Способ получения монокристаллов йодида свинца

 

Изобретение относится к способу получения монокристаллов йодида свинца РЫа и может быть использовано в полупроводниковой технике, оптоэлектронике,а также для создания сверхпроводящих материалов на основе йодида. свинца. Обеспечивает увеличение выхода кристаллов и упрощение процесса. Процесс ведут из водного раствора уксусной кислоты с концентрацией 16-20 мас.% при 100-135°С, давлении 1-7 .атм, температурном перепаде 5-8°С и скорости конвективного движения раствора 14-17 см/с в оптическом автоклаве. Соотношение жидкой фазы раствора и твердой фазы шихты 3,5-4,5:1,1-1,3,. Выход кристаллов 95- .98,5%. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.сл

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я) С 30 В 7/10, 29/12

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 4

О

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4836723/26 (22) 03.05.90 (46) 07.02,92. Бюл. N 5 (71) Специальное конструкторско-технологическое бюро АН ТаджССР (72) В.И.Пополитов, М.Н,Цейтлин, С,Орипов и Т.М.Дым ен ко (53) 621.315.592(088.8) (56) Пополитов В.И„Мининзон Ю.M. Кристаллизация фотополупроводниковых монокристаллов PbsS2I6 и РЬТЯгВг1о.

Гидротермальный синтез и выращивание монокристаллов. М.: Наука, 1987, с.149 — 151.

Пополитов В.И. и др, Химический синтез монокристаллических соединений свинца, — Журнал прикладной химии, 1980, т.3, N.. 9, с.1946-1950, Изобретение относится к способу получения монокристаллов иодида свинца РЫ и может быть использовано в полупроводниковой технике, оптоэлектронике, а также для создания сверхпроводящих материалов на основе иодида свинца.

Известен способ получения монокристаллов иодида свинца гидротермальным методом из водных расворов иодистоводородной кислоты, содержащей уксуснокислый свинец и серу при 200 — 300 С.

Основным недостатком этого способа является высокая температура процесса и незначительный выход монокристаллов

Pbl2 (5 — 6 мас.% от исходных компонентов), образующихся как побочная фаза. Процесс

„„ U„„1710603 А1 (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИОДИДА СВИНЦА (57) Изобретение относится к способу получения монокристаллов йодида свинца РЫ2 и может быть использовано в полупроводниковой технике, оптоэлектронике, а также для создания сверхпроводящих материалов на основе иодида. свинца, Обеспечивает увеличение выхода кристаллов и упрощение процесса. Процесс ведут из водного раствора уксусной кислоты с концентрацией 16-20 мас,% при 100 — 135 С, давлении 1 — 7.атм, температурном перепаде 5 — 8 С и скорости конвективного движения раствора 14 — 17 см/с в оптическом автоклаве. Соотношение жидкой фазы раствора и твердой фазы шихты 3,5 — 4,5;1,1 — 1,3,, Выход кристаллов 95—

98,5%. 1 з,п. ф-лы, 1 табл. ведут в стальных автоклавах, которые сильно подвергаются коррозии в силу агрессйвности исходной шихты и используемого раствора.

О

Цель изобретения — увеличение выхода (,) кристаллов и упрощение способа — достигается тем, что согласно способу гидротермального получения монокристаллов иодида свинца при высоких температурах и давлениях в условиях температурного перепада из шихты, содержащей свинец, процесс ведут в оптическом автоклаве из водного раствора. уксусной кислоты

СНЗСОО Н концентрацией 16 — 20 мас.% и ри

100 — 135 С, давлении 1 — 7 атм, температур1710603 ном перепаде 5 — 8 С и скорости конвекционного движения раствора 14-17 cM/с. Преимущественно процесс ведут при соотношении жидкой фазы раствора V® u твердой фазы V» шихты Чж . Ч» = 3,54,5:1,1 — 1,3. Применение оптического автоклава для проведения процесса получения монокристаллов иодида свинца рентабельно, так как материал, из которого он изготовлен (кварцевое стекло), не взаимодействует с используемым растворителем, Эксперименты по получению монокристаллов иодида свинца вели в установке для визуального наблюдения, позволяющей контролировать и управлять процессом кристаллизации по всему объему оптического автоклава.

Способ осуществляют следующим образом.

В корзиночку, изготовленную из фторопласта, помещали химический реактив

Pb!2. Затем корзиночку опускали в оптический автоклав, устанавливали в последнем перегородку с заданными диаметрами отверстий, разделяющую зону растворения и зону кристаллизации монокристаллов РЫ .

Оптический автоклав заполняли водным раствором уксусной кислоты концентрацией 16 — 20 мас. Д с коэффициентом заполнения 0,7-0,75, что соответствует давлению жидкой фазы 1-7 атм при ее нагревании до

100 — 135 С. Предварительные эксперименты показали, что процесс пеОекристаллизации Pblz начинает протекать при 100 C и температурном перепаде 5 С. В связи с этим в процессе ведения экспериментов было показано, что оптимальная перекристаллизация шихты РЫ в монокристаллы иодида свинца происходит при следующихфизико-химических параметрах эксперимента: концентрация уксусной кислоты 1620 мас., температура 100 — 135 С,,температурный перепад 5-8 С, давление 17 атм, скорость конвективного движения раствора 14 — 17 см/с, отношение жидкой и твердой фазы V® . V» = 3,5-4,5 — 1,1-1,3.

Процесс перекристаллизации Pblz происходит по схеме; растворение исходной шихты РЬ!г в водном растворе СНзСООН, конвективный массоперенос растворенных форм иодида свинца от межфазной поверхности "шихта-раствор" в реакционную зону и образование монокристаллов Pblz за счет пересыщения, создаваемого температурным перепадом по высоте оптического автоклава, Было установлено, что выход монокристаллов иодида свинца определяется указанными физико-химическими параметрами процесса.

Температура процесса 100 — 135 С вполне достаточна для растворения исходной шихты Pblz, а следовательно, для получения насыщенного раствора, транспортирующегося за счет температурного перепада в зону кристаллизации, где образуются монокристаллы иодида свинца. При темпе10 ратуре 100 С скорость растворения шихты

РЫ мала и насыщение раствора по отношению к твердой шихте происходит медленно, что негативно отражается на выходе монокристаллов иодида свинца. При Т> 135 С

15 скорость растворения исходной шихты резко возрастает, при этом увеличивается массоперенос растворенного материала в зону образования монокристаллов иодида свинца. Последнее обстоятельство способствует

20 быстрому возникновению зародышей, скорость образования которых превышает скорость их роста. Это явление приводит к получению мелкодисперсной шихты размером частиц до 0,01 мм, т.е. фактически рост

25 монокристаллов не происходит. Следовательно, интервал 100 С «Т < 135 С является оптимальным для роста в зоне кристаллизации монокристаллов иодида свинца.

30 Значение температурного перепада в сочетании с температурой процесса также является оптимальным. Понижение температурного перепада Л Т < 5 С приводит к уменьшению пересыщения, необходимого

35 для роста монокристаллов РЫг, вследствие чего уменьшаются их размеры. При ЛТ..8 С увеличивается пересыщение в зоне образования монокристаллов Pblz, в результате чего возникают, как и в случае повышения

40 температуры, многочисленные зародыши, скорость образования которых превышает скорость их роста. Одной из характеристик, влияющих на скорость отвода растворяемого вещества от границы шихта — раствор, 45 является скорость конвективного движения раствора. При введение в кварцевый реактор перегородок, разделяющих зону растворения и роста, с диаметром отверстий от 1 до 5 мм скорость конвективного движения

50 раствора при 100 — 135 С и ЛТ 5 — 8 С изменялась от 14 до 17 см/с. Указанная величина скорости конвективного движения раствора оказалась оптимальной для получения монокристаллов Pbl2 заданного вы55 хода. Было найдено, что при W< 14 см/с (W — скорость конвективного движения раствора) массоперенос растворенных форм иодида свинца от границы шихта—

1710603

45

55 раствор недостаточен, что лимитирует выход РЫ2. см

При W> 17 выход монокристаллов с

РЫг, как показали эксперименты, практически не зависит от этого параметра. Таким образом, интервал 14< W< 17 — являетсм с ся оптимальным для получения монокристаллов иодида свинца с заданным выходом. Концентрация водного раствора

СНзСООН составляет 16-20 мас,, что в сочетании с другими параметрами процесса вполне достаточно для растворения шихты

РЫ и образования насыщенного раствора, Существен ность концентрационного значения величины СНзСООН обусловлена тем, что, как показали эксперименты, только при концентрации уксусной кислоты 16—

20 мас, наблюдается образование монокоисталлов Pbl2 с выходом 95 — 98,5 .

Например, при Ссн,соон< 16 мас, / ско рость растворения РЫ мала, массоперенос растворенного материала незначителен и образование монокристаллов РЫ протекает на месте (in, si, ti). При этом выход монокристаллов незначителен (60-65 ): При

Ссн соон> 20 мас. происходит частичное разложение иодида свинца, что подтверждается выпаданием осадка уксуснокислого свинца при остывании оптического автоклава. Это обстоятельство нарушает механизм образования монокристаллов иодида свинца и снижает его выход.

Объемное отношение жидкой и твердой фазы (V>g/VTB = 3,5-4,5:1,1-1,3) является оптимальным с точки зрения поддержания длительности пересыщения раствора уксусной кислоты растворенными формами иодида свинца, что необходимо для выхода последнего с заданной скоростью. Если, например, взять количество жидкой фазы, по объему равной твердой, то практически получается вязкий раствор, что приводит к снижению кинетической подвижности растворенных форм иодида свинца и процесс кристаллизации последнего затрудняется, Таким образом, все указанные параметры предлагаемого способа взаимосвязаны и нарушение этих параметров ведет к невоспроизводимости способа.

Пример 1. B корзиночку, изготовленную из фторопласта, помещали химический реактив РЫ2 марки "осч". Затем корзиночку опускают в оптический автоклав, устанавливают в последнем перегородку с заданным диаметром отверстий, разделяющую зону растворения и зону кристаллизации. Перегородка необходима для создания темпера5

35 турного перепада по высоте автоклава, а дырочки в ней — для регулирования скорости конвективного движения раствора. Оптический автоклав заполняют водным раствором СНзСООН концентрацией 16 мас, .

Отношение объемов жидкой и твердой фаз равно 3,5:1,1, Подготовленный оптический автоклав помещают в двухзонную печь сопротивления, герметически закрывают и нагревают до 100 С (зона растворения) с температурным перепадом 5 С. При данной температуре в результате расширения жидкой фазы давление составляет 1 атм. Скорость естественной конвекции при заданных параметрах составляет 14 см/с, Продолжительность эксперимента 5 сут. Процесс образования монокристаллов иодида свинца протекает по схеме: растворение исходной шихты (Pblz), конвекционный массоперенос растворенного материала за счет температурного перепада в зону кристаллизации, образование монокристаллов РЫг из пересыщенного раствора. Выход монокристаллов иодида свинца при заданных параметрах составляет 95, что превышает в несколько раз выход монокристаллов Pblz, полученных известным способом.

Пример 2. Методическое оформление эксперимента по получению монокристаллов иодида свинца то же, что в примере 1, Режим образования монокристаллов РЫг следующий: концентрация водного раствора уксусной кислоты 18 мас., объемное отношение жидкой фазы к твердой

3,5:1,1, температура 120 С (зона растворения), ЛТ = 5 С (ЛТ вЂ” температурный перепад), давление 2,5 атм, скорость естественной конвекции 15 см/с, Продолжительность эксперимента 5 сут. В результате описанного гидротермального процесса происходит образование монокристаллов иодида свинца. Выход монокристаллов Pblz составляет 96,1, что превышает выход этих же монокристаллов, полученных известным способом, Пример 3. Методическое оформление эксперимента то же, что и в примерах 1, 2, Режим получения монокристаллов иодида свинца: концентрация СНзСООН 20 мас., объемное отношение жидкой фазы к твердой 3,5:1,1, температура.135 С (зона растворения), Т = 8 С, давление 7 атм, скорость естественной конвекции раствора 17 см/с, Продолжительность эксперимента 5 сут. В результате описанного гидротермального процесса происходит образование монокристаллов иодида свинца, выход которых составляет 98,5, что превосходит в несколько раз выход монокристаллов, полученных известным способом.

1710603

Составитель Г,Хусаинова

Техред М,Моргентал Корректор О.Кундрик

Редактор B,Äàíêo

Заказ 313 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101

В таблице приведены основные экспериментальные данные по условиям образования монокристаллов иодида свинца.

Полученные монокристаллы иодида свинца кристаллизуются в гексагональной сингонии в форме пластинок. Иодид свинца имеет интенсивно ярко-желтую окраску, кристаллизуется в гексагональной сингонии с параметрами решетки; о о а= 4,59 А с = 7,02 А. Пространственная группа 03 d. Спектральный анализ показал наличие примесей, мас.7, : кремния 10, ли-г тия 10, железа 10, Проведенные анализы в пределах их точности показывают хорошую чистоту монокристаллов, что очень важно для их прак1 тического использования, Использование способа получения монокристаллов иодида свинца по сравнению с известным способом,.имеет следующие преимущества: получение монокристаллов РЫ с выходом 95 — 98,5, что в несколько раз превышает выход этих кристаллов по известному способу; упрощение технологии процесса в связи с его протеканием при более низких температурах, а также ведение процесса в оптическом автоклаве (последнее обстоятельство позволяет контролировать получение монокристаллов иодида свинца при заданных физико-технических параметрах эксперимента, получать чистые монокристаллы и использовать водный раствор

СНзСООН, что невозможно сделать в стан5 дартных автоклавах вследствие их коррозии).

Эти обстоятельства важны для внедрения способа в народное хозяйство. При этом получение монокристаллов иодида свинца

10 лимитируется только объемом загруженной шихты и емкостью оптического автоклава при прочих равных условиях.

Формула изобретения

15 1. Способ получения монокристаллов иодида свинца, Pb12, гидротермальным методом из водного раствора шихты, содержащей свинец, при высоких температуре и давлении в условиях температурного пере20 пада,отличающийся тем,что,сцелью увеличения выхода кристаллов и упрощения, процесс ведут из раствора уксусной кислоты с концентрацией 16-20 мас, /, при температуре 100 †1 С, давлении 1 — 7 атм, 25 температурном перепаде 5 — 8 С и скорости конвекционного движения раствора

14-17 см/с в оптическом автоклаве.

2. Способ по п,1, отличающийся тем, что процесс ведут при соотношении

30 жидкой фазы раствора и твердой фазы шихты 3,5 — 4,5:1,1 — 1,3.

Способ получения монокристаллов йодида свинца Способ получения монокристаллов йодида свинца Способ получения монокристаллов йодида свинца Способ получения монокристаллов йодида свинца 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов твердых растворов (Sbi-x Bix) Та04, которые могут быть использованы в пьезоэлектрической области

Изобретение относится к способам получения монокристаллов нефелина и позволяет получать крупные однородные монокристаллы нефелина состава (Na4-xKxXA S 04)4, где х 0-1

Изобретение относится к гидротермальному способу перекристаллизации диоксида германия тетрагональной модификации (/ Ge02), который может быть использован как исходное сырье для создания композиционных материалов, в пьезотехнике, в частности в резонаторах и фильтрах различного назначения, и в других областях материаловедения

Изобретение относится к способам окрашенных монокристаллов оксида цинка и может быть использовано в ювелирной промышленности

Изобретение относится к получению монокристаллов (SB<SB POS="POST">1-X</SB>BI<SB POS="POST">X</SB>) NBO<SB POS="POST">4</SB>, где X = 0,1 - 0,3, и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической технике, а также в химической технологии для создания композиционных материалов

Изобретение относится к получению монокристаллов оксида цинка гидротермальным методом и может быть использовано в оптоэлектронике при создании твердотельных лазеров, излучающих в ультрафиолетовой и фиолетовой областях спектра и используемых в системах передачи информации, в вычислительной технике и на телевидении

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов литиевого бората, которые могут быть использованы в пьезотехнике

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов оксидов сурьмы и может быть использовано в акустооптике и как композиционный материал для создания сверхпроводящих материалов

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов стибио-танталата калия и может быть использовано в пъезотехнике

Изобретение относится к получению ферромагнитных монокристаллических материалов с гексагональной структурой, применяемых в электронике

Изобретение относится к области получения щелочно-галоидных кристаллов высокой степени чистоты, широко используемых в фундаментальных исследованиях в качестве термолюминесцентных дозиметров ядерных излучений, лазерных сред, сред для записи информации

Изобретение относится к физике твердого тела, геофизике и геохимии и может быть использовано для облагораживания кристаллов природного флюорита с последующим их использованием в гравильноювелирной и ювелирно-декоративной промышленности, а также в качестве фильтров в оптике

Изобретение относится к химии и касается способа получения просветляющих фторидных покрытий, имеющих чрезвычайно высокую границу прозрачности, что позволяет их использовать в оптических приборах одновременно в УФ- и ИК-областях, обеспечивает улучшение качества покрытий и увеличение скорости процесса

Изобретение относится к способам спонтанного получения мелкокристаллического монойодида меди и может быть использовано в различных областях неорганической химии, например как исходное сырье для создания композиционных материалов, в состав которых входил бы Cul, в акустооптике, пьезотехнике, в лазерной и сверхпроводниковой технике

Изобретение относится к электронной технике и позволяет улучшить оптическое качество кристаллов, увеличить производительность и повысить выход годных элементов

Изобретение относится к области выращивания кристаллов, конкретно щелочногалоидных кристаллов йодистого цезия, и позволяет уменьшить пластичность кристаллов

Изобретение относится к технологии получения кристаллического , который может быть использован в неорганической химии, акустооптике , пьезотехнике

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии
Наверх