Элемент памяти

 

Изобретение относится к электронной вычислительной технике, в частности к триггерным запоминающим элементам для устройств памяти ЭВМ. Целью изобретения является повышение надежности элемента памяти. Поставленная цель достигается за счет того, что вторые выводы первого и второго резисторов соединены с коллекторами первого и второго транзисторов соответственно, первые эмиттеры которых соединены с вторым выводом первичной и первым выводом вторичной обмоток трансформатора, а вторые эмиттеры подключены к первой и второй разрядным шинам соответсвенно, второй вывод вторичной обмотки трансформатора соединен с первым выводом первичной обмотки трансформатора. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕ ТСКИХ

СОЦИАЛИСГИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (s>)s 6 11 С 19/14

ГОсудАРстВенный кОмитет

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4700081/24 (22) 01.06.89 (46) 23.08.91. Бюл. N. 31 (72) В.В.Варламов (53) 681.327.66 (088,8) (56) Алексенко А.г. и Шагурин И,И. Микросхемотехника. М: Радио и связь, 1982, с, 249, рис. 7.2,а.

Авторское свидетельство СССР

М 233307, кл, G 11 С 19/14, 1967. (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к электронной вычислительной технике, в частности к триггерным запоминающим элементам для уст„„5U „1672528 А1 ройств памяти ЭВМ. Целью изобретения является повышение надежности элемента памяти. Поставленная цель достигается за счет того, что вторые выводы первого и второго резисторов соединены с коллекторами первого и второго транзисторов соответственно, первые эмиттеры которых соединены с вторым выводом первичной и первым выводом вторичной обмоток трансформатора, а вторые эмиттеры подключены к первой и второй разрядным шинам соответственно, второй вывод вторичной обмотки трансформатора соединен с первым выводом первичной обмотки трансформатора. 1 ил.

16725?8

Составитель С.Королев

Техред M.tËîðãåiïàë Корректор С.Черни

Редактор А.Еер

Заказ 2844 Тираж 325 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35. Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент". r. Уж ород, ул.Гагарина, 101

Изобретение относится к злектрочнои вычислительной технике, в частности к триггерным апоминающим элементам для устройств памяти ЭВМ, Целью изобретения является повышение надежности элемента памяти.

На чертеже изображена принципиальная схема элемента памяти, Он содержит первый резистор 1, второй резистор 2, первый транзистор 3, второй транзистор 4, первую разрядную шину 5, вторую разрядную шину 6, адресную шину 7, трансформатор 8, Элемент памяти работает следующим образом.

Данный элемент может находиться в следующйх режимах; хранение информации при включенном питании; выбранное состояние (и считывание); запись; хранение инфорл ации при отключенном питании.

В режиме хранения информации при включенном питании происходит запись информации в трансформатор 8 на ферритовую пластину. В этом режиме, если в триггер записан "0", эмиттерный ток открытого транзистора 3 замыкается на землю .ерез шину 7. Этот ток, протекая по проводнику, который соединяет первый эмиттер открытого транзистора 3 с шиной 7, создает вокруг этого проводника электрическое поле, напряженность которого должна быть равна или превышать напряженность поля насыщения ферритовой пластинки трансформатора 8 и намагничивать ее до насыщенного состояния. Если в триггере информация после записи изменится, то откроется транзистор 4 и за счет того, что проводники, соединяющие первые эмиттеры и шину 7, подключены встречно, ток транзистора 4, протекая через вторичную обмотку трансформатора 8, будет иметь противоположное направление по отношению к току первого транзистора 3, соответственно электрическое поле, созданное им, будет противоположно полю первого транзистора 1, и трансформатор 8 перемагнитится в противоположное насыщенное состояниее.

При отключении питания информация о

5 состоянии триггера будет храниться в трансформаторе 8. В момент подключения питания на обмотке трансформатора 8 действует

ЭДС индукции, вызванная остаточной намагниченностью пластины. В обмотке, в ко10 торой магнитное поле противоположно направлено магнитному полю ферритовой пластины, ЭДС индукции, наводимая в нем, будет отрицательной; в другой обмотке магнитное поле будет сонаправлено с магнит15 ным полем ферритовой пластины и ЭДС индукции, наводимая в ней, будет положительной. При равных других параметрах триггера первым откроется тот транзистор

3 или 4, у которого будет больше ток базы, 20 т, е. для которого ЭДС индукции положительна.

Формула изобретения

Элемент памяти, содержащий два

25 транзистора, два резистора, трансформатор, первый вывод первичной обмотки которого подключен к адресной шине элемента памяти, к шине питания которого подключены первые выводы первого и второго реэисто30 ров, вторые выводы которых соединены с базами второго и первого транзисторов соответственно, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, вторые выводы первого и второго

35 резисторов соединены с коллекторами первого и второго транзисторов соответственно, первые эмиттеры которых соединены с вторым выводом первичной и первым выводом вторичной обмоток трансформатора

40 соответственно, а вторые эмиттеры подключены к первой и второй разрядным шинам элемента памяти соответственно, второй вывод вторичной обмотки трансформатора соединен с первым выводом первичной об45 мотки трансформатора.