Накопитель информации

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на плоских магнитных доменах. Целью изобретения является повышение надежности накопителя за счет обеспечения неразрушающего считываний информации. Накопитель информации содержит магнитную пленку 1 с первой 2 и второй 3 группами регистров хранения информации в виде параллельных каналов 4 продвижения плоских магнитных доменов 5 и расположенными над ними 145 15 i/ I

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

1675951 А1 (st)s G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4747545/24 (22) 09.10.89 (46) 07,09.91, Бюл. М 33 (71) Н аучно-и роизводст вен ное объединение

"Импульс" (72) С. Л, Добрынин и А. Г, Езупов (53) 681.327.66(088.8) (56) Патент Франции N. 2281626, кл. G 11 С .11/14, 1976.

" Патент Франции hk 2123046, кл, 6 11 С

11/00, .1 972, (54) НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на плоских магнитных доменах. Целью изобретения является повышение надежности накопителя за счет обеспечения неразрушающего считывания информации, Накопитель информации содержит магнитную пленку 1 с первой

2 и второй 3 группами регистров хранения информации s виде параллельных каналов 4 продвижения плоских магнитных доменов 5 и расположенными над ними

74 5 75

1675951

1 токовыми шинами 6 и 7 управления, канал

8 ввода информации, канал 9 вывода информации, первый регистр 10 связи, второй регистр 11 связи, токовые шины

12-15 управления регистрами связи. Накопитель имеет высокую надежность за счет использования неразрушающего считывания и небольшого количества актов продвижения, которым подвергается каждый домен за полный цикл продвижеИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на плоских магнитных доменах.

Целью изобретения является повы- 5 шение надежности накопителя за счет обеспечения неразрушак>щего считывания информации.

На фиг. 1 показана конструкция предлагаемого накопителя информации; на фиг, 2 10 и 3 — соответственно временные диаграммы управляющих токов при продвижении информации по регистрам связи и при обмене информацией между регистрами хранения и регистрами связи. 15

Накопитель информации содержит магнитную пленку 1 с первой 2 и второй 3 группами параллельных регистров хранения информации в виде каналов 4 продвйжения плоских магнитных доменов 5 и располо- 20 женными над ними токовыми шинами 6 и 7 управления, канал 8 ввода информации„канал 9 вывода информации, первый 10 и второй 11 регистры связи, токовые шины.12-15 управления регистрами связи. 25

Внутри групп 2 и 3 каналы 4 расположены с одинаковым шагом, а группы разделены областью магнитной пленки 1, над которой расположены изгибы шин 6 и 7.

Разряды 16 регистров 10 и 11 расположены 30 в пленке 1 с шагом каналов 4, Каждый разряд

16 регистра 10 лежит напротив соответствующего разряда 16 регистра 11 и между противолежащими разрядами 16 регистров 10 и 11 включены параллельные каналы 35

4. Вход каналов 4 группы 2 и выход каналов

4 группы 3 соединены с разрядами 16 регистра 10. Выход каналов 4 группы 2 и вход каналов 4 группы 3 соединены с разрядами

16 регистра 11. Выход канала 8 ввода и вход 40

9 канала вывода информации соединены с

Разрядами 16 соответственно регистров 10 и 11; расположенными между группами 2 и ния информации в магнитной среде по замкнутому контуру, Кроме того, накопитель имеет высокую плотность размещения информации за счет плотного размещения параллельных регистров хранения и низкое энергопотребление за счет того, что во время продвижения доменов в регистрах связи основная часть доменов в регистрах хранения находится в статическом состоянии, 3 ил.

3 каналов 4 (фиг. 1) или во второй половине (правой) регистров связи.

Токовые шины 6 и 7 служат для продвижения доменов 5 по каналам 4 и магнитосвязаны с пленкой 1 преимущественно в области каналов, 4, Непосредственно над входом каналов 4 расположен участок шины

6, а над выходами каналов — участок шины

7, Токовые шины 12-15 служат для продвижения доменов 5 по разрядам 16 регистров

10 и 11 и магнитосвяэаны с пленкой 1 преимущественно в области этих регистров. не оказывая существенного воздействия на пленку 1 на участках хранения доменов 5 в каналах 4. Токовые шины 13 и 14 имеют

V-образную форму и содержат внутренние (нижние для регистра 10 и верхние для регистра 11) и внешние (верхние для регистра

10 и нижние для регистра 11) прямолинейные рабочие участки.

Накопитель информации работает следующим образом.

В отсутствие управляющих воздействий домены 5 расположены в информационных позициях, как это показано на фиг, 1. Для наглядности домены 5 изображены во всех информационных позициях каналов 4 и регистров 10 и 11, т. е. накопитель содержит информацию, состоящую только из "1". При продвижении информации по накопителю, сначала под действием магнитных полей, создаваемых импульсными токами 112 114, протекающими соответственно по шинам 12 — 14, информационные домены 5 в регистрах 10 и 11 синхронно продвигаются в левые разряды в регистре

10 и в правые разряды в регистре 11, Положение доменов 5 в каналах 4 в это время не изменяется. Затем под действием магнитных полей, создаваемых импульсными токами 1в, iт, и112-!

5 параллельно продвигаются на одну поэи1675951 магнитное поле под внешними участками 55 шины 13. В результате воздействия суммарного поля токов Iq2 и 11з домены 5 продвигаются под внешними участками шины 13 в сторону информационной позиции следующего разряда. В момент времени ® подацию вниз в группе 2 и вверх в группе 3 каналов 4, при этом домены 5. расположенные в последних информационных позициях каналов 4, параллельно продвигаются в левые разряды регистра 11 (для группы 3) и в правые разряды регистра 10 (для группы 3), а домены 5, расположенные в левых разрядах регистра 10 и в правых разрядах регистра

11, параллельно продвигаются в первые информационные позиции каналов 4 в группах

2 и 3 соответственно. На этом заканчивается первый цикл продвижения информации по накопителю. Во время одного цикла может быть осуществлен ввод и (или) вывод одного информационного слова, длина которого в битах равна числу каналов 4 в одной группе 2 (3). Для ввода и (или) вывода всего объема информации циклы продвижения повторяются необходимое число раз, Продвижение информации происходит следующим образом.

В момент времени t1 подаются импульсы токов I4 положительной полярности, создающего продвигающее магнитное поле под внутренними участками шины 14.

В результате воздействия поля токов 1и и

1<4 домены 5, расположенные в регистрах

10 и 11, продвигаются в следующие разряды под внутренние участки шины 14 и стираются в предыдущих разрядах под внешними участками этой шины, где магнитное поле тока 114 направлено встречно намагниченности доменов 5. В момент tg полярность тока 1>2 изменяется на отрицательную. В результате воздействия поля тока 1 2 домены 5 стираются в центральной области регистров 10 и 11 и сохраняются лишь непосредственно под внутренними участками шины 14. В момент ta полярность тока In изменяется на положительную. В результате воздействия поля тока 1 2 происходит рост доменов 5 под шиной 12. 8 момент t5 подается импульс тока 11з отрицательной полярности, создающего продвигающее

50 ется импульс тока i>5 отрицательной полярности, создающий продвигающее магнитное поле под внешними участками шины 14.

Для записи нового информационного слова вместо имеющегося в регистре 10 в момент времени У6 подается импульс тока 115 отрицательной полярности, создающий магнитное поле, компенсирующее поле внешнего участка шины 14 в регистре 10. В результате домены 5, расположенные в регистре 11, продвигаются под внешний участок шины

14 и стираются под внутренним участком этой шины. Домены 5, расположенные в регистре 10, стираются под внутренним участком шины 14, не продвигаясь под ее внешним участком и сохраняясь только под шиной 12. Если информационное слово, расположенное в регистре 10, нужно сохранить прежним импульс тока I>5 не подается и домены 5, расположенные в регистре 10, продвигаются под внешниий участок шины

14, B момент времени t7 полярность тока 112 становится отрицательной. В результате воздействия поля тока 1а домены 5 стираются в центральной области регистров 10 и

11. В регистре 11 домены 5 сохраняются в следующих информационных позициях под внешним участком шины 14, где действует продвигающее магнитное поле тока 114. В регистре 10 домены 5 сохраняются только в случае отсутствия в момент времени t6 импульса тока 1 5. При записи информации в это время в разряд регистра 10, соединенный с выходом канала 8, может быть введен информационный домен, соответствующий записи "1". Для этого на выход канала 8 ввода информации одним из известных способов продвигается информационный домен. В результате воздействия продвигающего поля внешнего участка шины 14 информационный домен, расположенный нэ выходе канала 8, продвигается в разряд регистра 10, соединенный с выходом канала 8. В случае отсутствия домена на выходе канала 8 разряд регистра 10, соединенный с каналом 8, сохраняет прежнее состояние. При считывании информации домен, расположенный под внешним участком шины 14 в разряде регистра 11, соединенном с выходом канала 9, одним из известных способов продвигается в канал 9 и выводится иэ накопителя, сохраняясь под шиной 14. В момент ts полярность тока 1 г изменяется на положительную. 8 результате воздействия поля тока 11р происходит рост доменов 5 и формирование их под шиной 12. Таким образом осуществляется синхронное продвижение доменов 5 в регистрах 10 и 11 на один разряд, Далее управляющие воздействия, соответствую1675951 щие тактам t1 — tg, пов.горя ются неОбходимое число раз до тех пор, пока информационное слово регистра 10 не продвинется в левую часть регистра 10, а информационное слово регистра 11 — B правую часть регистра 11, При этом импульсы тока i>6 не подаются.

Для накопителя, изображенного на фиг, 1, такты t> — t6 необходимо повторить 4 раза.

В момент tg на пленку 1 оказывается воздействие, аналогичное Воздействию момента ц, В результате домены 5 регистров 10 и

11 продвигаются под Внутренние участки шины 13. В момент t o под=.àòcÿ импульсы тОкОВ 16 и 17 Отрицательной полярности и импульс тока 114 положительной поляочости, создающего продвигающее магнитное поле под внутренними учас" кеми шины 14 . Положительное направление оков 16 и I7 показано на фиг. 1 стрелками. В результате воздействия поля токов I>z и 1д домены 5 регистров 10 и 11 продвигаются под Внут, ренние участки шины 14. Воздействие на

; .пленку 1 магнитного поля токов 6 и 17 приводит к одновременному стиранию верхней части и росту нижней части доменов 5, расположенных в каналах 4 группы 2, на ширину шины 7. В каналах 4 группы 3 происходит стирание нижней части и рос т верхней части доменов 5. Таким образом,;существляется продвижение доменов 5 по каналам 4 в c;"орону их выхода на ширину токовой шины управления. В момент ti< полярность токов

l

11 под внутренние участки шины 14, примыкающие к участкам шины 7, продвигаются домены 5 из каналов 4. В момент t>z полярность токов I<;> и 1 меняется на обратную. В результате воздействия поля тока 1а происходит рост доменов, расположенных под внутренними участками шины 14, и формирование их под шиной 12, за исключением доменов, расположенных в последних разрядах регистров 10 и 11, рост которых ограничен размером этих регистров. В результате воздействия поля тока 17 домены 5, расположенные в каналах 4, продвигаются вниз в группе 2 и вверх В группе 3 на ширину шины 7. В момент т1з полярность тока !6 становится отрицательной и подается имс

f5

2$

30 м5

50 пульс тока 1д отрицательной полярности, В результате суммарного воздействия полей токов 1>2 и 11з домены 5 продвигаются под r внешними участками шины 13 в сторону инФоомационной позиции следующего разря-, да. В результате воздействия поля тока 16 домены 5, расположенные В каналах 4, продвигаются вниз в группе 2 и вверх в группе

3 на ширину шины 6. При этом домены 5 занимают в каналах 4 исходное положение со сдвигом,.на один разряд. В моменты t14 — 116 на пленку 1 оказываются воздействия, аналогичные воздействиям моментов t6 — ts соответственно, В результате этого домены 5 в регистрах 10 и 11 занимают исходное положение, Таким образом, осуществляется продвижение одного информационного слова.

Накопитель, изображенный на фиг. 1, содержит 8 информационных слов, поэтому для продвижения всего объема информации цикл продвижения информационного слова необходимо повторить еще 7 раз. При этом в такте тт одним из известных способов осущеатвляется ввод и (или) вывод инфрмации, Накопители информации могут содержать несколько сотен параллельных каналов в несколько десятков бит, при этом возможно использование в качестве регистров связи различных известных регистров сдвига, Система токовых шин управления параллельными каналами также может отличаться от приведенной в примере.

Предлагаемый накопитель информации позволяет осуществлять последовательную запись и последовательное неразрушающее считывание информации при параллельном продвижении информации в накопительных каналах. При этом накопитель обладает высокой надежностью за счет использования неразрушающего считывания и небольшого количества актов продвижения, которым подвергается каждый домен за полный цикл продвижения информации в магнитной среде по замкнутому контуру. Кроме того, накопитель имеет высокую плотность размещения информации за счет плотного размещения параллельных регистров хранения и обладает низким энергопотреблением за счет того, что во время продвижения плоских доменов в регистрах связи основная часть плоских доменов в регистрах хранения находится в статическом состоянии.

Формула изобретения

Накопитель информации, содержащий магнитную пленку с первой и второй группами параллельных регистров хранения в виде каналов продвижения плоских магнитных доменов с расположенными над ними токовыми шинами управления, магнитосвя-, занными с каналами продвижения, и кана-, лы ввода и вывода информации, о т л и ч а-; ю шийся тем, что, с целью повышения его надежности за счет обеспечения неразрушающего считывания информации, накопитель -содержит первый и второй регистры связи, выполненные в виде каналов продвижения плоских магнитных доменов с расположенными над ними токовыми шинами управления, магнитосвязанными с каналами продвижения, причем вход каждого канала продвижения регистров хранения первой группы соединен с каналами продвижения соответствую.щего разряда первого регистра связи, выход каждого канала продвижения ре1675951 10

lt гистров хранения второй группы соединен с каналами продвижения соответствующего разряда первого регистра связи, выход каждого канала продвижения регистров хранения первой группы соединен с каналами продвижения соответствующего разряда второго регистра связи, вход каждого канала продвижения регистров хранения второй группы соединен с каналами продвижения соответствующего разряда второго регистра связи, выход канала ввода информации и вход канала вывода информации соединены соответственно с каналами продвижения разрядов первого и второ го регистров связи, расположенных между каналами продвижения первой и второй групп параллельных регистров хранения.

1 41

1675951

I т 1

| ! (9 40

Составитель Г,Аникеев

Редактор В.Бугренкова Техред M.Mîðãåêòàë Корректор Э.Лончакова

Заказ 3006 Тираж 32 5 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101