических процессов диффузии при создании эмиттерных областей активных элементов, стабилизации окисла фосфорно-силикатным стеклом, легирования сток-истоковых областей МДП-транзисторов, легирования поликремния и т.д

Способ изготовления p - n-переходов с лавинным пробоем // 1563506

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления кремниевых p - n-переходов, работающих в области лавинного пробоя

Способ получения омического контакта // 1533567

Изобретение относится к электронной технике, в частности к приборам, изготавливаемым на основе эпитаксиальных структур кремния, и может быть использовано в приборах, работающих на сверхвысоких частотах

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией // 1531753

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых приборов

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором // 1480665

Способ легирования твердого тела // 2102816

Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента // 2146842

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Способ изготовления p-n-перехода, легированного элементами или изотопами с аномально высоким сечением поглощения нейтронов // 2156009

Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства // 2209487

Изобретение относится к приборостроению и может применяться для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках, а именно упругих элементов микромеханических датчиков, например подвесов чувствительных маятниковых элементов интегральных акселерометров

Способ легирования кремния фосфором и выращивания оксида на кремнии в присутствии пара // 2262773

Способ получения электропроводящего полианилинового слоя // 2315066

Изобретение относится к области проводящих полимеров, в частности полианилина, и может быть использовано для получения высокопроводящих полианилиновых слоев, волокон, проводящих элементов и устройств на их основе

Кассета для групповой диффузионной обработки кремниевых пластин // 2357319

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания кремниевых пластин во время диффузионной термообработки при изготовлении полупроводниковых приборов

Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника // 2359355

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур

Способ диффузии бора // 2361316

Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области

Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок // 2371807

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора