Селеновый фотоэлемент с запирающим слоем повышенной инфракрасной чувствительности и способ его изготовления

 

Класс 21@, 29ip № 150951

СССР

ОПИСАНИЕ ЙЗОБРЕТ

Под тсн,ст гругта,Л"0 97

Иностранец

Альфред Крос (Германская Демократическая Республика) СЕЛЕНОВЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ С ЗАПИРАЮЩИМ СЛОЕМ

ПОВЫШЕННОЙ ИНФРАКРАСНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ

И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Заявлено 31 июля 1959 г. за № 635396/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опуоликовано в «Бюллетене изобретений» № 20 за 1962 г.

Для решения ряда задач необходима повышенная чувствительность селеновых фотоэлементов в инфракрасной области спектра.

Известны способы смещения максимума спектральной характеристики чувствительности в область длинных волн введением в слой селена теллура и некоторых других элементов. Однако чувствительность таких селеновых фотоэлементов в области 800 мк недостаточна для практики. Наиболее эффективен известный способ расширения спектральной чувствительности добавками теллура. Однако чем выше концентрация теллура, тем хуже параметры фотоэлементов.

Согласно описываемому способу в качестве добавки к селену используется индий. Индий может быть примешан к селену в малой концентрации (до 1%), или же может быть нанесен в виде промежуточного слоя испарением или катодным напылением из газовой атмосферы. При применении промежуточного слоя из индия целесообразно этот слой подвергнуть температурной обработке в вакууме, в воздухе или в газовой атмосфере при определенных режимах давления.

Спектральная кривая чувствительности описываемого селенового фотоэлемента с запирающим слоем имеет в диапазоне, примерно, от 70 до 800 мк второй явный максимум, равный при пересчете на мак-симум равной энергии, примерно, 30lo высоты обыкновенного максимума селенового фотоэлемента в видимой области спектра. Чувствительность фотоэлемента в области максимума в видимой области сгектра гри этом равна приблизительно чувствительности обыкновенного селенового фотоэлемента. Помещая металлический слой, например, из серебра, между основным металлом селеном и прсмежуто -;ным слоем из № 1 50951 индия, . 10жно полу 1ить изменение макс!1. !ума по Высоте и по положению в определенных пределах.

Металлическая барьерная пленка Влияет на процесс диффузии индия В селен. 0Т толщины и Вида Оарьернои пленки, также От тОлщины слоя индия зависит соотношение сбоих максимумов кривой распределения фототока при равном количестве падающей энергии.

Температурные условия при нанесении слоя индия не влияют существенно на положение и величину максимума в инфракрасной части с?1ектра, Б большинстве случаез такое нанесение осуществляется при комнатной температуре.

Таким образом, изобретение позголяет расширить спектра Ib?I) !o кривую .увствительности без изменения электрических характеристик фотоэлементов.

Предмет изобретения

1. Сслсновып фотоэлемент с запирающим слоем повышенной инфракрасной 1уВстВительности, достигаемой дооаВками к селену или ucrользоВанием промежуточных слоев, отличающийся тем, что в качестве добавки к селену или в качестве промежуточного слоя, получаемого испарением или катодным напылением из газовой атмосферы и размещенного между основным селеновым слоем и покровным электродом, применен индий.

2. Способ изготовления селенового фотоэлемента с запирающим слоем по п. 1, отл и ч а ю щи и с я тем, что, промежуточный слой из индия подвергают температурной обработке в вакууме, в воздухе или газовой атмосфере при определенных режимах давления, а до нанесения промежуточного слоя из индия на основной селеновый слой наносят металлическую прослойку, например, из серебра.

Составитель описания Я. Б. Герчиков

Редактор H. С. Кутафина Техред Т. П. Курилко

Корректор Г. Кудрявцева

Г1одп, к печ. 2.Х-62 г. Формат оум. 70Х!08!/! Объем 0,18 изд. л.

Зак. 9289 Тираж 1150 Цена 4 коп, ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/б.

Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14.