Узел регистрации вторичной эмиссии

 

Изобретение относится к области технической Физики и может быть использовано в аппараг/ре для анализа тонких приповерхностных слоев монокристаллов методом регистрации вторичной эмиссии. Целью изобретения является расширение возможностей исследования и повышение его производительности. Узел регистрации вторичной эмиссии выполнен в виде газонаполненной камеры, внутри которой размещены нитиевый электрод и держатель образца. Последний установлен с возможностью поворота вокруг оси. образованной пересечением плоскости падающего и дифрагированного пучков с плоскостью образца, а также с возможностью дополнительного поворота в плоскости образца . Участок стенки камеры изготовлен из материала, прозрачного для рентгеновского излучения, при этом образец, закрепленный на держателе образца, размещен в объеме, ограниченном этим участком. 1 ил. Ё

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИА)(ИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5!) 5 G 01 И 23/20

ГОСУДАРСТВЕ(НЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

Г(РИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 3

О ф

О фа

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4668206/25 (22) 1!.1 !.88 (46) 07.01,92. Бюл. М 1 (71) Специальное конструкторское бюро ре((тгеновского и кристаллооптического приборостроения с экспериментальным производством Института кристаллографии им. А.Ф.Шубникова и Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова (72) М.D,Êoîàëü÷óê, A.Ì.Hèêîëàåíêî, А.С.Семилетов, ИЛО.Харитонов и Ю.Н.Шилин (53) 548.15(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 800836, кл. G О1 N 23/20, 1979..

Авторское свидетельство СССР

ГЬ ((73278, кл. G О1 N 23/20, 1983. (54) УЗ ЕЛ Р Е ГИ СТРАЦИИ ВТОРИЧ НОЙ

ЗМИССИИ (57) Изобретение относится к области технической 1(1з((ки и л(ожет быть использовано

Изобретение относится к области тех(((((ес((ой(физики н может быть использовано в аппаратуре для анализа тонких пр((погерхнсст}(ых слоев монокристаллов методом рс(истрации вторичной эмиссии.

Извес1по устрой(ство для исследования сэеершепства структуры монокристалличеcKL1x слоев, содержащее источник излучения, кристаллмонохроматор, детек1ор д((фрог(1роеанного излучения и блок регистрации вторичной эмиссии, выполненный в виде газо((апалненной камеры. в которой разл(ещепы держатель образца, электроды и пр; ес, перемещения держателя относительно злсктродов, а у;асток стенки камеры

ЯЛ 1704046 А1 в аппаратуре для анализа тонких приповерхностных слоев монокристаллов методом регистрации вторичной эмиссии. Целью изобретения является расширение возможностей исследования и повышение его n роизводительности. Узел регистрации вторичной эмиссии выполнен в виде газонаполненной камеры, внутри которой размещены нитиевый электрод и держатель образца. Последний установлен с возможностью поворота вокруг оси, образованной пересечением плоскости падающего и дифрагированного пучков с.плоскостью образца, а также с возможностью дополнительного поворота в плоскости образца. Участок стенки кал(еры изготовлен из материала, прозрачного для рентгеновского излучения, при этом образец, закрепленный на держателе образца, размещен в обьеме. ограниченном этим участком. 1 ил. выполнен из материала, прозрачного для рентгеновского излучения.

Недостатками данного устройства являются узкая область применения, связанная с жестким закреплением образца относительно плоскости дифракции, фиксированное относительно камеры положение электродов, невозможность проводить «сследования на малых углах (0,5 — 5 ), образованных падающим и дифрагированным пучками с поверхностью кристалла.

Наиболее близкил1 по своей технической сущности к изобретению является узел регистрации вторичной эмиссии. содержащий газонаполненную камеру с установлен1 04046 ящей иэ гелия и 10 метана. Вторичное излучение ионизирует газ, ионы которого регистрируются золотым нитиевым электродом 11 диаметром 50 мк, находящиглся под напряжением+ 10GO В. Для предствра- 5 щения перекрытия нитью падающего или дифрагированного излучения последняя может поворачиваться при помощи шайбы

10. Стенка 4 камеры 3 выполнена иэ металлизированного лавсана, а держатель 5 раз- 10 мещен таким образом, что образец 6 находится в обьеме, ограниченном стенкой

4, что позволяет одновременно регистрировать дифрагированное излучение от различных систем кристаллографических 15 плоскостей во всем диапазоне телесного угла (Π— 1800), что особенно актуально при исследованиях на малых углах, т.е. при скользящей дифракции рентгеновских лучей. 20

Математическая обработка угловых зависимостей фотоэмиссии, возбужденной стоячей рентгеновской волной, дает исчерпывающую информацию о структуре приповерхностного слоя кристалла. 25

Технико-экономические преимущества предлагаемого устройства заключаются в следующе л: расширяются возможности узла благодаря исследованиям в широкои углово л диапазоне, повышается про- 30 иэводительность исследования за счет возможности одновременного измерения физических характеристик кристалла по различным кристаллографическим направлениям, появляется возможность исследования объемного состояния кристалла.

Дополнительным пруимуществом устройства является устранение необходимости прецизионной юстировки, присущей многократным съемкам, что повышает точность и достоверность исследования.

Формула изобретения

Узел регистрации вторичной эмиссии, содержащее газонаполненную камеру с электродом, полую втулку, установленную на корпусе камеры, держатель образца, размещенный в камере и соединенный с втулкой, средство поворота держаетля образца вокруг оси, лежащей в плоскости образца и проходящей через ось втулки, и держатель электрода, о т л и ч à ю шийся тем, что, с целью расширения возможностей исследования и повышения его производительности, средство поворота держателя образца выполнено в виде двух соосно закрепленных на противоположных сторонах корпуса пальцах, размещенных в плечах П-образного кронштейна с воэможностью поворота вокруг их оси, держатель образца снабжен механизмом вращения образца вокруг оси втулки, а держатель электрода размещен на корпусе камеры с возможностью поворота вокруг оси втулки, причем участок корпуса камеры, ограниченный плоскостью держателя образца, выполнен из рентгенопроэрачного материала.

5 10 9 8

5 12

Cññ-;е .тель T. P.); äi л ирова

", . сп.е; та опоектст t"; п;. и к

t Г !

Ре, эктор Е. Пап:

Производственно-изд-таль. г,й ". ; би ьвт "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101

Заказ 58 Тираж Подписное

ВНИ!1ПИ Госудаоственного i эстета по изобретенилл и открытием пр» ГЕ! tT СССР

113035, 1осква, .-35, Рггушская наб„4/5