Способ записи информации

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на основе доменосодержащих пленок феррит-гранатов. Целью изобретения является повышение быстродействия способа и снижение потребляемой мощности. В соответствии со способом запись информации осуществляется следующим образом. Воздействуют на локальные участки доменосодержащей пленки феррит-граната импульсным магнитным полем амплитудой H<SB POS="POST">с</SB> *98 H<SB POS="POST">имп</SB> *98 4H<SB POS="POST">с</SB>, где H<SB POS="POST">с</SB> - коэрцитивность пленки, в одном направлении вдоль оси легкого намагничивания пленки при записи двоичной "1" и в противоположном направлении при записи двоичного "о". 3 ил.

СОК З СОВЕТСКИХ социАлистических

РеспуБлик

1674258 Al (s»s G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ., К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4709808/24 (22) 26,06,89 (46) 30,08,91. Бюл.М 32 (71) Донецкий физико-технический институт

АН УССР (72) Ф.Г.Барьяхтар, Ю.А.Кузин, lO.В.Мелихов и А.М.Редченко (53) 681.327.66 (088.8) (56) ФТТ, т,20, вып. 5, 1978 г„с.с. 1477 — 1482, Квантовая электроника, т.4, 1977, N 9, (54) СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ (57),Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на осИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на основе доменосодержащих пленок ферритовгранатов (Ф Г).

Целью изобретения является повышение быстродействия способа и снижение потребляемой мощности.

На фиг.1 изображена блок-схема устройства, в котором реализован предложенный способ записи информации; на фиг.2— магнитооптический отклик на импульсное магнитное поле; на фиг.3 — магнитооптический сигнал на выходе ФЭУ.

В соответствии с предложенным способом запись информации осуществляется следующим образом.

Воздействуют на локальные участки доменосодержащей пленки феррита-граната импульсным магнитным полем амплитудой

Hg < Нимп < 4Нс, где Нс — коэрцитивность нове доменосодержащих пленок ферритовгранатов. Целью изобретения является повышение быстродействия способа и снижение потребляемой мощности. В соответствии со способом запись информации осуществляется следующим образом. Воздействуют на локальные участки доменосодержащей пленки феррита-граната импульсным магнитным полем амплитудой

Нс < Нимп < 4Нс, где Нс — коэрцитивность пленки, в одном направлении вдоль оси легкого намагничивания пленки при записи двоичной "1" и в противоположном направлении при записи двоичного "0", 3 ил, пленки, в одном направлении вдоль оси пегкого намагничивания пленки при записи двоичной "1" и в противоположном направлении при записи двоичного "0".

Известно, что в раэмагниченной пленке

ФГ существует доменная структура, принимающая обычно форму лабиринта. Магнитные моменты в соседних доменах таких структур отличны or нуля и имеют антипараллельное направление, так что средний момент пленки ФГ в раэмагниченном состоянии оказывается равным нулю. При прохождении через пленку ФГ линейно поляризованного света домены с различным направлением намагниченности вращают плоскость поляризации света в противоположные стороны в силу эффекта

Фарадея. Поэтому если на систему поляризатор — пленка Фà — анализатор падает световой поток интенсивностью 4, то на выходе системы интенсивность светового

1674258 потока, проходящего через домены с противоположной намагниченностью, будет 1+,. где знаки "+" и "-" соответствуют противоположным направлениям намагниченности. Известно также, что 1 > 1, и поэтому одни домены будут выглядеть светлыми, а другие — темными при наблюдении доменной структуры с помощью эффекта Фарадея, При увеличении внешнего магнитного поля, направленного вдоль оси легкого намагничивания пленки ФГ, от нуля до вели; чины Н > Н ширина доменов изменяется, а вместе с ними изменяется и величина суммарного светового потока, проходящего через некоторый участок пленки ФГ площадью (а Ь) и равного tz = 1++ 1, Пусть в поле Н ширина доменов изменялась на величину А Тогда относительное изменение светового потока, обусловленное изменением ширины доменов, будет. равно д!» 2Л где P Нс, после уменьшения поля до нуля не вернется к величине о, соответствующей размагниченному состоянию, а изменится на величину

24д1, =- — tgо

Ро где Лг — остаточное изменение ширины доменов, обусловленное гистерезисными явлениями, и будет равен

, = lr. + д = i„, (1 + р )

2hr

Ро

Таким образом, отношение световых потоков от области, подвергавшейся воздействию магнитного поля Н >Н, и от области, находящейся в размагниченном состоянии, будет равно — — =:1+ —, Ро

Экспериментальная проверка показала, что при импульсном перемагничивании пленок ФГ величина. 6 изменяется с ростом поля Н нелинейно и достигает максимального значения Ля в поле Н= 2Н . В силу этого максимальное значение соотношения световых потоков от указанных областей, которые соответствуют

10 та от ртутной лампы в оптическую схему микроскопа введено зеркало 4, отразившись от которого, лучи последовательно проходят через поляризатор 5, фокусирую35 щую линзу 6 и исследуемый образец 7.

Пройдя через образец, лучи попадают в объектив 8, анализатор 9 и далее на фотокатод фотоэлектронного умножителя 10 (марка

ФЗУ-113), который запитан от стабилизиро40 ванного источника 11 напряжений (марка

БЛ EHB 3-09), Электрический сигнал с нагрузки ФЗУ (50 Ом) попадает на вход стробоскопического осциллографа 12 (марка

С7-12), аналоговый сигнал с которого после

45 "обработки" в блоке 13 подавления дрейфа и шума подается на координату Y двухкоординатного самописца 14 (марка ЛКД-04), При этом вторая координата X "разворачивается" с помощью линейно нарастающего

50 напряжения, снимаемого со стробоскопического осциллографа, работающего в режиме

"Запись", В данной установке предусмотрен и другой режим работы, в котором сигнал с

55 нагрузки ФЗУ подается непосредственно на вход Y в вторая координата X "разворачивается с помощью внутренней развертки самописца.

30 информационным "единице" и "нулю", будет равно

2Лв

=1+— хо Ро

Приведенное соотношение можно еще увеличить, если при записи "0" испольэовать поле такой же величины 2М, но противополо>кного направления по отношению к направлению поля, используемого для записи 1

Предложенный способ записи и хранения информации экспериментально проверен и отработан на магнитооптической установке, собранной на базе поляриэационного микроскопа МИМ-7, переоборудованного соответствующим образом с целью проведения наблюдений с помощью магнитооптического эффекта Фарадея (фиг.1).

В осветителе микроскопа применены ртутная лампа 1 (марка ДРШ-100-2), блок питания (марка П-133). Данный тип лампы был выбран из-за стабильности, большой выходной мощности и широкого спектра излучения, позволяющего получать довольно высокое значение угла фарадеевского вращения для большинства пленок ФГ, применяющихся в экспериментах, Кроме лампы, в осветителе расположены тепловой фильтр 2 (кювета с глицерином), устраняющий нагрев образца, и конденсатор 3, Для изменения направления лучей cse1674258

Импульсное магнитное поле, направленное вдоль оси легкого намагничивания, вызывающее движение доменных границ и используемое для записи "1" и "0", создавалось пятивитковой катушкой с внутренним диаметром 1 мм при протекании по ней прямоугольных импульсов тока, формируемых генератором 15. Импульсы синхронизации генератора 15 с частотой следования F используются для запуска блока 13 подавления дрейфа и шума. Контроль амплитуды импульсного тока в катушке возбуждения осуществляется осциллографом 16 (С1 — 76).

Для зажигания и поддержания нормального режима горения лампы 1 использован блок

17 питания (марка П-133).

Калибровка импульсного магнитного поля осуществлялась с помощью магнитного поля смещения, создаваемого двумя концентрическими катушками 18 Гельмгольца с константой напряженности 460 Э/А. Питание катушки осуществлялось стабилизатором 19 тока (T3C-13), а контроль тока— прибором 20 (B7 — 21).

Образцами служили монокристаллические пленки ФГ состава (Y, В1)э (Fe,Са)01р и (В1,Tm)z(Fe,Ga)g01z. Параметры всех используемых образцов находились в следующих диапазонах: намагниченность

5 насыщения 4 7гМ 60 — 150 Гс, козрцитивность Нс 0,5 — 2 Э и период Рс 5 — 30 мкм, Формула изобретения

Способ записи информации, основанный на локальном воздействии на домено-

10 содержащую пленку феррита-граната импульсным магнитным полем, направленным вдоль оси легкого намагничивания доменосодержащей пленки, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения быстродей15 ствия способа и снижения потребляемой мощности, локальное воздействие на доменосодержащую пленку феррита-граната осуществляют импульсным магнитным полем амплитудой Hc < H Mn < 4Hc, где Wc—

20 коэрцитивность пленки, в одном направлении вдоль оси легкого намагничивания при записи двоичной "1" и в противоположном направлении при записи двоичного "0".

1674258

С

Г1

Составитель Ю.Розенталь

Техред M.Moðãåíòàë Корректор В.Гирняк

Редактор А,Маковская

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 2929 Тираж 327 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Способ записи информации Способ записи информации Способ записи информации Способ записи информации 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических управляемых транспарантах

Изобретение относится к вычислительной технике, может быть использовано при создании ЗУ на ЦМД, оно позволяет увеличить надежность и выход годных ЦМД-микросхем за счет упрощения конструкции ia- копителя В накопителе на ЦМД с произвольным доступом к регистрам хранения информации генератор ЦМД и расширитель детектора совмещают в одном узле, выполненном в виде петли (шпильки), соседние пары линеек ячеек хранения информации регистров хранения магнитосвязывают между собой последовательно в общий кольцевой регистр, а управляющие шины этих пар линеек соединяют последовательно

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в накопителях на ЦМД

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке накопителей на вертикальных блоховских линиях (ВЕЛ)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании магнитооптических устройств обработки и хранения информации

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих ус гройгств на цилиндрических магнитных пленках (ГМП)„ Целью изобретения является повышение надежности и бь-ст родейс вия устройства Устройство содержит генератор 1, триггеры 2-4 управления , распределители импульсов 5-7, гчетчики пиктов 8-10, блек уп- : рэвлрш я 11 счетчиком адреса, триггер контроля (2, блок 13 управления разрядным током, элемент ИЛИ 14, элеме IT И 15, триггер улрг.рлсния 16, реьерсмвнпи счетчик 17, дешифратор -.,;-,- адреса 18, опох анализа 9 сигнала к матрицу 20 пагят1:

Изобретение относится к вь,числитель- /ноЛ технике и может быть использовано для контроля микросборок доменной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле накопителей информации на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх