Пленочный фотовольтаический элемент

Авторы патента:

H01L31 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

: Сощиалистических

Республии

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21 29м

Заявлено 13.XI.1963 (№ 865368/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 07.1Х.1965. Бюллетень № 18

Дата опубликования описания 25.Х.1965

Государственный

-комитет по делам изобретений и открытий СССР

МПК Н 011

УДК 621 383 51(088 8) Лвторы изобретения

А. Л. Рвачев и В. А. Дроздов

6-"ГСР

Т . ê

Заявитель

ПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ мента завершается напылением верхнего полупрозрачного алюминиевого электрода, который перекрывает второй алюминиевый токоотводящий контакт.

5 Спектральная чувствительность элемента

400 — 1000 м,ик. Наблюдается максимальная чувствительность в ультрафиолетовой области спектра. Фотоэлемент может работать в фотодиодном режиме при внешнем напряжении

10 порядка нескольких вольт и токах до 1 а/см2.

Фотоэлемент, выполненный на основе закиси меди и сульфида кадмия, может иметь большую поверхность и не боится длительного пребывания на воздухе, хорошо переносит

15 работу при высоких уровнях освещенности.

Пленочный фотовольтаический элемент, от20 личаюи1ийся тем, что, с целью получения высокой интегральной чувствительности с максимумом в ультрафиолетовой области, р —.и"переход выполнен на основе сочетания пленок закиси меди и сульфида кадмия.

Подписная группа М 97

Известны два вида фотовольтаических элементов на основе сульфида кадмия. В элементах первого вида используется эффект фотоэ. д, с. в запирающем слое между медным электродом и кристаллом сульфида кадмия, в элементах второго вида — эффект возникновения э.д. с. на р — n-переходе, осуществленном в монокристалле сульфида кадмия при обильном легировании медью некоторой части его объема.

Предлагается малоынерционный пленочный фотовольтаический элемент на основе р — n-перехода, возникающего на контакте между сульфидом кадмия и закисью меди.

Фотоэлемент выполняется следующим образом. На стеклянную (или слюдяную) подложку путем термического испарения наносят две полоски алюминия, являющиеся токоотводящими контактами, затем наносят непрозрачный слой меди, который частично перекрывает лишь одну из алюминиевых полосок, после чего создают слой закиси на поверхности медной пленки, на которую напыляют сульфид кадмия толщиной 5 — 10 мк. Изготовление элеПредмет изобретения

Пленочный фотовольтаический элемент 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к физике твердого тела, в частности к магнитооптике, оптической спектрофотометрии

Изобретение относится к электротехнике, в частности к конструированию фотоэлектрических потенциометров для следящих систем, и может быть использовано при изготовлении датчиков угловых и линейных перемещений для устройств автоматики и вычислительной техники
Наверх