Способ очистки подложек гибридных интегральных микросхем

 

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к очистке подложек микросхем в процессе монтажа. Цель изобретения - повышение качества очистки и снижение токсичности состава. Подложки микросхем с навесными элементами погружают в состав, содержащий, мас.%: гидроокись аммония 1,25 - 1,45, поверхностно-активные вещества формулы RC₆H₄O(CH₂CH₂O)_nH (R = C₉H₁₉, а n = 10 или 12) 0,25 - 0,35, поливинилпирролидон 0,025 - 0,35, вода остальное. Обработку подложек в указанном составе проводят при 50 - 60^oС в течение 10 - 15 мин. Подложки промывают в депонизированной воде и сушат. В результате обработки обеспечивается качественная очистка подложек микросхем от канифольного флюса. 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к очистке подложек гибридных микросхем в процессе монтажа. Цель изобретения повышение качества очистки и снижение токсичности состава. Цель достигается за счет использования в составе для очистки, содержащем гидроокись аммония, воду и поверхностно-активное вещество (ПАВ), в качестве ПАВ вещество формулы RC₆H₄O(CH₂CH₂O)_n ^.H, где R С₉Н₁₉, n 10 или 12 в сочетании с поливинилпирролидоном, причем обработку в указанном составе проводят при 50-60^оС в течение 10-15 мин. Приготовление состава заключается в смешивании водного раствора гидроокиси аммония с водным раствором ПАВ, в качестве которых используют оксиэтилированный моноалкилфенол Неонол АФ 9-10 или Неонол АФ 9-12 и поливинилпирролидон. П р и м е р. В деионизованной воде (удельное сопротивление ≈ 10 Мом) готовят 1 л моющего состава при следующем количественном соотношении компонентов, мас. Гидроокись аммония (25%) 1,25 Неонол АФ 9-10 0,25 Поливинилпирролидон 0,025 Вода до 100% Платы микросхем УВО1Y с навесными элементами, посаженными на лудящую пасту ПЛ-112, устанавливают в кассету и погружают моющий состав с температурой 55^оС, обрабатывая в течение 15 мин. После обработки подложки промывают в токе деионизованной воды с удельным сопротивлением 10 Мом комнатной температуры в течение 1,5-2 мин и сушат очищенным сжатым воздухом. Далее подложки поступают на визуальный контроль качества очистки. Показатели качества очистки приведены в таблице. Как следует из таблицы, состав обеспечивает качественную очистку подложек гибридных микросхем от канифольного флюса в процессе монтажа. Отклонение значений сопротивлений резисторов после очистки от первоначальных составляет ±0,6% Повышается стабильность процесса УЗ-сварки, увеличивается прочность сварного соединения. Отсутствуют механические нарушения поверхности (изолирующей, проводниковой, резистивной). Выход годных увеличивается до 100%

Формула изобретения

СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОДЛОЖЕК ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ от канифольного флюса, включающий обработку подложек в составе, содержащем гидроокись аммония, поверхностно-активное вещество и воду, их промывку деионизованной водой и сушку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества очистки и снижения токсичности процесса, при обработке подложек в качестве поверхностно-активного вещества используют смесь оксиэтилированного моноалкилфенола формулы RC₆H₄O(CH₂CH₂O)_n · H, где R = C₉H₁₉, n = 10 или 12, и поливинилпирролидона при следующем соотношении компонентов, мас.%: Гидроокись аммония - 1,25 - 1,45 Поливинилпирролидон - 0,025 - 0,35 Оксиэтилированный моноалкилфенол формулы RC₆H₄O(CH₂CH₂O)_n · H, где R = C₉H₁₉, n = 10 или 12 - 0,25 - 0,35 Вода - Остальное причем обработку проводят при 50 - 60^oС в течение 10 - 15 мин.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2