Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала

 

Изобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и радиотехники и может быть использовано в производстве однослойных и многослойных монолитных керамических низкочастотных конденсаторов по группе Н90. Для повышения диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетокерамического конденсаторного материала содержит в качестве цирконата щелочноземельного элемента BaZr03 при следующем соотношении компонентов,, мас.%: BaTiO-j 86,9-89,05; BaZr03 8,5-9,5; ZnO 1- 1,5; Nd203 1-1,25; 0,4-0,7; MnCOj 0,05-0,15, Полученный однократным обжигом при 1300-1380°С, материал из предложенной шихты имеет следующие характеристики: Ј. при 20°С 16500-23000, tg 8 при 20°С 0,005- 0,012; pv Ом см; Q 15-30°С„ 1 табл.

СОЮЗ СО8ЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

Д 1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ifl ; (3=

Л»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4675873/33 (22) 11.04.89 (46) 28.02.91. Бюл. N 8 (72) M.Ï.Äîðîõîâà, Б.A.Ðîòåíáåðã, Л.Е.Ревина и С.П.Рябинина (53) 666.638 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 1458355, кл. С 04 В 35/46.

Авторское свидетельство СССР

810643, кл. С 04 В 35/46, 1981. (54) ПИХТА СЕГНГТОКГРА1:1ИЧЕСКОГО КОН—

ДЕНСАТОРНОГО МАТЕРИАЛА (57) Изобретсние относится к материалам радиоэлектронной техники и радиотехники и может быть использовано в производстве однослойных и многослойных монолитных керамических

Изобретение относится к материалам радиоэлектронной техники и ра— диотехники и может быть использовано в производстве однослойных и многослойных монолитных керамических низкочастотных конденсаторов по группе Н90.

Цель изобретения — повышение диэлектрической проницаемости материала.

Керамический материал приготавливают по обычной керамической технологии — сухой помол в вибромельнице с резиновой футеровкой и стальными шарами в течение 2-4 ч до удельной поверхности и 00,4-0,5 м /г, после чегб производят дополнительный по— мол в мельнице KSK до удельной поверхности не менее 2 м /г, (51) 5 С 04 В 35/46 Н 01 С 4/12

2 низкочастотных конденсаторов по группе Н90. Для повышения диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетокерамического конденсаторного материала содержит в качестве цирконата щелочноземельного элемента BaZrO> при следующем соотношении компонентов, мас.%: BaTiO

86,9-89,05, BaZr03 8,5-9,5; Zn0

1,5; 1Ы Оз 1 — 1,25; ИВ, О - 0,4 — 0,7;

ИпСО 0,05-0,15. Полученный одно— кратным обжигом при 1300-1380 С, материал из предложенной шихты имеет следующие характеристики: С при 20 С

16500-23000, 8 8 при 20 С 0,005- . I

0,012; f3 10 Ом см; Hg 15-30 С.

1 табл.

Загрузку компонентов производят согласно указанному соотношению ком- ф"1 понентов. В полученную массу (предва- @ф рительно ее высушивают) вводят связ- р ку (10% — ный поливиниловый спирт в количестве 8%) и методом прессования д изготавливают образцы в виде дисков а * для испытаний. Образцы обжигают в интервале температур 1300 — 1380 С, затем наносят электроды методом вжигания серебр осодержащей пасты при Т 800 С о и измеряют электрические характеристики.

В таблице приведены составы шихты и характеристики полученных из указанной шихты материалов.

Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Нихта сегнетокерамического конденсаторного материала, включающая

1631056

BaTiO» цирконат щелочноземельного элемента, Znp, 1Ы Оз, Nb<0< и МпСО>, отличающаяся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости материала, она содержит в качестве цирконата щелочноземельного элемента BaZrP пРи следующем соотношении

BaTiO3

BaZrOз

ZnO

Nd203

Нь20 $

МпСО

Приме ры

Состав и характеристики

2 3 (макс.) (среди,) 1 (мин, ) Прототип

86,9

9,5

0,7

1,25

1,5

0,15

18000-21000

0,8-1,2

>10

15-20

10500-14000

0,5-0,75

)10

15-20

Составитель Л.Косяченко

Техред П.Сердюкова Корректор Н.Ревская

Редактор Т.Парфенова

Заказ 523 Тираж 440 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГЕНТ СССР

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

BaTiOg

BaZrO>

ИЬ20, 1Ы 203

ZnO

IfnCOg

E го с

tg 8 gpog х 10 ),, OM» cM

9y С

89,05

8,5

0,4

1,0

1,0

0,05

16500-20000

0,9-1,2

)10"

25-30

88,0

9,0

0,5

1,2

1,2

0,1

20000-23000

0,6-1,2

>10

20-25 компонентов, нас. 7.:

86,90-89,05

8,50-9,50

1,00-1,50

1,00-1,25

0,40-0,70

0,05 — 0,15