Способ изготовления матрицы для гальванопластического получения перфорированных изделий

 

Изобретение относится к гальванопластике, в частности к гальванопластическому изготовлению перфорированных изделий. Целью изобретения является повышение количества изделий с одной матрицы. По изобретению изготавливают перфорированную металлическую модель из двух идентичных по форме частей, толщина одной из которых соответствует толщине изделия, устанавливают модель на временное основание, заполняют отверстия в модели диэлектрическим материалом, на основе эпоксидной смолы, причем заполнение осуществляют на толщину, превышающую толщину модели, после чего временное основание и часть модели соответствующей толщине изделия удаляют. Полученнуюб матрицу используют для получения перфорированных изделий гальваническим осаждением меди, никеля, сплава никелякобальт или др. металлов. С одной матрицы можно получить 90 изделий при сохранении высокой точности их геометрии.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (gg)g С 25 0 1/10

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ф»

Ь» (21) 4489308/02 (22) 03,10,88 (46) 30.07.91, Бюл, Гв 28 (72) А.M.Ïîñâîëüñêèé, Н.Н.Исаев и В,С,Пужливый (53) 621,357.67(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 645990, кл, С 25 О 1/10, 1977, Вячеславов П,М„Волянюк Г,А. Электролитическое формование. Л.: Машиностроение, 1979, с. 20-22.

Авторское свидетельство СССР

М 72558, кл. С 25 D 1/10, 1946. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ

ДЛЯ ГАЛЬВАНОПЛАСТИЧЕСКОГО ПОЛУЧЕНИЯ ПЕРФОРИРОВАННЫХ ИЗДЕЛИЙ (57) Изобретение относится к гальванопластике, в частности, к гальванопластическому изготовлению перфорированных

Изобретение относится к гальванопластике, в частности к гальванопластическому изготовлению металлических перфорированных изделий.

Целью изобретения является повышение количества изделий с одной матрицы.

По изобретению изготавливают составную перфорированную модель из металлического материала, состоящую иэ двух идентичных по форме частей, из которых по крайней мере одна по толщине соответствует изготавливаемому иэделию, устанавливают составную модель на временное основание отверстия в модели заполняют

„„Я „„1666582 А1 изделий. Целью изобретения является повышение количества изделий с одной матрицы. По изобретению изготавливают перфорированную металлическую модель из двух идентичных по форме частей, толщина одной иэ которых соответствует толщине изделия, устанавливают модель на временное основание, заполняют отверстия в модели диэлектрическим материалом, на основе эпоксидной смолы, причем заполнение осуществляют на толщину, превышающую толщину модели, после чего временное основание и часть модели соответствующей толщине изделия удаляют. Полученную матрицу используют для получения перфорированных изделий .гальваническим осаждением меди, никеля, сплава никеля— кобальт или др, металлов. С одной матрицы можно получить 90 иэделий при сохранении высокой очности их геометрии.

©ь диэлектрическим материалом на основе эпоксидной смолы. толщиной, превышаю- 0© щей толщину модели, после чего временное основание и часть модели, соответствующую по толщине изготавливаемому иэделию, отделяют. ° аеюЪ

Пример. Изготавливали изделие "сетчатый модуль электрода" для аккумуляторов, представляющий собой сетчатую пластину толщиной 200 мкм, с квадратными отверстиями размером 4х 4 мм и расстоянием между центрами отверстий 4,5 мм.

Для этого изготавливали по негативному фотошаблону с изображением изделия

1666582

Составитель Л, Казаков

Редактор Е, Зубиетова Техред M.Mop .åíòàë Корректор О, Ципле

Заказ 2500 Тираж 395 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул, Гагарина, 101 методом фотолитографии фоторезистивную матрицу из фоторезиста марки СПФ-2ВЩ. . На матрицу наращивали изделие иэ сплава никель-кобальт толщиной 200 мкм в сульфаматном электролите никелирования, Состав электролита и режим осаждения были следующими:

Сульфамат никеля 340 г/л

Сульфамат кобальта 10 г/л

Хлорид никеля 5 г/л

Борная кислота 30 г/л

Лаурилсульфат натрия 0,1 г/л

Температура 45о С

Плотность тока 1 — 2 А/дм

Из указанного электролита выращива-. ют по фоторезистивным матрицам детали двух типов: первая соответствует толщине изготавливаемого изделия, вторая — в несколько раз толще в данном случае — 1 мм.

Фоторезистивный слой удаляют химическим путем обработкой в 30 -ном растворе КОН при 50-70 С и детали отделяют от подложки.

Изготовленные детали совмещают по контуру и покрывают лаком марки ХСЛ, устанавливают модель частью, соответствуюшей по толщине изготавливаемому иэделию, на временное основание иэ оргстекла, фиксируя ее указанным выше лаком, Устанавливают временное основание с моделью, заливают на высоту 10 мм эпоксидной композицией следующего состава, мас.ч.:

Эпоксидная смола ЗД-20 100

Пол иэтиленполиамины 15

После отверждения композиции модель вынимают иэ опоки, отделяют временное основание и верхнюю деталь сборной модели механически с промывкой в горячей воде для удаления лака. Получают таким образом матрицу, на которую наращивают иэделия толщиной до 200 мкм из электролитов меднения, никелирования, сплава никель-кобальт и т.п, Например, детали из никеля наращивают следующим образом, На матрицу наносят разделительный слой в растворе бихромата калия 120 г/л в течение 15 мин.

Матрицу промывают в горячей воде и завешивают в ванну. Состав электролита и режим:

Сульфат никеля 340 г/л

Хлорид никеля 5 r/n

Борная кислота 30 г/л

Лаурилсульфат натрия 0,3 г/л

Температура 50оС

Плотность тока 2 А/дм

Готовую деталь легко отделяют от матрицы, Таким образом с матрицы было получено 90 шт. изделий с четкой кромкой отверстий — вертикальной стенкой отверстий.

Отклонение размера от исходного не превышает 0,02 мм при изготовлении перфорированных изделий с использованием матрицы, полученной способом фотолитографии. Количество полученных изделий не превышает 500. а в случае использования плоской матрицы с чередованием проводящих и непроводящих участков ухудшается и точность геометрии получаемых изделий, Указанные выше преимущества позволят использовать изобретение для изготовления перфорированных сложнопрофильных иэделий различного назначения.

Формула изобретения

Способ изготовления матрицы для гальванопластического получения перфорированных изделий, включающий изготовление неметаллической модели с отверстиями, соответствующими перфорации изделия и заполнение отверстий диэлектрическим материалом, отличающийся тем, что, с целью повышения иэделий с одной матрицы, металлическую модель выполняют иэ двух идентичных по форме частей, толщина одной из которых соответствует толщине иэделия, устанавливают модель на временное основание и в качестве диэлектрического материала для заполнения отверстий беру состав на основе эпоксидной смолы, причем заполнение осуществляют на толщину, превышающую толщину модели, после чего временное основание и часть модели, соответствующей толщине изделия, отделяют.

Способ изготовления матрицы для гальванопластического получения перфорированных изделий Способ изготовления матрицы для гальванопластического получения перфорированных изделий 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к гальванопластике, в частности к гальванопластическому изготовлению перфорированных тонкостенных изделий

Изобретение относится к области гальванопластики и может быть использовано для изготовления сложных моделей

Изобретение относится к области гальванопластики, в частности к электролитическому формообразованию сложнопрофилированных деталей с переменной толщиной стенки

Изобретение относится к области гальванопластики, в частности к электролитической формовке сложнопрофилированных деталей с переменной толщиной стенки

Изобретение относится к литейному производству и может быть использовано при изготовлении литейных форм преимущественно для многократной отливки мелкоразмерных изделий со сложным рельефом поверхности

Изобретение относится к области нанотехнологии для микроэлектроники

Изобретение относится к области гальванопластики и может быть использовано в микроэлектронике при изготовлении магнитных и немагнитных масок для напыления тонких слоев органики, металлов и диэлектриков органических светоизлучающих диодов

Изобретение относится к области гальванотехники и направлено на формирование электропроводящего подслоя на диэлектрических моделях и формах для электрохимического осаждения металлов

Изобретение относится к гальванопластическому изготовлению матриц пресс-форм
Наверх