Носитель информации

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических управляемых транспарантах . Целью изобретения является повышение надежности работы носителя информации и его быстродействия. Носитель информации содержит области 1 слоя магнитоодноосного материала с пониженной намагниченностью насыщения (ячейки), которые окружены по периметру углублениями 2. за исключением участка ввода, где граница 3 между областями с разной намагниченностью насыщения выполнена выпуклой по направлению к центру ячейки. Между ячейками размещены две ортогональные системы 4 и 5 токопроводящих шин, отделенные друг от друга диэлектрическим слоем . Слой магнитоодноосного материала нанесен на диэлектрическую гранатовую подложку. Выполнение углублений по периметру ячейки повышает надежность работы носителя информации, так как они уменьшают возможность перемагничиванияя ячейки под воздействием доменной структуры, окружающей ячейку. При использовании магнитоодноосного материала с орторомбической анизотропией на гранатовой подложке с ориентацией осей кристаллической решетки (210) и возможности ориентации направления максимальной скорости пере

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4701293/24 (22) 03.05.89 (46) 15.06.91. Бюл. M 22 (75) M.Â.Ëîãóíîâ и В.В.Рандошкин (53) 681.327.66 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 1279410, кл. 6 11 С 11/42, 1984.

Авторское свидетельство СССР

М 1137924, кл, G 11 С 11/14, 1983. (54) НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических управляемых транспарантах. Целью изобретения является повышение надежности работы носителя информации и его быстродействия. Носитель информации содержит области 1 слоя магнитоодноосного материала с пониженной намагниченностью насыщения (ячейки), которые окружены по периметру углублени!

Ж 1656594 A 1 (5 )5 G 11 С 11/14

1 ями 2, за исключением участка ввода, где граница 3 между областями с разной намагниченностью насыщения выполнена выпуклой по направлению к центру ячейки. Между, ячейками размещены две ортогональные системы 4 и 5 токопроводящих шин; отделенные друг от друга диэлектрическим слоем. Слой магнитоодноосного материала нанесен на диэлектрическую гранатовую подложку. В ыполнение углублений по периметру ячейки повышает надежность работы носителя информации, так как они уменьшают возможность перемагничиванияя ячейки под воздействием доменной структуры, окружающей ячейку. При использовании магнитоодноосного материала с орторомбической анизотропией на гранатовой подложке с ориентацией осей кристаллической решетки (210) и возможности ориентации направления максимальной скорости переУ У

1б56594

1i 0

30

40 мещения доменной границы на участке ввода из угла пересечения токопроводящих шин к центру ячейки уменьшается время

Изобретение относится к вычислительной технике и может быпгь использовано в магнитооптических управляемых транспарантах.

Цель изобретения — повышение надежности работы носителя информации и его быстродействия, На чертеже изображена конструкция

Носителя информации;

Носитель информации содержит обла ти 1 слоя магнитоодноосного материала с ониженной намагниченностью насыщеия (ячейки), которые окружсны по перимету углублениями, за исключениемучастка ввода, где граница 3 между областями с разной намагниченностью насыщения вы полнена выпуклой по направлению к центру ячейки. Между ячейками раазмещены две бртогональные системы 4 и 5 токопроводя щих шин, отделенные друг от друга диэлектрическим слоем. Ячейки могут иметь различную, например. восьмиугольную форму.

Магнитоодноосный материал с ортаромбической анизотропией вь;полнен из феррит-граната состава (т, Lu, Рг, В1)з х (Fe, Оа, А1) Од с содержанием висмута от 0,5 до

2,3 атомов на формульную единицу граната

На гранатовой подложке состава, наг ример

i.tdçGà50à. с ориентацией осей кристаллической решетки (210).

Направгение максимальной скорогти

Продвижения доменных границ на участке ввода ориентировано из угла пересечения токопроводящих шин к центру ячейки, Области с пониженной намагниченностью насыщения можно сформировать с помо цью диффузионного отжига в присутСтвии кремния, Это позволяет снизить намагниченность насыщения в 3-10 раз, Углубления 2 по периметру ячеек могут иметь глубину (0,1 — 1) h, где ii — толгцина слоя магнитоодноосного материала, и ширину

2-10 мкм при размере ячеек 50-150 мкм, Токопроводящие шины могу быть изготовлены методом фотолитогоафии, Работа накопителя закл ючается в управляемом переключении вектора намагниченности ячеек, При подаче токов в два проводника переключается только та ячейка, которая находится на пересечении этих шин и ее участок ввода примыкав к этому пересечению, Для переключения ячейки в переключения ячейки, в результате повышается быстродействие носителя информации, 2 з,п, ф-лы, 1 ил, пг отивоположное состояние направление токов изменяют на противоположное. Переключение ячейки происходит ".а счет прорастания домена из участка ввода, формируемого сильным суммарным магнитным полем двух проводников, вглубь ячейки через границу 3. Идентификация состояния намагниченности ячейки может быть осуществлена с помощью эффекта Фарадея.

При наличии углублений по периметру ячейки повышается надежность, работы носителя информации, так как уменьшается возможность перемегничйвания ячейки под воздействием доменной структуры, о;ружающей я ейку. Кроме того, при использовании магнитоодноосного материала (Y, Lu, Pr, Bi)g(Fe. Ga, А!)50и с орторомбической анизотропией на диэлектрической гранатовой подложке с ориентацией осей кристаллической решетки (210) и ориентации направления максимальной скорости перемещения доменных границ на участке ввода из угла пересечения токопроводящих шин к центру ячейки уменьшается время переключения ячейки, в результате чего повышается быстродействие носителя информации.

Формула изобретения

1. Носитель информации, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенным на нее слоем магнитоодноосного материала, в котором выполнены чередующиеся области с разной намагниченностью насыщения в смежных областях, а между смежными областями . расположены две ортогональные системы токопроводящих шин, которые разделены в местах пересечения диэлектрическим слоем, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения надежности работы носителя информации, области с меньшей намагниченностью насыщения выполнены в виде ячеек, по периметру которых, кроме участка ввода. расположенного возле одного из пересечений двух токопроводящих шин, выполнены углубления, причем граница между областями с разной намагниченностью насыщения на участке ввода выпогнена выпуклой пс направлению к центру ячейки.

2, Носитель по п.1. отличающийся тем, что, с целью повышения быстродейст1656594

Составитель Г. Аникеев

Редактор Л. Пчолинская Техред М.Моргентал Корректор М, Демчик

Заказ 2055 Тираж 349 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 вия носителя информации, слой магнитоодноосного материала выполнен с орторомбической анизотропией, а направление максимальной скорости перемещения доменных границ на участке ввода ориентировано из угла пересечения токопроводящих шин к центру ячейки.

3. Носитель по п.1, о тл и ч à ю щи й55 с я тем, что, с целью повышения быстродействия носителя информации, магнитоодноосный материал выполнен состава (Y, Lu, Pr, В!)з(Ре, Ga, АфОа, а диэлектрическая подложка выполнена с ориентацией осей кристаллической решетки (210).

Носитель информации Носитель информации Носитель информации 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике, может быть использовано при создании ЗУ на ЦМД, оно позволяет увеличить надежность и выход годных ЦМД-микросхем за счет упрощения конструкции ia- копителя В накопителе на ЦМД с произвольным доступом к регистрам хранения информации генератор ЦМД и расширитель детектора совмещают в одном узле, выполненном в виде петли (шпильки), соседние пары линеек ячеек хранения информации регистров хранения магнитосвязывают между собой последовательно в общий кольцевой регистр, а управляющие шины этих пар линеек соединяют последовательно

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в накопителях на ЦМД

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке накопителей на вертикальных блоховских линиях (ВЕЛ)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании магнитооптических устройств обработки и хранения информации

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих ус гройгств на цилиндрических магнитных пленках (ГМП)„ Целью изобретения является повышение надежности и бь-ст родейс вия устройства Устройство содержит генератор 1, триггеры 2-4 управления , распределители импульсов 5-7, гчетчики пиктов 8-10, блек уп- : рэвлрш я 11 счетчиком адреса, триггер контроля (2, блок 13 управления разрядным током, элемент ИЛИ 14, элеме IT И 15, триггер улрг.рлсния 16, реьерсмвнпи счетчик 17, дешифратор -.,;-,- адреса 18, опох анализа 9 сигнала к матрицу 20 пагят1:

Изобретение относится к вь,числитель- /ноЛ технике и может быть использовано для контроля микросборок доменной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле накопителей информации на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке ассоциативных запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх